【課題】複数の段差を有する導波路構造において、簡易かつ精度よく、コア層と上部クラッド層におけるメサ中心のずれを小さくする。
【解決手段】下部クラッド層１０３とコア層１０２と上部クラッド層１０１とを積層し、上部クラッド層１０１上に、互いに並行に配置される第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂと、第一のストライプ状マスク１０５ａと第二のストライプ状マスク１０５ｂとの間に配置される第三のストライプ状マスク１０６とからなる３本のストライプ状マスク１０７を形成し、第一、第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂ及び第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして第一メサを形成し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ除去し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂを除去した後に、第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして、第一メサの上部に位置し、第一メサよりも幅の狭い第二メサを形成する。 （もっと読む）

【課題】 光機能導波路に関し、高度な加工技術を要することなく、無害なニオブ酸リチウム基板を用いた光機能導波路を小型化且つ高機能化する。
【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面上に前記ニオブ酸リチウム基板とは異なった材料で形成されたストライプ状の異種材料光導波路と、前記ニオブ酸リチウム基板の前記異種材料光導波路に対向する表面側に前記異種材料光導波路中を伝搬する光が漏れ出して形成された基板内光導波部分、或いは、前記異種材料光導波路に対向する表面側に形成したＴｉ若しくはプロトンを導入した基板内光導波路のいずれか一方と、前記異種材料光導波路と、前記基板内光導波部分或いは前記基板内光導波路のいずれか一方とに変調電圧を印加する第１の電極と第２の電極とで光機能導波路を構成する。 （もっと読む）

【課題】 費用効率が高く、ＣＭＯＳ技術とも適合する電磁波アイソレータ及び集積光学デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明は、伝搬の２つの円形方向（Ｄ１、Ｄ２）を定めるボディ（２９）を含む電磁波アイソレータ（１０）に向けられる。ボディは、波動伝搬が、方向のうちの一方（Ｄ１）において、反対方向（Ｄ２）におけるよりも実質的に多くサポートされるように、アイソレータの対称性を低下させる１つ又は複数の構造部（２１、２２）によってさらに補強される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光透過要素の少なくとも一側または一端がエアクラッドであるように定義されるパターニングされたクラッドを有する集積光導波路に関する。
【解決手段】パターニングされたクラッドを有する光導波路の製造方法は、所定の波長を透過する基板の一部に所定の波長を透過しないパターニングされたブロッキング層を形成し、パターニングされたブロッキング層及び／または基板の覆われていない部分上にコア層を堆積し、コア層を上方からパターニングして光透過要素を設け、光透過要素上及び／またはパターンニングされたブロッキング層上及び／または基板の覆われていない部分上に、所定の波長の光に晒すことによって硬化可能な材料を含む上部クラッド層を設け、上部クラッド層に下方から所定の波長の光を照射し、パターニングされたブロッキング層上に位置しない上部クラッド層の部分を硬化し、上部クラッド層の非硬化部分を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減すると共に、歩留まりを向上させることができる光双方向通信モジュール及び光双方向通信装置を提供する。
【解決手段】光双方向通信モジュール１０は、発光素子１４と、受光素子１６と、入出力ポート２２Ａから入力された光を波長分割フィルタ部２２Ｄで波長分割して受光素子１６へ導波すると共に、発光素子１４からの光を波長分割フィルタ部２２Ｄで波長分割して入出力ポート２２Ａへ導波するシリコンから成る光導波路２２と、が同一基板に集積されている。 （もっと読む）

【課題】光信号を用いたＳｉ細線導波路から光ファイバなど光導波路外部との接続を行う場合において、光が伝送する径が異なるためにスポットサイズ変換器が必要であるが、光学的な結合効率が不充分で、かつ作製上のばらつきもあって製造が容易ではなかった。
【解決手段】光導波路の端面とＳｉ細線光導波路のテーパ構造領域の先端の間にクラッド層と同じ材料で、クラッド層より突出した構造の光結合ブロック領域とを備えた。また、テーパ構造領域を作製し、その形成されたテーパ構造領域を参照して、光結合ブロック領域を形成するマスクの位置合わせを行う。 （もっと読む）

入力スラブ導波路領域および出力スラブ導波路領域の少なくとも１つから延びる複数のシリコンフォトニクスアレイ導波路を含み、複数のアレイ導波路のそれぞれの第１の部分は、第１のコアの幾何形状を有し、複数のアレイ導波路のそれぞれの第２の部分は、第２のコアの幾何形状を有する、シリコンフォトニクスＡＷＧ（アレイ導波路回折格子）およびそれらの製造方法である。第１のコアの幾何形状および第２のコアの幾何形状は、異なる導波路のコアの幅および／または異なるコアの構造を備えることができる。ＡＷＧの温度安定性が、本発明の技法により提供される。

（もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】分岐光導波路において、主路の幅が狭く、各分岐路から出射される光線の強度が均一である発光素子付光導波路。
【解決手段】発光素子付光導波路１０において、コア１３は主路１４と、主路１４から複数の分岐点１６で分岐した複数の分岐路１５とを有する。主路１４は対向する二辺１４ａ、１４ｂを有し、二辺１４ａ、１４ｂのうち一辺１４ａは分岐点１６を備え、他辺１４ｂは分岐点を備えない。複数の分岐点１６は、主路１４の導光方向１７とほぼ平行な直線上に設けられる。主路１４は、発光素子１１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ_１が細くなる。分岐点を備えない他辺１４ｂと、主路１４の導光方向１７とのなす角度θは、０．３°〜１．７°である。 （もっと読む）

【課題】特性の低下を回避しながら高次横モードの励振を抑制することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域１１内のコア層１７及び第２の領域１２内のコア層１７は、光の伝搬方向に連続して延びている。第１の領域１１には、コア層１７の側面を露出する第１の突起部が形成され、第２の領域１２には、コア層１７の側面の少なくとも一部を露出する第２の突起部が形成されている。第１の突起部の底部は、コア層１７の下面よりも下方に位置し、第２の突起部の底部は、第１の突起部の底部よりも上方に位置する。 （もっと読む）

【課題】光偏波回転素子を簡易な形状とする。
【解決手段】光偏波回転素子３０の断面を、矩形断面３２から矩形断面４０，４４を削除した形状になるよう形成し、点３８と点４２との距離Ｗを回転パラメータが値１になる距離にし、光偏波回転素子３０の光の伝搬方向の長さを半ビート長にした。これにより、光導波路内で直交する２つの導波モードを励起して、励起された２つの導波モード間の位相が１８０度異なる位置で光を出射することができ、ＴＥ偏波光を光導波路に入射すると、偏波方向が９０度回転したＴＭ偏波光を出射するきことができ、光偏波回転素子３０を簡易な形状とすることができる。 （もっと読む）

光導波路のコアが、凸部と凹部とを交互に有するグレーティング構造を有し、前記凹部におけるコアの幅が不均一である基板型光導波路デバイスの製造方法であって、高屈折率材料層を形成する高屈折率材料層形成工程と、前記高屈折率材料層の上に、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、位相シフト型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第１の露光工程と、バイナリ型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第２の露光工程と、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、前記現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いて前記高屈折率材料層をエッチングするエッチング工程と、を有する基板型光導波路デバイスの製造方法。
（もっと読む）

【課題】偏波無依存で使用することができ、かつ作成を容易にする。
【解決手段】同一平面にプレーナ導波路としてそれぞれ形成されている、第１入出力端13aを有する第１光導波路部13、第２光導波路部15、及び第３光導波路部17を具える。第１光導波路部、第２光導波路部、及び第３光導波路部はこの順序で連続的につながっており、第１光導波路部は、０次及び１次モードの光を励起し、かつ第１入出力端から第２光導波路部との境界13bに向かって連続的に幅広となる形状で形成されている。そして、第１波長の光に対して、第１入出力端から入力され、第２光導波路部と第３光導波路部との境界15aに到達した０次モードのＴＥ光と１次モードのＴＥ光との位相差ｍ_１πにおけるｍ_１と、第１入出力端から入力され、第２光導波路部と第３光導波路部との境界に到達した０次モードのＴＭ光と１次モードのＴＭ光との位相差ｍ_２πにおけるｍ_２とが、ともに偶数又は奇数となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン導波路を伝搬する光を偏波に無依存でかつ高い結合効率で受光素子に結合することが可能な、小型のグレーティング結合器を提供する。
【解決手段】グレーティング結合器は、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造のシリコン層（１２）に形成した導波路（１３）と、前記導波路（１３）の上面に形成したグレーティング（１５）と、前記グレーティング（１５）を被覆する透明誘電体被膜（１６）と、前記透明誘電体被膜を介して前記グレーティング上に設置された面受光型の受光素子（２）と、を備え、前記グレーティング（１５）を、溝周期が（０．４００±０．０２０）×（前記導波路を伝搬する光の中心波長）、溝深さが（０．０９７±０．０３２）×（前記導波路を伝搬する光の中心波長）である複数の周期的な溝で構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。
【解決手段】 光導波路の一部分の複素屈折率を変化させることによって光の透過量を変化させる導波路型光ゲートスイッチであって、光導波路は、光軸方向において互いに対向する一対のコア層と、一対のコア層の間に配置された相変化材料部と、一対のコア層及び相変化材料部を覆うクラッド層とを有するとともに、相変化材料部に、相変化材料部の相を変化させる相変化手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】高温での動作に適し、高出力であるとともに波長に対する出力強度の偏差の増大が抑制された集積型半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、光伝送システムを提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の半導体レーザからの出力光を合流させる光合流器と光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積し、複数の半導体レーザの各活性層の少なくとも一つと半導体光増幅器の活性層とは、同一厚さと、複数の半導体レーザの発振波長が形成する波長帯域の中央近傍に利得ピーク波長を有するように設定された同一の組成とを有し、半導体光増幅器は、光合流器側に出力光を単一モードで導波する等幅部と、光出力側に等幅部の幅よりも幅広の拡幅部とを有し、動作状態における利得ピーク波長が組成設定による半導体レーザの利得ピーク波長と略一致するように、活性層の各井戸層の厚さ合計に応じて拡幅部幅を設定している。 （もっと読む）

