【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成でき、かつ、リソグラフィー特性も良好な液浸露光用ネガ型レジスト組成物、および該液浸露光用ネガ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】塩基解離性基を有する構成単位を有する含フッ素高分子化合物（Ｆ）と、前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）を除くアルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、架橋剤成分（Ｃ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ネガ型レジスト組成物、および、支持体上に、前記液浸露光用ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩基解離性基を有する構成単位を有する含フッ素高分子化合物（Ｆ）と、前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）を除くアルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、架橋剤成分（Ｃ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ネガ型レジスト組成物。
【請求項２】
前記塩基解離性基がフッ素原子を含むことを特徴とする請求項１記載の液浸露光用ネガ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）が、下記一般式（ｆ１−１）又は（ｆ１−２）で表される構成単位を有する高分子化合物である請求項２記載の液浸露光用ネガ型レジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、低級アルキル基、又はハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは酸解離性部位を有さない二価の有機基であり、Ａ_ａｒｙｌは置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、Ｘ_０１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^２はそれぞれ独立してフッ素原子を有する有機基である。］
【請求項４】
前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）が、さらに、アルカリ可溶性基を含む構成単位を有する高分子化合物である請求項１〜３のいずれか一項に記載の液浸露光用ネガ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記架橋剤成分（Ｃ）が、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、及びエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか一項に記載の液浸露光用ネガ型レジスト組成物。
【請求項６】
さらに、含窒素有機化合物（Ｄ）を含有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の液浸露光用ネガ型レジスト組成物。
【請求項７】
支持体上に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の液浸露光用ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２００９−２８８７７１（Ｐ２００９−２８８７７１Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３６２７（Ｐ２００９−２３６２７）
【出願日】平成２１年２月４日（２００９．２．４）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】