３成分ドープのシリカ・チタニアの重要部分を有している、２成分系シリカ・チタニアガラス製品
【課題】従来の火炎加水分解法や、新たなスート押圧法、ゾル・ゲル法などの方法で作製することが困難な、ドープされたシリカ・チタニアガラスを使用した、ＥＵＶＬの投影光学系の大型部品を提供する。
【解決手段】５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下である材料から成る素子ブランク１０が、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成る、インサート１４を備える。シリカ・チタニアガラスに加えられたドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、また素子ブランク１０の材料は、ガラスとガラスセラミックとから成る群から選択される。このインサート１４は、フリットを用いて、またはフリットを用いることなく、ブランク１０に融合接合される。
【解決手段】５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下である材料から成る素子ブランク１０が、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成る、インサート１４を備える。シリカ・チタニアガラスに加えられたドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、また素子ブランク１０の材料は、ガラスとガラスセラミックとから成る群から選択される。このインサート１４は、フリットを用いて、またはフリットを用いることなく、ブランク１０に融合接合される。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）は、２２ｎｍ以下のノードの、例えば、１３〜１５ｎｍ波長の極端紫外線放射をマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、フラッシュメモリ、およびダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）製品のような集積回路（ＩＣ）に対して使用しているシステムにとって、先導的なリソグラフィ技術である。シリカ・チタニアガラス、例えば、ＵＬＥ（登録商標）ガラス（コーニング社（Corning Incorporated）ニューヨーク州コーニング）を、ＥＵＶＬシステムの構成要素、例えば、ミラーまたは部分反射投影光学系のために利用する利点は、要求される仕上がりまたは表面粗さに合わせた、ガラスの研磨可能性や、ガラスのＣＴＥ（熱膨張係数）制御、およびガラスの寸法安定性および放射安定性である。これらの性質はＥＵＶＬシステムの機能にとって極めて重要なものである。現在もＥＵＶＬステッパはＵＬＥガラスを使用しているが、このガラスに対する仕様は、放射源の出力が現在の５Ｗから要求される１００Ｗへと増加するにつれて絶えず厳しくなっている。このガラスに要求される性質を改善させるという点では前進がなされたが、Ｔｚｃ（ゼロクロスオーバー温度）に対する許容値、ＣＴＥ対温度の傾き、およびＴｚｃの空間的均一性など、特定のパラメータに対してさらなる改善が必要である。ＵＬＥガラスの熱的特性における上記改善を達成し得ることが判明した手段の１つは、ガラスに適切なドーパントをドープするというものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
さらに、ドープされたシリカ・チタニアガラスを従来の火炎加水分解やＯＶＤ法で作製することは困難であろうことも判明した。また、こういった大型のＥＵＶＬの投影光学系の部品を、ドープガラスを用いて、スート押圧法やゾル・ゲル法などの新たな方法で作製することも同様に困難であろう。ＥＵＶＬの投影光学系の大型ミラーブランクの重要部分は、より小さくかつより薄い（３ｃｍ未満）ものであり、放射の大部分はこの重要部分に当たることになる。ドープされたシリカ・チタニアガラス製品が上で参照した重要部分のサイズである場合には、ゾル・ゲル法やスート押圧法のような新たな処理技術を用いて、むしろ容易に作製することができる。本開示は、ドープされたシリカ・チタニアガラスを新たな技術で作製し、次いでこれを、従来の火炎加水分解方法を用いて作製されたミラーブランクの重要部分内に、フリットを用いてあるいはいかなるフリットをも用いることなく、融合接合させて設置することにより、ＥＵＶＬの投影光学系の改善されたミラー部品を作製する方法に関する。重要部分のためのこのＵＬＥ部品は、他の要求される特性の中でも特に、より優れた研磨可能性を提供しかつ脈理を減少させることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示は、ＥＵＶＬの投影光学系の素子の「重要エリア」すなわち「重要部分」において、１以上のドーパントを含んでいるシリカ・チタニアガラスを使用することと、この１以上のドーパントを含んでいるシリカ・チタニアガラスを、通常のＵＬＥ基板に融合接合することに関する。特に、０．０５〜８重量％の１以上のドーパントを、現在ＥＵＶＬの素子として使用されている２成分系のシリカ・チタニアガラスに加えると、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに必要な改善された熱的特性をもたらすことが見出された。ドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択され、これらが２成分のシリカ・チタニアに追加される。低ＣＴＥガラスの研磨可能性の改善を追求している過程において、我々は、選択された量の選択されたドーパントを、例えばＵＬＥガラス（コーニング社）などの２成分系のシリカ・チタニアガラスに加えると、２５ｎｍ未満のリソグラフィに要求されるＣＴＥの傾きの仕様を達成させることができるであろうことをさらに見出した。これは、Ｔｚｃの空間的均一性要件を達成する助けにもなる。しかしながら、２成分系のシリカ・チタニアガラスを作製するために使用されている既存の製造方法に添加剤またはドーパントを導入すると、この使用されている方法を複雑化し得、さらに事態を悪化させることさえあり得る。
【０００４】
一態様において、本開示は、２５ｎｍ未満のノードのＥＵＶＬリソグラフィ用ミラーを作製するための基板に関し、この基板は、低熱膨張係数を有する、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックから成り、かつこの基板は、ドープされたシリカ・チタニアガラスで作製されたインサートを基板の重要部分内に備えたものであり、さらにこの基板およびインサートは、フリットを用いてまたはフリットを用いることなく、共に融合接合されている。一実施の形態において、インサートがその中に置かれる基板は、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃である２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、インサートは、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、かつドーパントの量は０．０５重量％から８重量％の範囲内であることを特徴とする。種々の実施形態において、ドーパントは、０．２５重量％から８重量％のＡｌ2Ｏ3と、０．０５重量％から３重量％のＮｂ2Ｏ5と、および０．２５重量％から６重量％のＴａ2Ｏ5とから成る群から選択される。