【課題】低消費電力である導波路型分散補償回路を提供すること。
【解決手段】複数の導波路からなる導波路アレイ１０９と該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路１０８、１０９とを有し、入力された信号光を複数の波長に分波する第１のアレイ導波路回折格子１０２と、上記波長ごとに分波された信号光の位相を制御する位相制御手段をそれぞれ有する複数の単一モード導波路によって構成される位相制御導波路アレイ１０４と、複数の導波路からなる導波路アレイと該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路とを有し、上記位相制御された信号光を合波して出力する第２のアレイ導波路回折格子１０６とを備え、上記第１のアレイ導波路回折格子の出力部と、上記第２のアレイ導波路回折格子の入力部に、上記スラブ導波路と上記位相制御導波路アレイとの間の伝搬損失を減らす断熱的モード変換回路１０３、１０５を配置したことを特徴とする導波路型分散補償回路。 （もっと読む）

【課題】製造歩留りを向上させた光合分波器を提供する。
【解決手段】単数もしくは複数の第１導波路３から複数の波長成分を含んだ光信号（波長分割多重光信号）を入力すると、該光信号（波長分割多重光信号）が分波されて、複数の第２導波路７からなる第２導波路アレイから波長成分毎の複数の光信号を出力することができる光合分波器１において、複数の素子からなり、前記複数の素子のうち少なくとも１つの素子は、前記複数の第２導波路７，１０を分断することで構成された前記第２導波路アレイの一部を含む損失補正用素子であり、該損失補正用素子を含め前記複数の素子をそれぞれ接続するものである。 （もっと読む）

【課題】光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。
【解決手段】光強度検出部１０６を囲うようにスラブ層１０２に形成された下部クラッド層に達する溝部１０７を備える。溝部１０７により、光強度検出部１０６が、他の領域より、電気的に分離された状態となる。また、溝部１０７により、モニター導波路のシリコンコア１０１ａも分離されるが、この分離された間に、溝部１０７によるシリコンコア１０１ａの２つの端部の各々に接続し、互いに離間するシリコンコア１１１ａおよびシリコンコア１１１ｂを備える。また、シリコンコア１１１ａおよびシリコンコア１１１ｂの間を中心として一部のシリコンコア１１１ａおよび一部のシリコンコア１１１ｂを覆うスポットサイズ変換部コア１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣの端面から信号光を出射するする空間光学系側を持つ光信号回路では、ＰＬＣ出射端における信号光の広がりによるレンズ収差に起因した過剰損失の低減が望まれていた。セグメント領域は、ＡＷＧから空間光学系に出射される光信号の分光方向に対する回折に起因する損失を減らす効果を持つ。しかし、出射端におけるＡＷＧ基板垂直方向の開口数（ＮＡ）は、アレイ導波路コアの等価屈折率により決定され、大きなＮＡを持つ光学系においては、収差の影響を受けやすい。空間光学系においてＡＷＧ基板垂直方向の光波面の制御に用いられる集光レンズの収差の影響を受けやすい問題があった。
【解決手段】光回路の出射端面近傍のクラッドセグメント領域により、光回路のＮＡをより小さくする。本発明のセグメント導波路を利用した光回路は、端面近傍にクラッドセグメント導波路を備える。導波路のコアは端面に向かって断続的に消失しており、端面近傍ではクラッドセグメント領域はクラッド材料で満たされる。 （もっと読む）