【課題】通常露光（ドライ露光）、液浸露光、二重露光において、パターン形状、ラインエッジラフネスが良好である、感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物に対応する繰り返し単位を含有し、活性光線又は放射線の照射により酸基を生成する樹脂（Ａ）を含有することを特徴とする感光性組成物。
【化１】
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【解決手段】ナフトールを有する繰り返し単位と酸によってアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第１のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で露光し、現像し、その後波長２００ｎｍ以下の高エネルギー線の照射によって第１のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第２のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第２のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で露光し、現像する工程を有するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第１のポジ型レジスト材料で、第１のパターンを形成後、これをアルカリ現像液とレジスト溶液に不溶化する。その上に更に第２のレジスト材料を塗布、露光現像することにより、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などの製造工程における微細加工に用いられる反射防止膜材料として有効なレジスト下層膜形成材料及びこれを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を用いた液浸リソグラフィーに好適なレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも下記一般式（１）で示される質量平均分子量が１，０００〜１００，０００の範囲で波長１９３ｎｍにおける消光係数（屈折率の虚数値；ｋ値）が０．１０〜０．３８の高分子化合物と、ブレンドフェノール低核体およびフェノールフラーレンから選ばれる波長１９３ｎｍにおける消光係数（屈折率の虚数値；ｋ値）が０．４〜１．１の範囲の化合物１種以上とをブレンドしてなることを特徴とするレジスト下層膜材料。
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【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜上に第二のポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_１）よりも小さくかつ該第二のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_２）よりも大きな露光量（Ｄｏｓｅ_２）で、該第二のレジスト膜に対し選択的に露光し、現像して、該第二のレジスト膜からなる粗パターンを形成し、該第一のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_１）よりも大きな露光量（Ｄｏｓｅ_１）で、該第一のレジスト膜に対し、該粗パターンを介して露光し、現像して、該粗パターンを除去すると共に該第一のレジスト膜からなる密パターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成において、解像力に優れ、かつサーマルフロープロセスにおいてパターンの制御性に優れるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｂ）熱により分解し分子量が低下する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、を含有するポジ型感光性組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成において、解像力に優れ、かつサーマルフロープロセスにおいてパターンの制御性に優れるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、（Ｃ）熱により分解し、分子量が低下する樹脂、を含有するポジ型感光性組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｃ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
Ｒ¹−Ｏ−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ｃ）
（Ｒ¹はステロイド骨格を有する炭素数２０〜５０の炭化水素基を示す。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。 （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）、液浸露光、二重露光において、パターン形状、パターン倒れ性能が良好である、ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｃ）特定の、芳香環構造を有し、酸の作用により分解し、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、ラインエッジラフネスに優れ、且つ液浸液の水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定構造の、アルコキシ基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素および珪素を含有せず、特定構造の、２つ以上の−ＣＨ₃部分を有する炭化水素基を有する繰り返し単位を有する樹脂及び（Ｄ）溶剤
を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の被処理膜に所定の微細なパターンを効率よく形成する。
【解決手段】ウェハＷ上に被処理膜Ｆ、反射防止膜Ｂ、レジスト膜Ｒを下から順に形成する（図５（ａ））。レジスト膜Ｒと反射防止膜ＢにパターンＲ１、Ｂ１をそれぞれ形成する（図５（ｂ））。パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。パターンＢ１の側壁部を溶解して、反射防止膜ＢにパターンＢ２を形成する（図５（ｄ））。パターンＢ２を覆うように犠牲膜Ｇを形成する（図５（ｅ））。パターンＲ１、Ｂ２をそれぞれ除去する（図５（ｆ））。犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。犠牲膜Ｇを除去する（図５（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体を利用した微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】相互隣接した第１領域の間に第２領域が限定されるように、複数の第１領域が存在する基板で複数の第１領域を処理して第１パターンを形成し、第１領域及び第２領域上に第１成分及び第２成分を含むブロック共重合体を、ブロック共重合体の第１成分が第１領域上にアラインされるように配列させ、ブロック共重合体の第１成分及び第２成分のうち一つの成分を選択的に除去して、第１領域とそれに隣接した第２領域とのピッチよりさらに小さいピッチを有する第２パターンを形成する微細パターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料のベース樹脂用の単量体を提供する。
【解決手段】式（１）で示される含フッ素単量体。


（Ｒ¹はＨ、又はＣ１〜２０の１価炭化水素基を示し、１価炭化水素基の場合、構成する−ＣＨ₂−が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されていてもよい。Ｒ²はＨ、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴はＨ、又はＣ１〜８の１価炭化水素基を示す。又は、Ｒ³、Ｒ⁴は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ａは、Ｃ１〜６の２価炭化水素基を示す。）含フッ素単量体は、機能性材料、感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として有用である。単量体からの高分子化合物は高解像性、耐水性に優れ、レジスト材料のベース樹脂として精密な微細加工に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アミノ基および芳香族環を有する特定の化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる３層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、有機溶剤を含み、酸発生剤及び架橋剤を含有しないことを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化２６】
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【課題】ArF露光装置を用いて４０ナノメートル以下のラインアンドスペースパターンを形成する。
【解決手段】シリコン含有重合体を含む反射防止膜用組成物を利用して反射防止膜パターンを形成し、前記反射防止膜パターンの間にシリコン含有重合体を含むフォトレジスト組成物を利用してフォトレジストパターンを形成した後、これらパターンを食刻マスクにスピンオンカーボン層と下部被食刻層に対する食刻工程を行なうことにより、工程段階及び製造コストを低減することのできる二重パターニング方法を利用した半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】微小網点再現性と印刷適性の両立可能な直描型水なし平版印刷版原版を提供すること
【解決手段】基板上に、少なくとも断熱層、感熱層およびシリコーンゴム層をこの順に有する直描型水なし平版印刷版原版であって、該感熱層が少なくとも（Ａ）光熱変換物質、（Ｂ）金属含有有機化合物、（Ｃ）ノボラック樹脂および（Ｄ）ポリウレタン樹脂を含有し、かつ（Ｃ）ノボラック樹脂が重量平均分子量の異なる２種類のノボラック樹脂を含有し、ノボラック樹脂のＧＰＣ法による分子量分布が、一方は５百以上５千以下に、他方は１万以上５万以下に極大を有することを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜表面の撥水層を除去して、現像処理工程でのパターン寸法制御性を改善するパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板１００の表面にレジスト膜１０４を形成し、露光装置２を用いて、レジスト膜１０４と投影光学系２０３との間に液体を満たしつつ、液体２０５を介してレジスト膜１０４を露光し、露光後にレジスト膜１０４表層に形成された撥水層１０５を除去し、撥水層１０５を除去後に基板１００を加熱処理し、レジスト膜１０４を現像してレジストパターン１０７を形成することによって、レジストパターン１０７のパターン制御性を向上する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを用いて半導体の超微細パターンの形成に有用な有機反射防止膜を製造するのに使用できる新規重合体、吸光剤、およびこれを含む有機反射防止膜組成物、該有機反射防止膜組成物を用いた半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】有機反射防止膜組成物は、化学式１で示される有機反射防止膜用共重合体、吸光剤、熱酸発生剤、および硬化剤を含む。
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【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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