【発明の効果】
【０００５】
インサートのＣＴＥは、２０℃から１００℃の温度範囲に亘って２成分系のシリカ・チタニアガラスのＣＴＥと厳密に一致するであろうが、インサートのＣＴＥ対Ｔの傾きは、改善されたものとなる（必要であれば、「が、」以降の言葉は削除してもよい）。（我々は、ドープ材料のＣＴＥについては分からないが、基板のＣＴＥとあまり大きく異ならないことを望んでおり、さもなければこれらのＣＴＥが不釣合いとなって運転時の不具合に繋がるであろう。インサートに関して我々が求めているものは、より優れたＣＴＥ対Ｔの傾きである。）
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】典型的なＥＵＶＬ素子またはブランク１０と、この素子またはブランクの重要部分１２を示した斜視上面図
【図２】２成分系のシリカ・チタニアガラスから作製されたＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面の斜視側面図であって、２成分系のシリカ・チタニアガラス素子の重要部分１２を示している図
【図３】ドープされたシリカ・チタニアガラス１４を素子／ブランク１０に挿入して備えている、ＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面の斜視側面図であって、素子／ブランク１０に接合されたインサート１４の重要部分１２をさらに示し、インサート１４の接合エリアを黒い太線１６で示している図
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本書において、「２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィ」および「２５ｎｍ未満の要素」という用語、または同様の用語は、２５ｎｍ未満のノードで動作するリソグラフィシステムを意味する。本書において、「２成分系のシリカ・チタニアガラス」および「シリカ・チタニアガラス」という用語は、本質的にシリカとチタニアとから成るガラス、例えばＵＬＥガラスを意味する。さらに本書において、「ドープされたシリカ・チタニアガラス」、「シリカ・チタニア・ドーパントガラス」、「ドープガラス」という用語、および同様の用語は、シリカとチタニアと、本書に記載される１以上の、追加の添加剤または選択されたドーパントとから成るガラスを意味する。さらに、本書に記載されているシリカ・チタニア・ドーパントインサートの用途は２成分系のシリカ・チタニアガラスに対するものであるが、このドープされたシリカ・チタニアガラスを、例えば５℃から３５℃の温度範囲に亘って０±３０ｐｐｂ／℃の低いＣＴＥを有している、例えばガラスセラミックなどの他の材料に対してインサートとして使用してもよい。別の実施形態においては、ドープされたシリカ・チタニアガラスを素子全体に対して単独で使用してもよい。さらに本書において、「素子ブランクの材料」および「基板」という用語は、同じ意味で使用され、ドープされたシリカ・チタニアガラスが挿入される材料を称する。
【０００８】
本書に記載されるドープされたシリカ・チタニアガラスを作製する方法は、発明者名Sezhian Annamalaiで に出願された、同時係属の米国特許出願第 号明細書に記載されており、その出願は、２０１１年８月３１日に出願された米国仮特許出願第６１／５２９５４２号の優先権を主張するものである。
【０００９】
現在最も大きいミラーブランクは、およそ１２２ｃｍ（〜４８インチ）の直径とおよそ２３ｃｍ（〜９インチ）の厚さを有するものである。シリカとチタニアと本書に記載される選択されたドーパントとを含有した大型のＥＵＶＬ用ミラー素子を、スートブランク法やゾル・ゲル法、あるいはスート押圧法などの方法を用いて作製することは可能であるが、これらのやり方は困難であることが判明しており、またこれらのやり方では、大型のシリカ・チタニア・ドーパントガラスの至る所に確実に成分を均一に分布させるために、恐らくかなりの開発時間を要するであろう。同様に、ドープされたシリカ・チタニアガラスを従来の火炎加水分解法で作製することも、ドーパントの非均一性や他のプロセス関連の複雑さなど問題が多い。しかしながら、こういった大型の素子の重要部分は、ミラーブランクや完成したミラーと比べて直径が小さく、かつ重要部分の厚さはおよそ３ｃｍよりも薄いため、我々は、「ドープされたシリカ・チタニアガラスのインサート」を使用することで、重要部分に要求される熱的特性を実現することが可能となり、かつ多数のこういったミラーブランクを作る事は工業的にも有利となるであろうことを見出した。その結果、我々は、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに要求されるより厳しい仕様を満足するドープされたシリカ・チタニアガラスのインサートを、スートブランク法とゾル・ゲル法とスート押圧法とから成る群から選択される手法によって作製できることを発見した。一実施の形態において、ドープされたシリカ・チタニアガラスインサートはゾル・ゲル法により作製される。別の実施形態において、ドープされたシリカ・チタニアガラスインサートはスート押圧法により作製される。インサートがシリカ・チタニア・ドーパントガラスから作製されると、このインサートは火炎加水分解などの任意の従来の手法によって作製された２成分系のシリカ・チタニアガラス製品の表面上に設けられた凹状部分内に置かれ、このときフリットを用いて、あるいはフリット材料を用いることなく、これに融合接合される。２成分系のガラス製品の凹状部分およびインサートは、その両方が重要部分より大きく、またインサートの厚さは、２成分系のガラス製品の厚さより薄い。インサートの正確な寸法は、ＥＵＶＬ素子の重要部分のサイズに依存する。ドープガラスのインサートは、他の要求される特性の中でも特に、より優れた熱的特性を提供しかつ脈理の減少を可能にする。
【００１０】
素子の重要部分は、放射が当たるエリアである。１３．５ｎｍの放射を利用しているＥＵＶＬでは、全ての材料が様々な程度まで放射を吸収し、従って加熱される。そのため、ＥＵＶ放射が当たることによって重要部分が加熱されることがある。さらに、重要部分は均一に照射されるのではなく、ＩＣ上に描かれるパターンに従って照射される。これは、ミラー素子の不均一な加熱に繋がる。重要部分からの熱は、重要部分から素子の隣接エリアへと伝導によって移動し得る。しかし、伝導による熱の移動は、素子の様々なエリアを異なった温度にさせてしまう。その結果、素子の異なった地点での実際のＣＴＥは、ＣＴＥ曲線上の異なった値となり得る。このことの重要性は、もし素子が単一材料から作製されかつ選択されたＴｚｃ値までアニールされる場合、ミラーが加熱されることによって、放射が当たる重要部分内でゼロＣＴＥから逸脱する可能性があるということである。これが、ミラーや、続いて形成されるリソグラフィ像に、歪みを生じさせることもあり得る。そのため、ミラー基板の異なる部分が異なった温度になったとしても、そのＣＴＥ値が互いにそれほど異なることなく、その結果ミラーの歪みや、続いてチップ上に描かれる回路の歪みを最小にするよう、ＣＴＥ対Ｔの曲線の傾きを改善する必要がある。
