【課題】従来の火炎加水分解法や、新たなスート押圧法、ゾル・ゲル法などの方法で作製することが困難な、ドープされたシリカ・チタニアガラスを使用した、ＥＵＶＬの投影光学系の大型部品を提供する。
【解決手段】５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下である材料から成る素子ブランク１０が、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成る、インサート１４を備える。シリカ・チタニアガラスに加えられたドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、また素子ブランク１０の材料は、ガラスとガラスセラミックとから成る群から選択される。このインサート１４は、フリットを用いて、またはフリットを用いることなく、ブランク１０に融合接合される。 （もっと読む）

【課題】温度の影響による変形を低減する、ＥＵＶリソグラフィ用の光学機構、特に投影レンズと、光学素子を有する該光学機構を構成する方法とを提供する。
【解決手段】反射面３１ａ及び第１ゼロ交差温度Ｔ_ＺＣ１でゼロ交差を有する温度依存性の熱膨張率を有するＴｉＯ_２ドープ石英ガラスから構成された基板３２を備える第２ミラー２２と、反射面及び第１ゼロ交差温度とは異なる第２ゼロ交差温度でゼロ交差を有する温度依存性の熱膨張率を有するＴｉＯ_２ドープ石英ガラスから構成された第２基板を備える第２光学素子とを備え、第１ゼロ交差温度における第１基板３２の熱膨張率の勾配（ΔＣＴＥ_１>）及び／又は第２ゼロ交差温度における第２基板の熱膨張率の勾配（ΔＣＴＥ_２）は負の符号を有する光学機構に関する。 （もっと読む）

【課題】波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相欠陥２１１が生じている開口パターン２０４の近傍の吸収層２０３に、開口パターン２０４よりも微細な開口径を有する補助パターン３０１を形成する。この補助パターン３０１は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン２０４を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。 （もっと読む）

【課題】取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制することができるＥＵＶマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の裏面側を保持する基板保持部２０と、ガラス基板１０の側面全周、基板保持部２０の側面全周のうち、基板保持部２０の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、ガラス基板１０の成膜面の外縁部を覆うことができ、搬出入用の開口部を有し、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を上下方向に移動可能である遮蔽部３０と、ガラス基板１０または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有し、搬出入用の開口部、ガラス基板１０および搬出入用のアームが所定の条件を満たすスパッタリング装置を用いて、ガラス基板上に反射層および吸収層を成膜するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光を放射するプラズマを生成するための理想的な面状放電を発生させることが可能なプラズマ光源を提供する。
【解決手段】プラズマ光源であって、互いに対向配置され、極端紫外光を放射するプラズマを発生すると共に前記プラズマを閉じ込める一対の同軸状電極１０と、各同軸状電極１０に対して極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置３０とを備え、各同軸状電極１０は、単一の軸線Ｚ−Ｚ上に延びる棒状の中心電極１２と、中心電極１２の中心軸Ｚに対して軸対称な面上に設けられた複数の外部電極１４と、中心電極１２及び各外部電極１４の間を絶縁する絶縁体１６とを有し、中心電極１２と各外部電極１４との間隔Ｇは、相手の同軸状電極１０に面する側からその反対側に向かうに連れて増加している。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光を放射するプラズマを生成するための理想的な面状放電を発生させることが可能なプラズマ光源を提供する。
【解決手段】プラズマ光源であって、互いに対向配置され、極端紫外光を放射するプラズマを発生すると共に前記プラズマを閉じ込める一対の同軸状電極１０と、各同軸状電極１０に対して極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置３０とを備え、各同軸状電極１０は、単一の軸線Ｚ−Ｚ上に延びる棒状の中心電極１２と、中心電極１２と一定の間隔を隔て、且つ中心電極１２の周方向に配置された複数の外部電極１４と、中心電極１２及び複数の外部電極１４を絶縁する絶縁体１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光に不要な波長を吸収する材料を含有する基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハで多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域からＥＵＶ及びアウトオブバンドの反射を除去した反射型マスクを提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜の上に形成され、多層反射膜を保護する保護膜と、保護膜の上に形成され、露光光を吸収する光吸収膜と、基板の、多層反射膜が形成された面の反対面上に形成された導電膜とを備えるマスクブランクであって、導電膜は、微細構造パターンにより露光光の反射を抑制するモスアイ構造体を有する。 （もっと読む）

【課題】 極紫外スペクトル範囲（ＥＵＶ）内の波長に向けて構成された反射投影レンズを用いてマスクを層上に結像するためのマイクロリソグラフィ投影露光装置を提供する。
【解決手段】 マイクロリソグラフィ投影露光装置は、投影光源（ＰＬＳ）と、加熱光源（ＨＬＳ）と、反射投影レンズ（２６）と、好ましくは投影レンズ（２６）の外側に配置され、ドライバ（１２４）を用いて第１の位置と第２の位置との間で変位させることができる反射スイッチング要素（１２２；２２２；３２２；４２２；１４；１４，１４０）とを含む。この場合、スイッチング要素の第１の位置では、投影光（ＰＬ）のみが投影レンズ（２６）に入射することができ、スイッチング要素の第２の位置では、加熱光（ＨＬ）のみがこの投影レンズに入射することができる。 （もっと読む）

