説明

Fターム[2H147BB02]の内容

Fターム[2H147BB02]に分類される特許

121 - 140 / 290


【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路(18)は、サブバンド間遷移によりTM波を吸収しTE波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路(18)の入射側と出射側に反射膜(20,22)を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器(24)は、TE波の信号光(28)とTM波の制御光(30)を合波し、合波光を反射手段(20)を介して光導波路(18)に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ(26)は、光導波路(18)の出射光から、信号光(32)と制御光(34)を分離する。 (もっと読む)


【課題】簡便に上部クラッド層の厚さを制御し得る光導波路の製造方法、光導波路及び光電気複合配線板を提供すること。
【解決手段】(I)第1のクラッド層を形成する工程、(II)第1のクラッド層上にコア層を形成する工程、(III)コア層をパターニングして光導波路のコアパターンを形成する工程、(IV)該コアパターン上に第2のクラッド層を形成してコアパターンを埋め込む工程を有する光導波路の製造方法であって、前記(III)工程において、コアパターンの数及び形状によって第2のクラッド層の厚さを制御することを特徴とする光導波路の製造方法、該製造方法で得られる光導波路、該光導波路を電気配線板に積層した光電気複合配線板である。 (もっと読む)


【課題】信号光近傍で平坦な受光感度特性を実現しながらも、AWGの平坦化過剰損失が小さく、クロストーク特性に優れた光波長多重信号監視装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による光波長多重信号監視装置は、入力導波路と、入力導波路に接続された第1のスラブ導波路と、第1のスラブ導波路に接続された複数の導波路からなるアレイ導波路と、アレイ導波路の複数の導波路に接続された第2のスラブ導波路と、第2のスラブ導波路に接続された複数の出力導波路と、複数の出力導波路に光学的に結合された複数のフォトダイオードを備える。出力導波路は、Mを2以上の整数、Nを2以上の整数として、M本ごとにNグループを構成する。フォトダイオードは、それぞれが各グループのM本の出力導波路と光学的に結合される。 (もっと読む)


【課題】光ファイバ等の光出入射手段への迷光の侵入を防ぎ、反射減衰特性に優れた光デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一部に壁面31を有する自由空間と、自由空間に向けて光ビームを出射する1以上の光出射手段と、当該自由空間を経て到達した光ビームが入射する1以上の光入射手段とを有する光デバイスの壁面31のいずれかの個所に、その個所を照射する不要光52が自由空間内に向けて反射されることを防ぐ終端導波路70などの反射防止手段を設ける。 (もっと読む)


【課題】散乱損失が低く、製造工程が簡単な垂直方向テーパ構造を持つ光結合器を提供する。
【解決手段】基板上に誘電体層と半導体結晶層を有し、この半導体結晶層の少なくとも一部に光の伝搬方向に沿って基板平面に垂直方向の厚さが徐々に変化する垂直方向テーパ構造を有し、この垂直方向テーパ構造部の上面のラフネスが前記半導体結晶層を構成する原子1層分程度である、光結合器。 (もっと読む)


【課題】充分に長い共振器長を確保できるとともに、作成が容易なこと。
【解決手段】基板12の第1主面12aに形成されていて、光を第1主面に対して垂直に入出射する光共振器であって、第1〜第3光ユニットからなる群より選択された1種又は複数種の光ユニットU1を備える第1光回路LC1を備えていて、第1光回路に含まれる光ユニットの合計数が2個以上の場合には、一方の光ユニットに属するグレーティングGと、他方の光ユニットに属するグレーティングとを平行に配置することを特徴とする光共振器。 (もっと読む)