【００１１】
本開示は、ガラス素子の「重要部分」と呼ばれるエリア内での、ドープされたシリカ・チタニアガラスの使用に関する。特に、シリカ・チタニアガラスに０．０５〜８重量％の１以上の選択されたドーパントを加えると、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに必要な改善されたＣＴＥの傾きを有する、改善されたシリカ・チタニアガラスが得られることが分かっている。このドーパントは酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択され、これがシリカ・チタニアガラスに加えられる。
【００１２】
シリカ・チタニア基板は、平均ゼロＣＴＥクロスオーバー温度（Ｔｚｃ）の値に関して、非常に狭い範囲内に特定される。Ｔｚｃは、ガラス成形時に画成されるガラスの組成で制御することができるが、ガラスの熱履歴にも影響され得る。ガラス成形段階での組成の制御は常に十分に正確なものであるわけではないため、Ｔｚｃに関する仕様が非常に狭い場合には、ガラスの特定のサンプルまたはブールが、特定の部品に対する要件を満足することになる。例えば、シリカ含有原料およびチタン含有原料をバーナ内に（混合して、あるいは混合せずに）供給し、燃焼させてシリカおよびチタニアとし、容器内に堆積させ、そしてガラスに成形するような燃焼プロセスにおいては、バーナの閉塞（１以上のバーナにおける部分的または完全なもの）またはポンプ速度の変動（例えば、電圧変動またはポンプの問題に起因するもの）が、成形されるガラスの組成にいくらかの変動を生じさせる可能性がある。さらに、２成分系のガラスの部品を成形した後にアニールすることにより、ＣＴＥの傾きはおよそ２０％改善され得るが、これでは十分ではない可能性があり、さらなるＣＴＥの傾きの調整が必要となる。ドーパントを使用すると、ＣＴＥの傾きをさらに改善させることができることが既に分かっている。
【００１３】
一態様において、本開示は、フィーチャサイズが２２ｎｍノード以下の回路を作製するＥＵＶＬステッパ内で使用し得る、ミラーを作製するための基板に関し、このノードは回路内の隣接しているフィーチャ間の距離の半分である。現在ＥＵＶＬ（極端紫外線リソグラフィ）では、この目的のために１３．５ｎｍ放射を使用している。（このように、同じ単位、ナノメータ（ｎｍ）を使用するよう注意されたい）。ＥＵＶＬに適したミラーとして使用することができる本開示の基板は、低熱膨張係数を有しかつ基板の重要部分内にインサートを備えた、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックから成るものである。一実施の形態において、インサートがその中に置かれる基板は、ＣＴＥが０±３０ｐｐｍ／℃である２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、インサートは、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、かつドーパントの量は０．０５重量％から８重量％の範囲内であることを特徴とする。種々の実施形態において、ドーパントは、０．２５重量％から８重量％のＡｌ2Ｏ3と、０．０５重量％から３重量％のＮｂ2Ｏ5と、および０．２５重量％から６重量％のＴａ2Ｏ5と、およびその混合物とから成る群から選択される。
【００１４】
本書に記載されるドープされたシリカ・チタニアガラスは、任意のリソグラフィプロセス、例えば２４８ｎｍおよび１９３ｎｍおよび１５７ｎｍのリソグラフィやＥＵＶリソグラフィ（１３．５ｎｍ）において使用されるフォトマスクブランクを作製するためにも使用することができ、さらにこの優れた性質を必要とする多くの他の用途に使用することもできる。
【００１５】
一実施の形態において、本開示は、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに使用するのに適した、ＥＵＶＬの投影光学系の素子ブランクに関し、このブランクは、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃でありかつブランク内に重要部分のインサートのための切欠きを有している、材料から成り、また重要部分のインサートは、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、さらにこのブランク材料は、ガラスおよびガラスセラミックから成る群から選択されたものである。一実施の形態において、素子ブランクの材料は、（ａ）シリカ９４重量％およびチタニア６重量％でＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合がおよそ１５．７のものから（ｂ）シリカ９２重量％およびチタニア８重量％でＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合がおよそ１１．５のものまでの範囲の組成を有する２成分系のシリカ・チタニアガラスであり；またインサートは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたドーパントを０．０５重量％から８重量％まで含み、さらにシリカとチタニアの重量％値が、ガラスに加えられるドーパントの重量％のために、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合が実質上変化しないままとなるよう調節されたものである。例えば、２成分系のガラスがシリカ９４重量％およびチタニア６重量％の組成を有しシリカとチタニアとを合わせて合計１００重量％である場合には、ドーパントを３重量％加えると、シリカとチタニアとを合わせた合計の含有量が９７重量％まで減少する。結果として、ドープガラスのシリカおよびチタニアの含有量は、９７／１００倍すなわち０．９７倍に減少することになる。すなわち、ドープガラス内のシリカ含有量は９４×０．９７、すなわち９１．２重量％となり、またドープガラス内のチタニア含有量は６×０．９７、すなわちチタニア５．８重量％となる。ただし、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合は実質上変化しないままであり、すなわち、
（９１．２重量％ＳｉＯ2）÷（５．８重量％ＴｉＯ2）＝１５．７ＳｉＯ2／ＴｉＯ2、
および、（９４重量％ＳｉＯ2）÷（６重量％ＴｉＯ2）＝１５．７ＳｉＯ2／ＴｉＯ2
