２倍の周波数のリソグラフィ・パターニングを達成する方法が記載されている。第１周期（p1）を有する光学パターン(１６)は、高い露光の区域（２４）、低い露光の区域（２６）及び中間の区域（２２）を残すよう基板(２０)上の従来の酸触媒型フォトレジスト(１８)を露光させるために用いられる。処理は、高い露光の区域（２４）を非常に極性のある状態すなわち親水性に、低い露光の区域（２６）を非常に無極の状態すなわち疎水性に、及び中間の区域を中間の極性を有する状態にして進行する。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのような中間の極性の現像液が、中間の区域（22）だけを溶解するために用いられ、その光学期間（p1）の半分のピッチ（p2）を有するようにパターニングされたフォトレジストを残す。あるいは、光学期間（p1）の半分である同じピッチ（p2）を有する中間の区域（22）のみを残すようフォトレジストを無極及び極地の区域から取り除く。
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本発明は光重合性組成物に関するものであり、この組成物は
（ａ）非水素化スチレンジエンブロックコポリマーおよび水素化分布制御スチレンジエンブロックコポリマーを含むブロックコポリマー成分、
（ｂ）１種または複数の光重合性エチレン系不飽和低分子量化合物、
（ｃ）１種または複数の重合開始剤、および場合により
（ｄ）全光重合性組成物を基準にして０から４０重量％の１種または複数の助剤
を含む。
本発明はまた、前記光重合性組成物から誘導されたフレキソ印刷版、および前記印刷版から作製したフレキソ印刷レリーフ形状をも含む。 （もっと読む）

【課題】 パターン精度に優れ、パターニング工程も繁雑とならない応力の少ない感光性ポリイミドパターンを形成する。
【解決手段】 金属導体３２上に感光性ポリイミドパターン３８を形成する方法であって、下記の（Ａ）〜（Ｅ）の工程をこの順に行う。
（Ａ）金属導体３２上にエステル結合型感光性ポリイミド前駆体組成物を塗布してエステル結合型感光性ポリイミド前駆体層３３を形成する工程、
（Ｂ）前駆体層３３の上に、イオン結合型感光性ポリイミド前駆体組成物を所望膜厚まで塗布してイオン結合型感光性ポリイミド前駆体層３４を形成する工程、
（Ｃ）マスク３５を介して露光し、マスクパターンを潜像３６として前駆体層３３及び３４に転写する工程、
（Ｄ）現像処理する工程、及び
（Ｅ）前記現像処理後の前駆体層３３及び３４をキュアして、ポリイミドパターン３８を形成する工程 （もっと読む）

本発明は、最初に、フォトレジストの電子バンドギャップより大きいエネルギーで露光されると相変化を示す無機フォトレジストを提供するフォトニック結晶の製造方法に関する。このフォトレジストを、エネルギーがフォトレジストの電子バンドギャップ未満であるが焦点における強度がそこで非線形作用を生ずる大きさのレーザービームで露光させることにより、このフォトレジスト内で相変化が生ずる。次いで、この露光されたフォトレジストを、好ましくはこのフォトレジストの１相を溶解させるエッチング溶液に曝し、最後にこれから現像されたフォトレジストをフォトニック結晶の形で取り出す。本発明にかかる方法により製造された無機フォトニック結晶は、完全光学装置、回路及び光学通信又はコンピュータシステムに好適である。
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本発明は、ターポリマーである化合物を提供し、これは、（ａ）フッ素原子少なくとも1つが共有結合したエチレン性不飽和線状又は分岐化合物少なくとも１種と、（ｂ）前記ターポリマーにおいて、環状又は多環式脱結晶化モノマーを形成する、フッ素原子少なくとも1つが共有結合した環状又は多環式化合物のエチレン性不飽和前駆体少なくとも１種と、（ｃ）前記ターポリマー中のモノマーとして、酸又は塩基に曝されると、溶解度を変えるエチレン性不飽和官能化合物少なくとも1種とのターポリマーである化合物である。そのような化合物の製法及びフォトリソグラフィでの使用法も記載する。 （もっと読む）

半導体材料をリワークする方法であって、（ｉ）シリコーン組成物を基板表面に塗布して膜を形成する段階と、（ｉｉ）前記膜の一部を放射線で照射し、前記表面の一部である非照射部と前記表面の残りの部分である照射部とを有する、部分的に照射された膜を作成する段階と、（ｉｉｉ）前記照射部が実質的に現像液に対して非可溶であり、前記非照射部が前記現像液に対して可溶であるような時間、前記部分的に照射された膜を加熱する段階と、（ｉＶ）前記加熱後の膜の非照射部を前記現像液で除去し、パターン形成された膜を作成する段階と（Ｖ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間前記パターン形成された膜を加熱する段階と、（Ｖｉ）有機溶媒及び塩基を含む無水エッチング液に浸漬して硬化シリコーン層の全部または一部を除去する段階と、を含む方法。 （もっと読む）