感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
【課題】ブリッジ前寸法等の解像力、ＤＯＦに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【解決手段】酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】
酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる前記樹脂が、酸の作用により分解して、下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される部分構造を生じる繰り返し単位（ａ）を有する樹脂である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中、
Ｘ１及びＸ２は各々独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｑ１及びＱ２は各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
＊は樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される部分構造を生じる繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される部分構造を有する繰り返し単位である、請求項２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化２】
上記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）中、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ２１及びＸ２２は各々独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ２１は各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｑ１１、Ｑ１２及びＱ２１は各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
Ｙは１価の酸脱離性基を表す。
Ｚ１及びＺ２は各々独立にアルキレン基を表す。
＊は樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。
【請求項４】
前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される部分構造を有する繰り返し単位が、下記一般式（ＶＩ）、（ＶＩＩ）又は（ＶＩＩＩ）で表される構造を有する繰り返し単位である、請求項３に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化３】
上記一般式（ＶＩ）、（ＶＩＩ）又は（ＶＩＩＩ）中、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ２１及びＸ２２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｑ１１、Ｑ１２及びＱ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｙは前記一般式（ＩＩＩ）におけるものと同義である。
Ｚ１及びＺ２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｒｄ１、Ｒｄ２及びＲｄ３は各々独立に水素原子又はメチル基を表す。
【請求項５】
前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される部分構造を有する繰り返し単位が、下記一般式（ＩＸ）、（Ｘ）又は（ＸＩ）で表される構造を有する繰り返し単位である、請求項３に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化４】
上記一般式（ＩＸ）、（Ｘ）又は（ＸＩ）中、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ２１及びＸ２２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｑ１１、Ｑ１２及びＱ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｙは前記一般式（ＩＩＩ）におけるものと同義である。
Ｚ１及びＺ２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｗ１、Ｗ２及びＷ３は各々独立にメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｐ１、ｐ２及びｐ３は、各々独立に０以上の整数を表す。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項７】
（イ）請求項６に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
（ウ）前記露光された膜を現像する工程
を含むパターン形成方法。
【請求項８】
前記工程（ウ）における現像が有機溶剤を含む現像液による現像であり、ネガ型のパターン形成方法である、請求項７に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記現像する工程（ウ）後に有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を更に有する、請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記工程（イ）における露光が液浸露光である、請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１】
酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】
酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる前記樹脂が、酸の作用により分解して、下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される部分構造を生じる繰り返し単位（ａ）を有する樹脂である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中、
Ｘ１及びＸ２は各々独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｑ１及びＱ２は各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
＊は樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される部分構造を生じる繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される部分構造を有する繰り返し単位である、請求項２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化２】
上記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）中、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ２１及びＸ２２は各々独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ２１は各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｑ１１、Ｑ１２及びＱ２１は各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
Ｙは１価の酸脱離性基を表す。
Ｚ１及びＺ２は各々独立にアルキレン基を表す。
＊は樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。
【請求項４】
前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される部分構造を有する繰り返し単位が、下記一般式（ＶＩ）、（ＶＩＩ）又は（ＶＩＩＩ）で表される構造を有する繰り返し単位である、請求項３に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化３】
上記一般式（ＶＩ）、（ＶＩＩ）又は（ＶＩＩＩ）中、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ２１及びＸ２２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｑ１１、Ｑ１２及びＱ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｙは前記一般式（ＩＩＩ）におけるものと同義である。
Ｚ１及びＺ２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｒｄ１、Ｒｄ２及びＲｄ３は各々独立に水素原子又はメチル基を表す。
【請求項５】
前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される部分構造を有する繰り返し単位が、下記一般式（ＩＸ）、（Ｘ）又は（ＸＩ）で表される構造を有する繰り返し単位である、請求項３に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化４】
上記一般式（ＩＸ）、（Ｘ）又は（ＸＩ）中、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ２１及びＸ２２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｑ１１、Ｑ１２及びＱ２１は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｙは前記一般式（ＩＩＩ）におけるものと同義である。
Ｚ１及びＺ２は前記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）におけるものと同義である。
Ｗ１、Ｗ２及びＷ３は各々独立にメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｐ１、ｐ２及びｐ３は、各々独立に０以上の整数を表す。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項７】
（イ）請求項６に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
（ウ）前記露光された膜を現像する工程
を含むパターン形成方法。
【請求項８】
前記工程（ウ）における現像が有機溶剤を含む現像液による現像であり、ネガ型のパターン形成方法である、請求項７に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記現像する工程（ウ）後に有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を更に有する、請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記工程（イ）における露光が液浸露光である、請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【公開番号】特開２０１２−６８５４３（Ｐ２０１２−６８５４３Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１４５６３（Ｐ２０１０−２１４５６３）
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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