となる。シリカ９２重量％およびチタニア８重量％の組成を、３重量％のドーパントを追加するために調整した場合には、得られるドープガラスは、ドーパントを３重量％、ＳｉＯ2を８９．２重量％、およびＴｉＯ2を７．８重量％、含むことになり、そしてそのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合は１１．４となる。前述の計算で重要なことは、加えられるドーパントの量に拘わらず、ドーパントが加えられたガラスとドーパントが加えられていないガラスのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合が相対的に一定のままであるように、シリカおよびチタニアの含有量を調整しなければならないということである。一実施の形態において、ブランク材料は、ＳｉＯ2が９１〜９５重量％およびＴｉＯ2が５〜９重量％の範囲の組成を有する２成分系のシリカ・チタニアであり、そして重要部分は、シリカ・チタニア・ドーパントガラスから成り、このシリカ・チタニア・ドーパントガラスは、０．０５重量％から８重量％のドーパントを含み、かつそのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合が２成分系のガラス組成に対して相対的に一定のままであるよう、シリカおよびチタニアの含有量を調整して含んでいる。
【００１６】
図１は、典型的なＥＵＶＬ素子またはブランクと、この素子またはブランクの、放射が当てられる重要部分１２とを示した上面斜視図である。本開示において、インサートはブランク１０内に置かれる。
【００１７】
図２は、２成分系のシリカ・チタニアガラスで作製されたＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面を示した斜視側面図であって、２成分系のシリカ・チタニアガラス素子の重要部分１２を示している図である。この図は、重要部分１２の厚さがブランク／素子の厚さよりも大幅に小さいことを示しており、従ってインサートの深さはブランク／素子１０の深さよりも小さいものとなる。上で示したように、重要部分の厚さすなわち深さは、概して３ｃｍ未満である。従って、素子／ブランクの厚さはこのサイズに合わせて作られ、また仮に重要部分の厚さが予想より大きいまたは小さいことが分かった場合には、必要に応じて素子／ブランクの厚さを調整してもよい。
【００１８】
図３は、ドープされたシリカ・チタニアガラス１４が素子／ブランク１０内に挿入された状態の、ＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面を示した斜視側面図である。重要部分１２を円１２（点線）で示し、この円はインサート１４の境界部分内に位置している。図３はさらに、インサート１４とブランク１０との間の接合部を、この２つの部分の間の境界エリアに沿った黒い太線１６で示している。
【００１９】
すなわち、本開示は２５ｎｍ未満のリソグラフィにおいて使用するのに適した素子ブランクに関し、このブランクはＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下の材料から成り、かつこのブランクは、フリットを用いてまたはフリットを用いないでこのブランクに融合接合されたインサートを備えている。インサートはドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択され、さらに素子ブランクの材料は、ガラスおよびガラスセラミックから成る群から選択される。一実施の形態において、素子ブランクの材料はチタニア６重量％およびシリカ９４重量％からチタニア８重量％およびシリカ９２重量％までの範囲の組成を有する２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、かつインサートは、０．０５重量％から８重量％までのドーパントを含みかつその残部はシリカおよびチタニアである、ドープされたシリカ・チタニアガラスであり、さらにドープガラスインサートのシリカおよびチタニアの含有量は、２成分系のシリカ・チタニアガラスとドープされたシリカ・チタニアガラスとのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合を実質上一定に保ちながら、ドーパントの追加を考慮して調整される。一実施の形態において、ドーパントは、０．２５〜８重量％の範囲内の酸化アルミニウムである。別の実施形態において、ドーパントは、Ｔａ2Ｏ5とＮｂ2Ｏ5とから成る群から選択される、０．０５〜６重量％のドーパントである。
【００２０】
説明のために典型的な実施形態を明記したが、上述の説明は本開示または添付の請求項の範囲を限定するものと見なされるべきではない。したがって、本開示または添付の請求項の精神および範囲から逸脱することのない、種々の改変、改作、および代替案が当業者には思い浮かぶであろう。
【符号の説明】
【００２１】
１０ ＥＵＶＬ素子またはブランク
１２ 重要部分
１４ インサート
【背景技術】
【０００１】
極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）は、２２ｎｍ以下のノードの、例えば、１３〜１５ｎｍ波長の極端紫外線放射をマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、フラッシュメモリ、およびダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）製品のような集積回路（ＩＣ）に対して使用しているシステムにとって、先導的なリソグラフィ技術である。シリカ・チタニアガラス、例えば、ＵＬＥ（登録商標）ガラス（コーニング社（Corning Incorporated）ニューヨーク州コーニング）を、ＥＵＶＬシステムの構成要素、例えば、ミラーまたは部分反射投影光学系のために利用する利点は、要求される仕上がりまたは表面粗さに合わせた、ガラスの研磨可能性や、ガラスのＣＴＥ（熱膨張係数）制御、およびガラスの寸法安定性および放射安定性である。これらの性質はＥＵＶＬシステムの機能にとって極めて重要なものである。現在もＥＵＶＬステッパはＵＬＥガラスを使用しているが、このガラスに対する仕様は、放射源の出力が現在の５Ｗから要求される１００Ｗへと増加するにつれて絶えず厳しくなっている。このガラスに要求される性質を改善させるという点では前進がなされたが、Ｔｚｃ（ゼロクロスオーバー温度）に対する許容値、ＣＴＥ対温度の傾き、およびＴｚｃの空間的均一性など、特定のパラメータに対してさらなる改善が必要である。ＵＬＥガラスの熱的特性における上記改善を達成し得ることが判明した手段の１つは、ガラスに適切なドーパントをドープするというものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
