【課題】ネガティブトーン（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｔｏｎｅ）現像プロセスを用いて微細パターンの形成に有用なフォトレジスト組成物およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）の単位を含む第１のポリマー；


下記一般式（ＩＶ）および（Ｖ）の単位を含む第２のポリマー；


並びに光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル３０と、ウエハＷの表面全域に現像停止及び乾燥用のＮ２ガスを吐出するガスノズル４０と、を具備する。現像ノズル３０からウエハＷの表面全域に現像液を吐出してウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル４０からウエハＷの表面全域にＮ２ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハＷの乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】ポジ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて安定に形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、及び該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたポジ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、（Ａ）成分として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する樹脂成分を用い、現像液として極性有機溶剤を含み、実質的にアルカリ成分を含まない現像液を用いる。 （もっと読む）

【課題】凸版印刷版構成体から凸版印刷版を製版する凸版印刷版の製造方法であって、簡便な手法で、印刷再現性及び版面再現性の高い印刷レリーフを有する凸版印刷版を製造する方法を提供すること。
【解決手段】（１）紫外線露光製版が可能な樹脂層３にネガ型マスク５を形成する工程、（２）前記ネガ型マスクを有する構成体に酸素遮断性層６を形成する工程、（３）前記樹脂層に前記酸素遮断性層側から紫外線露光する工程、及び、（４）前記樹脂層を現像して印刷レリーフを形成する工程を含む、凸版印刷版の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程かつ低コストで、感光性樹脂層の組成を変更することなく、すなわち感光性樹脂層の本来の性質を損なうことなく、感光性樹脂層との接着性を向上しうるポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】本発明のポリエステルフィルムは、モノビニル置換芳香族炭化水素と共役ジエンを含む熱可塑性エラストマー、ガラス転移温度が３５〜１５０℃の相溶化剤、及びガラス転移温度が３５〜１５０℃かつカルボキシル基含有量が１０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇのポリエステル樹脂を含む接着層がポリエステル基材上に積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、メチルイソブチルケトンからなる溶媒Ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、化学増幅型レジスト組成物により膜厚が２００ｎｍ以上の膜を形成し、該膜を露光、現像するパターン形成方法において、膜の抜け性を向上させ、現像後に発生する基板上での残渣を低減すると共に、残渣欠陥の低減及び解像度にも優れたネガ型パターン形成方法、及び該ネガ型パターン形成方法により形成されるレジストパターンを提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物により膜厚が２００ｎｍ以上の膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液で現像する工程、を含むネガ型パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ラフネス特性、フォーカス余裕度、ブリッジ欠陥性能、及び、感度の露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた第１繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する第１化合物と、溶剤と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含み、塩基性を有するか又は酸の作用により塩基性が増大する第２化合物とを含有している。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、パターンの線幅均一性及び感度の現像時間依存性のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）樹脂中の全繰り返し単位に対して、アルコール性水酸基を有する繰り返し単位を３５モル％以上含有し、かつ酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含み、形成されるパターンがネガ型である、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ブロックコポリマーの自己組織化を利用し、低コストで周期パターンと非周期パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のパターン形成方法では、被加工膜上でブロックコポリマーを自己組織化させて第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを形成する。また、第１の条件で露光と現像を行い第１の領域に存在するブロックコポリマー全体を除去し、第１の領域以外の領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、第２の条件で露光と現像を行い第２の領域に存在する第１のブロック相を選択的に除去し、第１の領域以外の領域と第２の領域以外の領域との重なり領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、重なり領域を除く第２の領域に第２のブロック相のパターンを残存させ、残存したパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】親水処理の為の専用装置無しにフォトリソグラフィーにより容易に親水被膜を形成する方法及びそれより得られる親水被膜を提供すること。
【解決手段】１）主鎖に酸により分解可能な結合を含むカチオン重合性樹脂と紫外線を含む活性エネルギー線を照射することによりアンチモン酸又はアンチモン酸よりも酸強度が弱い酸を発生する光酸発生剤とを含む被覆樹脂層を基材上に形成する工程と２）該エネルギー線を照射することによりアンチモン酸よりも酸強度が強い酸を発生する光酸発生剤とこの光酸発生剤を保持し工程３で除去可能な保持体とを含む光酸発生剤保持層を該樹脂層に積層する工程と３）該保持層及び該樹脂層に該エネルギー線を露光し現像して該保持層を除去し該樹脂層を硬化させる工程と４）この樹脂層を熱処理することで表面を親水化して親水被膜を形成する工程とを含む親水被膜の形成方法及び親水被膜。 （もっと読む）

【課題】多成分溶媒溶液の再平衡方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光重合性層を有する感光性印刷要素を処理するために有用である溶媒溶液を再平衡させるための方法に関する。溶媒溶液は、洗い流し処理中に感光性印刷要素から剥離される未重合材料およびその他の材料で汚染された状態となり、汚染物質の分離は、使用済み溶媒溶液中の１つ以上の成分の一部も同様に除去する。この方法は、３つ以上の成分を有する溶媒溶液中の成分の割合を再平衡させる。この方法は、汚染物質から分離された再生物を２つ以上の特性について測定するステップと、測定された各々の特性について生成された方程式に基づいて、再生物に添加すべき成分の質量を計算するステップと、再生物に対してこの質量の１つまたは複数の成分を添加して再生物中の成分割合を目標の割合に調整するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＤＵ（Critical Dimension Uniformity）性能と欠陥性能とを高い水準で両立させることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（ａ）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（ｂ）前記膜を露光することと、（ｃ）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、エステルと炭素数が７以上のケトンとを含有している。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性、優れたラフネス性能、及び、優れたドライエッチング耐性を同時に満足するとともに、更には、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸分解性基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むネガ型パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】種々のレジストパターンの形成に対応でき、焦点深度、パターン形状、解像性、ＣＤＵ及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）［Ａ］ポリシロキサンを含有するレジスト下層膜形成用組成物を基板上に塗布し、レジスト下層膜を形成する工程、（２）［ａ１］酸の作用により極性が変化して有機溶媒に対する溶解度が減少する重合体を含有する感放射線性樹脂組成物を上記レジスト下層膜上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、（３）上記レジスト膜を露光する工程、及び（４）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有する現像液を用いて現像する工程を有するレジストパターン形成方法である。上記レジスト下層膜形成用組成物は、［Ｂ］窒素含有化合物をさらに含有することができる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、および該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記（Ａ）として、酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を用いる。 （もっと読む）

【課題】熱リソグラフィによってネガ型のパターンを形成する。
【解決手段】基板上に、オキソノール系色素からなるレジスト層を形成し、形成されたレジスト層上に走査速度１ｍ／ｓ以上３０ｍ／ｓ以下でレーザー光を走査し、レーザー光が走査されたレジスト層を、アルコールを主成分とする現像液で現像する。 （もっと読む）

【課題】数百ｎｍオーダー以下のリング状のパターンを形成する。
【解決手段】基板１０上に、オキソノール系色素からなり、波長５８０ｎｍの光に対するＯＤ値が１．０以上１．６以下であるレジスト層３０を形成し、形成されたレジスト層３０上に走査速度３ｍ／ｓ以上１０ｍ／ｓ以下でレーザー光を走査し、レーザー光が走査されたレジスト層を、アルコールを主成分とする現像液で現像する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）第三級アルコールとを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）レジスト組成物の固形分を基準として３質量％以上の、酸の作用により分解して揮発性が向上する化合物とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法。 （もっと読む）