【課題】レジストパターンを形成するために、必要なエネルギーの照射量（必要露光量）を抑えつつも、所定の組成を有するレジスト層に対して高い解像度をもたらす。
【解決手段】α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して描画又は露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンを形成するために、所定の組成を有するレジスト層に対して高い解像度をもたらす。
【解決手段】基板１上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含みかつフッ素を含有しないレジスト層３を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターン形状の描画又は露光を行う工程と、非溶解部の溶解速度が１時間あたり約０．５Å未満であるフルオロカーボンを含む現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する現像工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥の少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（Ａ）レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（Ｂ）前記膜を露光することと、（Ｃ）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでいる。上記レジスト組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、下記成分（Ｓ１）及び成分（Ｓ２）の少なくとも一方を含んだ溶剤とを含有している。
（Ｓ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート；
（Ｓ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも１つ。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥性能、液浸欠陥性能、及び限界解像力に優れ、且つ良好な形状を有したパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた第１繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、疎水性樹脂とを含有している。 （もっと読む）

【課題】経時安定性、現像欠陥性能、及びラフネス特性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、溶剤とを含有し、カールフィッシャー法により測定された水分含有率が１．０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥性能に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）により表される酸を発生する化合物とを含有したレジスト組成物。
【化１】
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【課題】露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れ、線幅バラツキ（ＬＷＲ）及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】 （ア）（Ａ）実質的にアルカリ不溶性であるとともに、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、並びに、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、（Ａ）樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、及び、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式（Ｉ）中、Ａは、環状の有機基を表す。その他の各符号は所定の構造を表す。
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【課題】線幅バラツキに優れたパターンを形成できるとともに、露光ラチテュード及び、感度に優れたパターン形成方法及びこれに用いる化学増幅レジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物、（Ｃ）架橋剤、及び、（Ｄ）溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の膜を露光し、有機溶剤を含む現像液を用いて現像するパターン形成方法。


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感光性印刷ブランクからレリーフ像印刷要素を作製する方法を提供する。少なくとも１つの光硬化性層上に配置されたレーザアブレーション可能な層を有する感光性印刷ブランクをレーザアブレーションして、その場マスクを作製する。次いで、その場マスクを通して少なくとも１つの化学線源に前記印刷ブランクを曝露して、光硬化性層の一部を選択的に架橋し、硬化させる。曝露工程中の少なくとも１つの光硬化性層への空気の拡散を制限し、曝露工程中に、少なくとも１つの化学線源の照明の種類、出力、及び入射角のうちの少なくとも１つを変化させることが好ましい。得られたレリーフ像は、複数のドットを含み、段ボールに印刷するために印刷フルーティングに対する耐性の高いドット形状の複数のドットが生成される。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ラインエッジラフネスを低減し、パターン寸法の面内均一性を高め、更にはブリッジマージンに優れたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）溶剤を含有し、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物から発生する酸のｌｏｇＰ値が、１．５以上１２．０以下であるネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】支持フィルム及び保護フィルムで挟まれた構造を有する光硬化性ドライフィルムの光硬化性樹脂層の形成に用いられる光硬化性樹脂組成物が、（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する光硬化性ドライフィルム。（Ａ）特定のビスフェノール構造および／またはエピクロルヒドリンと特定のビスフェノールを反応した構造を繰り返し単位として有するシリコーン骨格含有高分子化合物、（Ｂ）ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物から選ばれる架橋剤、（Ｃ）波長１９０〜５００ｎｍの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、（Ｄ）溶剤
【効果】凹凸のある基板上で、幅広い膜厚の上記光硬化性樹脂層に対して、幅広い波長領域において微細なパターンの形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】感度及び解像力が高く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、露光ラチチュード（ＥＬ）及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）２個以上の水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、及び（Ｄ）溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であり、
前記レジスト組成物が、
（Ａ）樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）溶剤、及び、
（Ｇ）フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物
を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であり、
前記レジスト組成物が、
（Ａ）酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｄ）溶剤、及び、
（Ｇ）フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物
を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、（Ａ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】 フォーカス余裕度（ＤＯＦ）及びラフネス特性に優れ且つブリッジ欠陥及び欠けの少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法並びに感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 本発明に係るパターン形成方法は、（Ａ）感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（Ｂ）前記膜を露光することと、（Ｃ）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記組成物は、（ａ）酸の作用により前記現像液に対する溶解度が減少する樹脂であって、酸素原子を含んだ基がエステル結合及び芳香環基の何れも含んでいない２価の連結基又は単結合を介して主鎖と結合している繰り返し単位を備え、前記樹脂に占める前記繰り返し単位の含有率は、前記樹脂中の全繰り返し単位に対して２０ｍｏｌ％乃至１００ｍｏｌ％の範囲内である樹脂と、（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（ｄ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

画像形成された平版印刷版の製造方法及び装置であって、単一工程処理及び版の少なくとも印刷面から乾燥することを含み、乾燥工程が、処理された版を圧搾した直後に行われる方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】
フォトリソグラフィー法により精細な接着剤パターンを形成し、各種部材に対する接着性、硬度や耐熱性、耐薬品性等の特性に優れる接着剤パターンの硬化物を形成できる組成物の硬化物を介して部材同士が接合された積層構造物の製造方法を提供する。
【解決手段】
１分子中に複数のオキセタニル基を有する多官能オキセタン化合物と常温で固体のグリシジル型エポキシ化合物と光酸発生剤と有機溶剤とを含む接着剤を被接着部材表面に塗布する工程と、
被接着部材表面に塗布された前記接着剤を活性エネルギー線によりパターン露光する工程と、
パターン露光した接着剤の未露光部を現像にて除去することによって接着剤パターンを形成する工程と、
接合すべき接着部材を前記接着剤パターンに圧着させる工程と、
前記接着剤パターンを熱硬化させる工程とを含むことを特徴とする積層構造物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】モールド作成に好適なネガ型化学増幅レジスト組成物、特にネガ型電子線用化学増幅レジスト組成物、及びこれを用いたモールドの作成方法。
【解決手段】（Ａ）樹脂、（Ｂ）酸の作用により樹脂（Ａ）を架橋する架橋剤及び（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、モールド作成に用いられることを特徴とする、ネガ型化学増幅レジスト組成物、及びこれを用いたモールドの作成方法。 （もっと読む）