さらに、ドープされたシリカ・チタニアガラスを従来の火炎加水分解やＯＶＤ法で作製することは困難であろうことも判明した。また、こういった大型のＥＵＶＬの投影光学系の部品を、ドープガラスを用いて、スート押圧法やゾル・ゲル法などの新たな方法で作製することも同様に困難であろう。ＥＵＶＬの投影光学系の大型ミラーブランクの重要部分は、より小さくかつより薄い（３ｃｍ未満）ものであり、放射の大部分はこの重要部分に当たることになる。ドープされたシリカ・チタニアガラス製品が上で参照した重要部分のサイズである場合には、ゾル・ゲル法やスート押圧法のような新たな処理技術を用いて、むしろ容易に作製することができる。本開示は、ドープされたシリカ・チタニアガラスを新たな技術で作製し、次いでこれを、従来の火炎加水分解方法を用いて作製されたミラーブランクの重要部分内に、フリットを用いてあるいはいかなるフリットをも用いることなく、融合接合させて設置することにより、ＥＵＶＬの投影光学系の改善されたミラー部品を作製する方法に関する。重要部分のためのこのＵＬＥ部品は、他の要求される特性の中でも特に、より優れた研磨可能性を提供しかつ脈理を減少させることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示は、ＥＵＶＬの投影光学系の素子の「重要エリア」すなわち「重要部分」において、１以上のドーパントを含んでいるシリカ・チタニアガラスを使用することと、この１以上のドーパントを含んでいるシリカ・チタニアガラスを、通常のＵＬＥ基板に融合接合することに関する。特に、０．０５〜８重量％の１以上のドーパントを、現在ＥＵＶＬの素子として使用されている２成分系のシリカ・チタニアガラスに加えると、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに必要な改善された熱的特性をもたらすことが見出された。ドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択され、これらが２成分のシリカ・チタニアに追加される。低ＣＴＥガラスの研磨可能性の改善を追求している過程において、我々は、選択された量の選択されたドーパントを、例えばＵＬＥガラス（コーニング社）などの２成分系のシリカ・チタニアガラスに加えると、２５ｎｍ未満のリソグラフィに要求されるＣＴＥの傾きの仕様を達成させることができるであろうことをさらに見出した。これは、Ｔｚｃの空間的均一性要件を達成する助けにもなる。しかしながら、２成分系のシリカ・チタニアガラスを作製するために使用されている既存の製造方法に添加剤またはドーパントを導入すると、この使用されている方法を複雑化し得、さらに事態を悪化させることさえあり得る。
【０００４】
一態様において、本開示は、２５ｎｍ未満のノードのＥＵＶＬリソグラフィ用ミラーを作製するための基板に関し、この基板は、低熱膨張係数を有する、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックから成り、かつこの基板は、ドープされたシリカ・チタニアガラスで作製されたインサートを基板の重要部分内に備えたものであり、さらにこの基板およびインサートは、フリットを用いてまたはフリットを用いることなく、共に融合接合されている。一実施の形態において、インサートがその中に置かれる基板は、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃である２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、インサートは、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、かつドーパントの量は０．０５重量％から８重量％の範囲内であることを特徴とする。種々の実施形態において、ドーパントは、０．２５重量％から８重量％のＡｌ2Ｏ3と、０．０５重量％から３重量％のＮｂ2Ｏ5と、および０．２５重量％から６重量％のＴａ2Ｏ5とから成る群から選択される。
【発明の効果】
【０００５】
インサートのＣＴＥは、２０℃から１００℃の温度範囲に亘って２成分系のシリカ・チタニアガラスのＣＴＥと厳密に一致するであろうが、インサートのＣＴＥ対Ｔの傾きは、改善されたものとなる（必要であれば、「が、」以降の言葉は削除してもよい）。（我々は、ドープ材料のＣＴＥについては分からないが、基板のＣＴＥとあまり大きく異ならないことを望んでおり、さもなければこれらのＣＴＥが不釣合いとなって運転時の不具合に繋がるであろう。インサートに関して我々が求めているものは、より優れたＣＴＥ対Ｔの傾きである。）
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】典型的なＥＵＶＬ素子またはブランク１０と、この素子またはブランクの重要部分１２を示した斜視上面図
【図２】２成分系のシリカ・チタニアガラスから作製されたＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面の斜視側面図であって、２成分系のシリカ・チタニアガラス素子の重要部分１２を示している図
【図３】ドープされたシリカ・チタニアガラス１４を素子／ブランク１０に挿入して備えている、ＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面の斜視側面図であって、素子／ブランク１０に接合されたインサート１４の重要部分１２をさらに示し、インサート１４の接合エリアを黒い太線１６で示している図
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本書において、「２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィ」および「２５ｎｍ未満の要素」という用語、または同様の用語は、２５ｎｍ未満のノードで動作するリソグラフィシステムを意味する。本書において、「２成分系のシリカ・チタニアガラス」および「シリカ・チタニアガラス」という用語は、本質的にシリカとチタニアとから成るガラス、例えばＵＬＥガラスを意味する。さらに本書において、「ドープされたシリカ・チタニアガラス」、「シリカ・チタニア・ドーパントガラス」、「ドープガラス」という用語、および同様の用語は、シリカとチタニアと、本書に記載される１以上の、追加の添加剤または選択されたドーパントとから成るガラスを意味する。さらに、本書に記載されているシリカ・チタニア・ドーパントインサートの用途は２成分系のシリカ・チタニアガラスに対するものであるが、このドープされたシリカ・チタニアガラスを、例えば５℃から３５℃の温度範囲に亘って０±３０ｐｐｂ／℃の低いＣＴＥを有している、例えばガラスセラミックなどの他の材料に対してインサートとして使用してもよい。別の実施形態においては、ドープされたシリカ・チタニアガラスを素子全体に対して単独で使用してもよい。さらに本書において、「素子ブランクの材料」および「基板」という用語は、同じ意味で使用され、ドープされたシリカ・チタニアガラスが挿入される材料を称する。
【０００８】
本書に記載されるドープされたシリカ・チタニアガラスを作製する方法は、発明者名Sezhian Annamalaiで に出願された、同時係属の米国特許出願第 号明細書に記載されており、その出願は、２０１１年８月３１日に出願された米国仮特許出願第６１／５２９５４２号の優先権を主張するものである。
【０００９】
