【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】熱分布の発生を抑制して、ビーム品質を高めることができるようにする。
【解決手段】入射面２ａから励起光６を導入して、その励起光６を伝搬させる平板状の励起光導入部２と、励起光導入部２より高い屈折率を有しており、その励起光導入部２により伝搬された励起光６を導入する入射面が、その励起光導入部２の下面２ｃに接合され、その入射面から導入した励起光６を吸収して利得を発生する平板状のレーザ媒質１とを備え、その励起光導入部２における励起光６の入射方向の長さがレーザ媒質１より長く、その励起光導入部２の入射面２ａ付近にはレーザ媒質１が接合されていないように構成する。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型で低光損失な光導波路の折り返し回路を提供し、素子の小型化・低損失化を実現すると共に、機械的信頼性を高めた光変調器を提供する。
【解決手段】ニオブ酸リチウム材料からなるＬＮ変調器と、ガラス材料からなり、前記ＬＮ変調器への光信号の入出力のために前記ＬＮ変調器と突き合わせ接続された第１及び第２のＰＬＣとを含む光変調器であって、前記第１のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面にファイバブロックを介して接続された少なくとも２本のファイバと、他方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路とを接続し、前記第２のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路どうしを接続する折り返し光導波路であり、該折り返し光導波路は、前記第２のＰＬＣ上に実装された半導体光導波回路に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶からの射出光に高い対称性を有する電磁エネルギー分布を持たせる。
【解決手段】フォトニック結晶の導波路領域は第１の基本構造と第１の欠陥部を、モード変換領域は第２、第３の基本構造と第２の欠陥部を有する。フォトニック結晶の単位構造は、第２の軸に平行な直線に関して鏡映対称ではなく第３の軸に平行な直線に関して鏡映対称である。光が伝搬する第１の方向に直交する方向を第２、第３の方向としたとき、第１、第２の基本構造の第１〜第３の方向は単位構造の第１〜第３の軸の方向と一致する。第１の断面にて第２の基本構造は第３の方向の片側に配置されて第３の基本構造に接続されている。第１の断面にて第３の基本構造は、第２の基本構造と鏡映対称である。モード変換領域は、第１の断面にて第２、第３の方向に延びる直線に関して鏡映対称である。 （もっと読む）

【課題】省サイズ化と低コスト化を実現できる多値光位相変調器を提供すること。
【解決手段】入力された光を分岐する光分岐器と、前記光分岐器に接続し、位相変調部を有する２つのアーム部を備え、前記分岐された光を強度変調して光信号として出力する２つ以上のマッハツェンダ型強度変調器と、前記各マッハツェンダ型強度変調器に接続し、該マッハツェンダ型強度変調器から出力した各光信号を合成して多値光信号として出力する光合成器と、前記光分岐器と、前記マッハツェンダ型強度変調器の少なくともいずれか１つの各位相変調部との間に設けられ、利得媒質を有し、該利得媒質の利得飽和特性を利用して、入力された光の強度を所定強度に調整して出力する少なくとも１つの光強度調整器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を有する導波路構造において、簡易かつ精度よく、コア層と上部クラッド層におけるメサ中心のずれを小さくする。
【解決手段】下部クラッド層１０３とコア層１０２と上部クラッド層１０１とを積層し、上部クラッド層１０１上に、互いに並行に配置される第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂと、第一のストライプ状マスク１０５ａと第二のストライプ状マスク１０５ｂとの間に配置される第三のストライプ状マスク１０６とからなる３本のストライプ状マスク１０７を形成し、第一、第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂ及び第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして第一メサを形成し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ除去し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂを除去した後に、第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして、第一メサの上部に位置し、第一メサよりも幅の狭い第二メサを形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来の導波路型光フィルターと比較して、小型化及び低コスト化を図ることができる導波路型光フィルターを提供するものである。
【解決手段】 導波路型光フィルターは、１×３型マルチモード干渉導波路４ａと、３×１型マルチモード干渉導波路５ａの入力ポートに一端が接続される１本の入射光導波路１ａからなる第１の光導波路群１と、１×３型マルチモード干渉導波路４ａの出力ポートに一端が接続される３本の光導波路（直線導波路２ａ、第１の曲線導波路２ｂ、第２の曲線導波路２ｃ）からなる第２の光導波路群２と、を備え、第２の光導波路群２のうち、一の光導波路の長さが、他の光導波路の長さと異なる。 （もっと読む）

【課題】コアを光の導波方向に分割してそれぞれ独立に屈折率を調整しようとした場合に、分割されたコア間に発生する光の導波方向のリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】半導体のコア１をブロッキング領域１３，１４，１７，１８によって複数の領域に分離する。光の導波方向において対向配置された導電性コア１１，１２をそれぞれＰ型、Ｎ型とし、それとブロッキング領域を挟んで対向する導電性コア１５，１６をそれぞれＰ型、Ｎ型とする。導電性コア１１と導電性コア１５との間に配置するブロッキング領域１３をＮ型とし、導電性コア１２と導電性コア１６との間に配置するブロッキング領域１４をＰ型とする。 （もっと読む）

【解決手段】 ウェハ貼り合わせ技術を用いる光変調器を提供する。ある実施形態に係る方法は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハにエッチングを実施して、ＳＯＩウェハの第１の表面にシリコン導波路構造の第１の部分を形成する段階と、結晶質シリコン層を含む第２のウェハであって、結晶質シリコンの第１の表面を持つ第２のウェハを用意する段階とを備える。当該方法はさらに、ウェハ貼り合わせ技術を用いて、薄い酸化物を介して、第２のウェハの第１の表面を、ＳＯＩウェハの第１の表面に、貼り合わせる段階を備える。尚、シリコン導波路構造の第２の部分は、結晶質シリコン層にエッチングで形成される。 （もっと読む）

【課題】近接場光の伝達効率の減少を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】金属と無機酸化物とが３次元的に共に連続的な構造の複合体からなる近接場光導波部４と、近接場光導波部の一端に近接場光を導入する近接場光励起部６と、近接場光導波部の他端から近接場光を出力する近接場光出力部８と、を備えている。近接場光導波部４は、金属／無機酸化物の複合体からなっており、良好な導波効率を得るためには、酸化物の割合ａ（ｖｏｌ％）、金属の割合をｂ（ｖｏｌ％）とした場合に、７０≦ａ≦９５，５≦ｂ≦３０の高密度な構造体であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。
【解決手段】 光導波路の一部分の複素屈折率を変化させることによって光の透過量を変化させる導波路型光ゲートスイッチであって、光導波路は、光軸方向において互いに対向する一対のコア層と、一対のコア層の間に配置された相変化材料部と、一対のコア層及び相変化材料部を覆うクラッド層とを有するとともに、相変化材料部に、相変化材料部の相を変化させる相変化手段を設ける。 （もっと読む）