【課題】ブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できる有機溶剤系現像液を用いたパターン形成方法及び該方法で用いられるリンス液を提供すること。
【解決方法】（ア）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、及び（エ）有機溶剤を含み、かつ比重が前記現像液より大きいリンス液を用いてリンスを行う工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ前寸法等の解像力、ＤＯＦに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造することができるブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】基板１上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層２を形成する工程（１）と、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層３を前記下地剤２からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層３を相分離する工程（２）と、前記ブロックコポリマーを含む層３のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相３ａを選択的に除去する工程（３）と、を有することを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、かつ、ヤング率及び耐熱性が高いパターン膜（以上、例えば、半導体素子デバイス等における層間絶縁膜に適した性能）を、高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、及び、パターン膜を提供する。更に、該感光性組成物を用いて製造される反射防止膜及び絶縁膜、並びに、これらを用いた光学デバイス及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）重合性基とかご状シルセスキオキサン構造を有する重合体と、（Ｂ）ＳｉＨ結合を有する化合物と、（Ｃ）光重合開始剤とを含有する感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、反射防止膜、絶縁膜、光学デバイス及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体２２上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２０を形成する工程（１）と、前記ポジ型レジストパターン２０が形成された前記支持体２２上に、露光により有機溶剤に対する溶解性が減少するネガ型現像用レジスト組成物を塗布してネガ型現像用レジスト膜２１を形成する工程（２）と、前記ネガ型現像用レジスト膜２１を露光し、前記有機溶剤を含有するネガ型現像液により現像して、前記ポジ型レジストパターン２０を除去するレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐湿熱性に優れ、硬化物が高温で高い弾性率を有し、中空構造保持性にも優れる感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた感光性フィルム、リブパターンの形成方法、中空構造の形成方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】中空構造を有する電子部品において前記中空構造を形成するリブ材または蓋材として用いられる感光性樹脂組成物が、（Ａ）熱架橋性化合物と（Ｂ）少なくとも1つのエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物と（Ｃ）光重合開始剤とを含有し、かつ前記（Ａ）熱架橋性化合物の含有量が、前記（Ａ）縮合反応性の熱架橋性化合物と前記（Ｂ）少なくとも1つのエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物の合計量を１００質量部としたときに、１０〜４０質量部である感光性樹脂組成物感光性樹脂組成物及び該感光性樹脂組成物から得られる感光性フィルムを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の小さいパターンを形成可能とするパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（ａ）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（ｂ）前記膜を露光することと、（ｃ）第１有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、粒径が0.3μm以上のパーティクルの密度が30個/ｍＬ以下である。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位と、ラクトン環を有する繰り返し単位の両方を含有する（メタ）アクリレート共重合体と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、３−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸２−フェニルエチルから選ばれる溶剤１種以上を４０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【課題】異物付着欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及びこのパターン形成方法に用いられる現像液を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び、（ウ）露光した膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、前記現像液中のアルコール化合物（Ｘ）の含有率が、現像液の全質量に対し０以上５００ｐｐｍ未満であることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥の少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法、及び、この方法に用いられる有機系処理液を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（ａ）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（ｂ）前記膜を露光することと、（ｃ）有機系処理液を用いて前記露光された膜を処理することとを含んでいる。前記処理液は、標準沸点が１７５℃以上である有機溶剤を含有し、前記処理液に占める前記溶剤の含有率は３０質量％未満である。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の２回の現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による２回の現像によって１本のラインを２本に分割し、マスクパターンの２倍の解像力を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位ａと、ラクトン環を有する繰り返し単位ｂを含有する（メタ）アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として２−ヘプタノンを５０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。


（式中、Ｒ2は酸不安定基である。）
【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がケイ素原子を含有する、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】塗布面状が良好で、屈折率が低く、高温条件下においても屈折率変化が小さいパターン膜（以上、例えば、光学デバイスにおける反射防止膜に適した性能）であって、誘電率が低く、かつ、ヤング率が高いパターン膜（以上、例えば、半導体素子デバイス等における層間絶縁膜に適した性能）を、高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、及び、パターン膜を提供する。更に、該感光性組成物を用いて製造される反射防止膜及び絶縁膜、並びに、これらを用いた光学デバイス及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表される１種又は２種以上のかご状シルセスキオキサン化合物から構成されるシルセスキオキサン類より得られる重合体と（Ｂ）光重合開始剤とを含有する感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン膜、反射防止膜、絶縁膜、光学デバイス及び電子デバイス。
（ＲＳｉＯ_１．５）_ａ 式（１）
（式（１）中、Ｒは、それぞれ独立に、有機基を表し、Ｒのうちの少なくとも２つは、重合性基を表す。ａは８〜１６の整数を表す。複数のＲは同一であっても異なっていてもよい。）
ただし、前記重合体には前記かご状シルセスキオキサン化合物由来の重合性基が残存している。 （もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がフッ素原子を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程数が少なく、高精度かつ高アライメント精度で微細パターンを形成できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）基板の上に、感光性樹脂からなる第一の樹脂層を形成する工程と、（２）前記第一の樹脂層の上に、第２級または第３級アルキニルアルコールと光酸発生剤とベース樹脂とを含有する第二の樹脂層を形成する工程と、（３）前記第二の樹脂層をパターン露光する工程と、（４）前記第二の樹脂層において前記パターン露光した部分をマスクとして、第一の樹脂層を露光する工程と、（５）前記第二の樹脂層及び第一の樹脂層を除去する工程と、を有する微細パターンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れ、線幅バラツキ（ＬＷＲ）及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物と、（Ｃ）架橋剤と、（Ｄ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、並びに、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成における液浸露光プロセスに好適で、かつ有機溶剤による現像にも適している感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】有機溶剤（Ｘ）で現像を行うレジストパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物であって、重合体（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）とを含有し、上記重合体（Ａ）は、側鎖にラクトン構造もしくはカーボネート構造を有する特定のアクリル系繰り返し単位を含むことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】感度、露光ラチチュード、マスクエラーエンハンスメントファクター、パターン形状に優れ、線幅バラツキを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸を発生する少なくとも１種の化合物と（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。
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【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 （もっと読む）