現在最も大きいミラーブランクは、およそ１２２ｃｍ（〜４８インチ）の直径とおよそ２３ｃｍ（〜９インチ）の厚さを有するものである。シリカとチタニアと本書に記載される選択されたドーパントとを含有した大型のＥＵＶＬ用ミラー素子を、スートブランク法やゾル・ゲル法、あるいはスート押圧法などの方法を用いて作製することは可能であるが、これらのやり方は困難であることが判明しており、またこれらのやり方では、大型のシリカ・チタニア・ドーパントガラスの至る所に確実に成分を均一に分布させるために、恐らくかなりの開発時間を要するであろう。同様に、ドープされたシリカ・チタニアガラスを従来の火炎加水分解法で作製することも、ドーパントの非均一性や他のプロセス関連の複雑さなど問題が多い。しかしながら、こういった大型の素子の重要部分は、ミラーブランクや完成したミラーと比べて直径が小さく、かつ重要部分の厚さはおよそ３ｃｍよりも薄いため、我々は、「ドープされたシリカ・チタニアガラスのインサート」を使用することで、重要部分に要求される熱的特性を実現することが可能となり、かつ多数のこういったミラーブランクを作る事は工業的にも有利となるであろうことを見出した。その結果、我々は、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに要求されるより厳しい仕様を満足するドープされたシリカ・チタニアガラスのインサートを、スートブランク法とゾル・ゲル法とスート押圧法とから成る群から選択される手法によって作製できることを発見した。一実施の形態において、ドープされたシリカ・チタニアガラスインサートはゾル・ゲル法により作製される。別の実施形態において、ドープされたシリカ・チタニアガラスインサートはスート押圧法により作製される。インサートがシリカ・チタニア・ドーパントガラスから作製されると、このインサートは火炎加水分解などの任意の従来の手法によって作製された２成分系のシリカ・チタニアガラス製品の表面上に設けられた凹状部分内に置かれ、このときフリットを用いて、あるいはフリット材料を用いることなく、これに融合接合される。２成分系のガラス製品の凹状部分およびインサートは、その両方が重要部分より大きく、またインサートの厚さは、２成分系のガラス製品の厚さより薄い。インサートの正確な寸法は、ＥＵＶＬ素子の重要部分のサイズに依存する。ドープガラスのインサートは、他の要求される特性の中でも特に、より優れた熱的特性を提供しかつ脈理の減少を可能にする。
【００１０】
素子の重要部分は、放射が当たるエリアである。１３．５ｎｍの放射を利用しているＥＵＶＬでは、全ての材料が様々な程度まで放射を吸収し、従って加熱される。そのため、ＥＵＶ放射が当たることによって重要部分が加熱されることがある。さらに、重要部分は均一に照射されるのではなく、ＩＣ上に描かれるパターンに従って照射される。これは、ミラー素子の不均一な加熱に繋がる。重要部分からの熱は、重要部分から素子の隣接エリアへと伝導によって移動し得る。しかし、伝導による熱の移動は、素子の様々なエリアを異なった温度にさせてしまう。その結果、素子の異なった地点での実際のＣＴＥは、ＣＴＥ曲線上の異なった値となり得る。このことの重要性は、もし素子が単一材料から作製されかつ選択されたＴｚｃ値までアニールされる場合、ミラーが加熱されることによって、放射が当たる重要部分内でゼロＣＴＥから逸脱する可能性があるということである。これが、ミラーや、続いて形成されるリソグラフィ像に、歪みを生じさせることもあり得る。そのため、ミラー基板の異なる部分が異なった温度になったとしても、そのＣＴＥ値が互いにそれほど異なることなく、その結果ミラーの歪みや、続いてチップ上に描かれる回路の歪みを最小にするよう、ＣＴＥ対Ｔの曲線の傾きを改善する必要がある。
【００１１】
本開示は、ガラス素子の「重要部分」と呼ばれるエリア内での、ドープされたシリカ・チタニアガラスの使用に関する。特に、シリカ・チタニアガラスに０．０５〜８重量％の１以上の選択されたドーパントを加えると、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに必要な改善されたＣＴＥの傾きを有する、改善されたシリカ・チタニアガラスが得られることが分かっている。このドーパントは酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択され、これがシリカ・チタニアガラスに加えられる。
【００１２】
シリカ・チタニア基板は、平均ゼロＣＴＥクロスオーバー温度（Ｔｚｃ）の値に関して、非常に狭い範囲内に特定される。Ｔｚｃは、ガラス成形時に画成されるガラスの組成で制御することができるが、ガラスの熱履歴にも影響され得る。ガラス成形段階での組成の制御は常に十分に正確なものであるわけではないため、Ｔｚｃに関する仕様が非常に狭い場合には、ガラスの特定のサンプルまたはブールが、特定の部品に対する要件を満足することになる。例えば、シリカ含有原料およびチタン含有原料をバーナ内に（混合して、あるいは混合せずに）供給し、燃焼させてシリカおよびチタニアとし、容器内に堆積させ、そしてガラスに成形するような燃焼プロセスにおいては、バーナの閉塞（１以上のバーナにおける部分的または完全なもの）またはポンプ速度の変動（例えば、電圧変動またはポンプの問題に起因するもの）が、成形されるガラスの組成にいくらかの変動を生じさせる可能性がある。さらに、２成分系のガラスの部品を成形した後にアニールすることにより、ＣＴＥの傾きはおよそ２０％改善され得るが、これでは十分ではない可能性があり、さらなるＣＴＥの傾きの調整が必要となる。ドーパントを使用すると、ＣＴＥの傾きをさらに改善させることができることが既に分かっている。
【００１３】
一態様において、本開示は、フィーチャサイズが２２ｎｍノード以下の回路を作製するＥＵＶＬステッパ内で使用し得る、ミラーを作製するための基板に関し、このノードは回路内の隣接しているフィーチャ間の距離の半分である。現在ＥＵＶＬ（極端紫外線リソグラフィ）では、この目的のために１３．５ｎｍ放射を使用している。（このように、同じ単位、ナノメータ（ｎｍ）を使用するよう注意されたい）。ＥＵＶＬに適したミラーとして使用することができる本開示の基板は、低熱膨張係数を有しかつ基板の重要部分内にインサートを備えた、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックから成るものである。一実施の形態において、インサートがその中に置かれる基板は、ＣＴＥが０±３０ｐｐｍ／℃である２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、インサートは、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、かつドーパントの量は０．０５重量％から８重量％の範囲内であることを特徴とする。種々の実施形態において、ドーパントは、０．２５重量％から８重量％のＡｌ2Ｏ3と、０．０５重量％から３重量％のＮｂ2Ｏ5と、および０．２５重量％から６重量％のＴａ2Ｏ5と、およびその混合物とから成る群から選択される。
【００１４】
本書に記載されるドープされたシリカ・チタニアガラスは、任意のリソグラフィプロセス、例えば２４８ｎｍおよび１９３ｎｍおよび１５７ｎｍのリソグラフィやＥＵＶリソグラフィ（１３．５ｎｍ）において使用されるフォトマスクブランクを作製するためにも使用することができ、さらにこの優れた性質を必要とする多くの他の用途に使用することもできる。
【００１５】