【課題】２つの同軸状電極内に発生した面状放電を同軸状電極間の管状放電に繋ぎ変える電流路の繋ぎ変えの安定性を高め、プラズマ光源の出力、安定性、信頼性を高めることができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】２つの同軸状電極a内の中心電極ｂとガイド電極ｃとの間に発生した面状放電２を同軸状電極間の管状放電４に繋ぎ変える「繋ぎ変え時点」が、同軸状電極aに対する放電電圧による放電電流のピーク時点より前に設定されている。 （もっと読む）

【課題】放射が調整される少なくとも３つの光路を備える放射ビーム調整システムを提供する。
【解決手段】パルス放射ビームを調整する放射ビーム調整システムは、少なくとも第１、第２及び第３の光路に沿ってパルス放射ビームを分割する放射ビーム分割器と、単一の出力パルス放射ビームを形成するために、少なくとも第１、第２及び第３の光路からの放射パルスを再結合する放射ビームコンバイナと、第１の光路に沿って伝搬する放射パルスに合わせて構成された放射パルストリマと、を備え、放射パルストリマが、単一の出力パルス放射ビームの総エネルギー量が実質的に所定のレベルになるように、第１の光路内で前記放射パルスをトリミング処理し、第１、第２及び第３の光路の光路長は、放射ビーム分割器と放射ビームコンバイナとで異なっている。 （もっと読む）

【課題】多孔体金属の表面において発光物質の浸み出しが均一化されたプラズマ光源の製造方法を提供する。
【解決手段】１対の同軸状電極１０間に管状放電を形成してプラズマを軸方向に封じ込めるプラズマ光源の製造方法であって、各同軸状電極１０は、棒状の中心電極１２と、中心電極１２を間隔を隔てて囲む管状のガイド電極１４と、中心電極１２とガイド電極１４の間に位置しその間を絶縁するリング状の絶縁体１６とからなり、絶縁体１６は、内側と外側の絶縁性緻密部分１６ａと、その間に挟持された導電性多孔部分１６ｂとからなり、導電性多孔部分は、導電性金属の微粒子を焼結して多孔体に成形し、多孔体の形状を機械加工し、多孔体におけるプラズマと対向する面及び反対面について、電解エッチングすることによって製造される。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１上にレジストパターンとなるレジスト膜２を形成する。レジスト膜２に第１の光６を照射してレジスト膜２に対してパターン露光を行う。前記レジストパターンを形成するために、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に対して現像を行う。前記現像を行う時における欠陥の発生を抑制するために、前記パターン露光を行った後、かつ、前記現像を行う前に、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に第２の光１０を照射してレジスト膜２の表面に対して改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】互いに多層膜の周期長の異なる複数のマスクブランクに対しても、検出感度の高い検査を実現する。
【解決手段】マスクブランクＭＢに関する情報に基づいてマスクブランクＭＢの表面に照射するＥＵＶ光ＢＭの入射角度を調整し、照明光学系を介して取り込まれたＥＵＶ光ＢＭをマスクブランクＭＢの被検査領域に照射する。ＥＵＶ光ＢＭの入射角度は、ミラー姿勢制御手段２３を用いて多層膜ミラーＰＭ１,ＰＭ２の位置および角度を制御することにより調整する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット供給装置の絶縁破壊を抑制する。
【解決手段】このターゲット供給装置は、ターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたノズル部と、ターゲット物質が通過するための貫通孔が設けられ、ノズル部を覆うように設けられるカバーと、カバーによって画定される空間を排気するための排気機構と、を備えてもよい。ターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたノズル部と、ノズル部に対向して配置された電極と、ターゲット物質と電極との間に電圧を印加するための電圧生成器と、少なくともノズル部と電極との間の空間を排気するための排気機構と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来の不利点の一つまたは複数を解決するセンサを有する基板テーブルを提供する。
【解決手段】センサを有する基板テーブルであって、該センサは、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックを含む。該物質層は、放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する。センサは、ウィンドウに位置する波長変換物質と、波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路を含む。該導波路は、物質のブロック中に埋め込まれるとともに、波長変換物質から放出された放射を物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成される。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】アパーチャを通り抜ける調節された放射ビームの均一性を維持するための新しい技術を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射源装置からＥＵＶ放射ビームを受け、かつビームを調節してレチクルなどのパターニングデバイスのターゲット領域を照明するためのイルミネータを含む。レチクルは、パターン付き放射ビームを形成する。投影システムは、ＥＵＶリソグラフィによってパターンをパターニングデバイスから基板に転写する。センサは、ビームが特に非スキャン方向でレチクルに近づくにつれて調整されたビームにおける残留非対称性を検出するために設けられている。フィードバック制御信号は、検出された非対称性に応じて放射源のパラメータを調整するように生成される。フィードバックは、照明スリットの両端における２つのセンサによって測定された強度比率に基づいており、ＥＵＶ放出プラズマを生成するレーザパルスのタイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光生成装置のＣＥを向上させる。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、レーザ光生成システムと、前記レーザ光生成システムから出力される少なくとも１つのレーザ光の光強度および出力タイミングの少なくともいずれか一方を制御するレーザ制御システムと、前記レーザ光生成システムから出力される前記少なくとも１つのレーザ光を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、を備えてもよい。 （もっと読む）