一実施の形態において、本開示は、２５ｎｍ未満のノードのリソグラフィに使用するのに適した、ＥＵＶＬの投影光学系の素子ブランクに関し、このブランクは、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃でありかつブランク内に重要部分のインサートのための切欠きを有している、材料から成り、また重要部分のインサートは、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、さらにこのブランク材料は、ガラスおよびガラスセラミックから成る群から選択されたものである。一実施の形態において、素子ブランクの材料は、（ａ）シリカ９４重量％およびチタニア６重量％でＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合がおよそ１５．７のものから（ｂ）シリカ９２重量％およびチタニア８重量％でＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合がおよそ１１．５のものまでの範囲の組成を有する２成分系のシリカ・チタニアガラスであり；またインサートは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたドーパントを０．０５重量％から８重量％まで含み、さらにシリカとチタニアの重量％値が、ガラスに加えられるドーパントの重量％のために、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合が実質上変化しないままとなるよう調節されたものである。例えば、２成分系のガラスがシリカ９４重量％およびチタニア６重量％の組成を有しシリカとチタニアとを合わせて合計１００重量％である場合には、ドーパントを３重量％加えると、シリカとチタニアとを合わせた合計の含有量が９７重量％まで減少する。結果として、ドープガラスのシリカおよびチタニアの含有量は、９７／１００倍すなわち０．９７倍に減少することになる。すなわち、ドープガラス内のシリカ含有量は９４×０．９７、すなわち９１．２重量％となり、またドープガラス内のチタニア含有量は６×０．９７、すなわちチタニア５．８重量％となる。ただし、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合は実質上変化しないままであり、すなわち、
（９１．２重量％ＳｉＯ2）÷（５．８重量％ＴｉＯ2）＝１５．７ＳｉＯ2／ＴｉＯ2、
および、（９４重量％ＳｉＯ2）÷（６重量％ＴｉＯ2）＝１５．７ＳｉＯ2／ＴｉＯ2
となる。シリカ９２重量％およびチタニア８重量％の組成を、３重量％のドーパントを追加するために調整した場合には、得られるドープガラスは、ドーパントを３重量％、ＳｉＯ2を８９．２重量％、およびＴｉＯ2を７．８重量％、含むことになり、そしてそのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合は１１．４となる。前述の計算で重要なことは、加えられるドーパントの量に拘わらず、ドーパントが加えられたガラスとドーパントが加えられていないガラスのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合が相対的に一定のままであるように、シリカおよびチタニアの含有量を調整しなければならないということである。一実施の形態において、ブランク材料は、ＳｉＯ2が９１〜９５重量％およびＴｉＯ2が５〜９重量％の範囲の組成を有する２成分系のシリカ・チタニアであり、そして重要部分は、シリカ・チタニア・ドーパントガラスから成り、このシリカ・チタニア・ドーパントガラスは、０．０５重量％から８重量％のドーパントを含み、かつそのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合が２成分系のガラス組成に対して相対的に一定のままであるよう、シリカおよびチタニアの含有量を調整して含んでいる。
【００１６】
図１は、典型的なＥＵＶＬ素子またはブランクと、この素子またはブランクの、放射が当てられる重要部分１２とを示した上面斜視図である。本開示において、インサートはブランク１０内に置かれる。
【００１７】
図２は、２成分系のシリカ・チタニアガラスで作製されたＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面を示した斜視側面図であって、２成分系のシリカ・チタニアガラス素子の重要部分１２を示している図である。この図は、重要部分１２の厚さがブランク／素子の厚さよりも大幅に小さいことを示しており、従ってインサートの深さはブランク／素子１０の深さよりも小さいものとなる。上で示したように、重要部分の厚さすなわち深さは、概して３ｃｍ未満である。従って、素子／ブランクの厚さはこのサイズに合わせて作られ、また仮に重要部分の厚さが予想より大きいまたは小さいことが分かった場合には、必要に応じて素子／ブランクの厚さを調整してもよい。
【００１８】
図３は、ドープされたシリカ・チタニアガラス１４が素子／ブランク１０内に挿入された状態の、ＥＵＶＬ素子またはブランク１０の断面を示した斜視側面図である。重要部分１２を円１２（点線）で示し、この円はインサート１４の境界部分内に位置している。図３はさらに、インサート１４とブランク１０との間の接合部を、この２つの部分の間の境界エリアに沿った黒い太線１６で示している。
【００１９】
すなわち、本開示は２５ｎｍ未満のリソグラフィにおいて使用するのに適した素子ブランクに関し、このブランクはＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下の材料から成り、かつこのブランクは、フリットを用いてまたはフリットを用いないでこのブランクに融合接合されたインサートを備えている。インサートはドープされたシリカ・チタニアガラスから成り、このドーパントは、酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択され、さらに素子ブランクの材料は、ガラスおよびガラスセラミックから成る群から選択される。一実施の形態において、素子ブランクの材料はチタニア６重量％およびシリカ９４重量％からチタニア８重量％およびシリカ９２重量％までの範囲の組成を有する２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、かつインサートは、０．０５重量％から８重量％までのドーパントを含みかつその残部はシリカおよびチタニアである、ドープされたシリカ・チタニアガラスであり、さらにドープガラスインサートのシリカおよびチタニアの含有量は、２成分系のシリカ・チタニアガラスとドープされたシリカ・チタニアガラスとのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合を実質上一定に保ちながら、ドーパントの追加を考慮して調整される。一実施の形態において、ドーパントは、０．２５〜８重量％の範囲内の酸化アルミニウムである。別の実施形態において、ドーパントは、Ｔａ2Ｏ5とＮｂ2Ｏ5とから成る群から選択される、０．０５〜６重量％のドーパントである。
【００２０】
説明のために典型的な実施形態を明記したが、上述の説明は本開示または添付の請求項の範囲を限定するものと見なされるべきではない。したがって、本開示または添付の請求項の精神および範囲から逸脱することのない、種々の改変、改作、および代替案が当業者には思い浮かぶであろう。
【符号の説明】
【００２１】
１０ ＥＵＶＬ素子またはブランク
１２ 重要部分
１４ インサート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５ｎｍ未満のリソグラフィにおいて使用するのに適した、ＥＵＶＬ用のミラーブランクであって、該ブランクが、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下である材料から成るものであり、さらに該ブランクが、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成るインサートを備え、ここでドーパントが酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、かつ、
前記ブランクの材料が、ガラスおよびガラスセラミックから成る群から選択され、さらに、
前記インサートが、フリットを用いて、またはフリットを用いることなく、前記ブランクに融合接合されていることを特徴とする素子ブランク。
【請求項２】
前記ブランクの材料が、チタニア６重量％およびシリカ９４重量％からチタニア８重量％およびシリカ９２重量％までの範囲の組成を有する、２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、かつ、
前記インサートが、ドーパントを０．０５重量％から８重量％まで含んでいるドープされたシリカ・チタニアガラスであり、さらに、
前記ドープガラスインサートのシリカおよびチタニアの含有量が、前記２成分系のシリカ・チタニアガラスと前記ドープされたシリカ・チタニアガラスとのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合を実質上一定に保ちながら、前記ドーパントの追加を考慮して調整されることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項３】
前記ブランクの材料が、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下であるガラスセラミックであることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項４】
前記インサートが、ドープされたシリカ・チタニアガラスから作製されたものであり、かつドーパントが、０．２５〜８重量％の範囲内の酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項５】
前記インサートが、ドープされたシリカ・チタニアガラスから作製されたものであり、かつドーパントが、Ｔａ2Ｏ5とＮｂ2Ｏ5とから成る群から選択された、０．０５〜６重量％のドーパントであることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項６】
前記インサートが、フリット材料を用いて前記ブランクに物質的に融合接合されていることを特徴とする請求項１記載の素子ブランク。
【請求項７】
前記インサートが、フリット材料を用いることなく、前記ブランクに物質的に融合接合されていることを特徴とする請求項１記載の素子ブランク。
【請求項１】
２５ｎｍ未満のリソグラフィにおいて使用するのに適した、ＥＵＶＬ用のミラーブランクであって、該ブランクが、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下である材料から成るものであり、さらに該ブランクが、ドープされたシリカ・チタニアガラスから成るインサートを備え、ここでドーパントが酸化アルミニウムと選択された遷移金属酸化物とから成る群から選択されたものであり、かつ、
前記ブランクの材料が、ガラスおよびガラスセラミックから成る群から選択され、さらに、
前記インサートが、フリットを用いて、またはフリットを用いることなく、前記ブランクに融合接合されていることを特徴とする素子ブランク。
【請求項２】
前記ブランクの材料が、チタニア６重量％およびシリカ９４重量％からチタニア８重量％およびシリカ９２重量％までの範囲の組成を有する、２成分系のシリカ・チタニアガラスであり、かつ、
前記インサートが、ドーパントを０．０５重量％から８重量％まで含んでいるドープされたシリカ・チタニアガラスであり、さらに、
前記ドープガラスインサートのシリカおよびチタニアの含有量が、前記２成分系のシリカ・チタニアガラスと前記ドープされたシリカ・チタニアガラスとのＳｉＯ2／ＴｉＯ2の割合を実質上一定に保ちながら、前記ドーパントの追加を考慮して調整されることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項３】
前記ブランクの材料が、５℃から３５℃の温度範囲に亘ってＣＴＥが０±３０ｐｐｂ／℃以下であるガラスセラミックであることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項４】
前記インサートが、ドープされたシリカ・チタニアガラスから作製されたものであり、かつドーパントが、０．２５〜８重量％の範囲内の酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項５】
前記インサートが、ドープされたシリカ・チタニアガラスから作製されたものであり、かつドーパントが、Ｔａ2Ｏ5とＮｂ2Ｏ5とから成る群から選択された、０．０５〜６重量％のドーパントであることを特徴とする請求項１記載のブランク。
【請求項６】
前記インサートが、フリット材料を用いて前記ブランクに物質的に融合接合されていることを特徴とする請求項１記載の素子ブランク。
【請求項７】
前記インサートが、フリット材料を用いることなく、前記ブランクに物質的に融合接合されていることを特徴とする請求項１記載の素子ブランク。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−１０１３１０（Ｐ２０１３−１０１３１０Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−１８９６７１（Ｐ２０１２−１８９６７１）
【出願日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【出願人】（３９７０６８２７４）コーニング インコーポレイテッド (1,222)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１８９６７１（Ｐ２０１２−１８９６７１）
【出願日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【出願人】（３９７０６８２７４）コーニング インコーポレイテッド (1,222)
【Ｆターム（参考）】
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