【課題】透過スペクトル波形を調整可能な光波長合分波回路およびその調整方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、アレイ導波路回折格子(AWG)を備えた光波長合分波回路は、光スプリッタと、2つのアーム導波路と、光モード合成カプラと、テーパ導波路とを備える。光モード合成カプラは、一方のアーム導波路から入力される基底モード光を1次モードに結合させ、他方のアーム導波路から入力される基底モード光を基底モードに結合させる。テーパ導波路は、2次モード光を励起するように構成される。このような光波長合分波回路において、2つのアーム導波路の少なくとも一方の実効屈折率を変化させて、テーパ導波路の開口端での基底および2次モード光に対する1次モード光の位相差を変化させることにより、透過スペクトル波形を調整することができる。 (もっと読む)


【課題】細いコア部を有する光導波路でも高い寸法精度で効率よく形成可能な光導波路の製造方法、および、光導波路を配線基板上に簡単に配設し、これにより光電気混載基板を効率よく製造可能な光電気混載基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の光導波路の製造方法は、押出成形法により、基材6上に内層形成用材料1’(第1の材料)で構成された内層1と、この内層1を囲むように設けられ、外層形成用材料2’(第2の材料)で構成された外層2とを有する帯状の成形体3を得る成形工程と、成形体3の一部の領域に活性放射線を照射することにより、内層1中に3つのコア部11と側面クラッド部12とを形成し、光導波路10を得る露光工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】発光素子からの入力主路の幅が狭く、複数の分岐路から出射される光線の強度が大きい発光素子付光導波路を提供する。
【解決手段】発光素子付光導波路10は、分岐点16が主路14の導光方向17に沿って順次設けられており、主路14は発光素子11から遠ざかるに従って幅が狭くなっている。この構造の発光素子付光導波路10は、隣り合う分岐路15の間にスペース(クラッド層)が無いため幅W1が狭くできる。また、分岐路15が短かいため光伝送効率が良く、出射される光の強度が大きい。出射される光の均一性は従来の発光素子付光導波路と同等以上となる。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧を低くし、かつ、全長を短くすることが可能な光導波路スイッチを提供する。
【解決手段】光導波路スイッチ10は、基板の面内方向DR2においてゾルゲルガラスからなるコア4の両側面に電気光学ポリマからなるコア6,7をテーパ構造によって接触させた構造からなる。そして、電気光学ポリマからなる方向性結合相互作用領域のクラッド5をコア4,6,7に接触するように配置する。コア4、コア6,7およびクラッド5は、それぞれ、1.5、1.632、1.630の屈折率を有する。コア4,6,7およびクラッド5は、クラッド3によって囲まれている。また、クラッド5と接触するコア6,7の部分に電圧を印加するための電極13,14がそれぞれ設けられる。光導波路スイッチ10は、電極13,14への電圧の印加/不印加を制御することによってコア6またはコア7から導波光を出射する。 (もっと読む)


【課題】 大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる光デバイスおよび光送信器を提供する。
【解決手段】 光デバイスは、基板(30)と、基板に形成され曲がり部を有する第1光導波路(10)と、第1光導波路の曲がり部と交差する第2光導波路(20)と、を備え、基板において、第1光導波路の曲がり部の外側に溝(40)が形成されている。光送信器は、光デバイスと、入力光を強度変調して変調された第1変調光および第2変調信号を第1光導波路および第2光導波路にそれぞれ入力する強度変調部(210)と、第1光導波路を経由した第1変調光を第1データ信号で変調する第1変調部(220)と、第2光導波路を経由した第2変調光を第2データ信号で変調する第2変調部(230)と、第1変調部および第2変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部(240)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】交差部における光損失や光搬送波の混信を抑制し、高品質の光通信が可能な交差導波路、および光損失を抑制し、高品質の光通信が可能な光導波路を提供すること。
【解決手段】交差導波路10は、第1のコア部141と、第1のコア部141を覆う側面クラッド部15とを備える第1の光導波路1と、第2のコア部142と、第2のコア部142を覆う側面クラッド部15とを備える第2の光導波路2とを有し、各コア部141、142同士が交わるように第1の光導波路1と第2の光導波路2とが交差してなる導波路であって、導波路の交差部143よりも第1の光導波路1の入射側部分において、第1のコア部141の幅が、第1の光導波路1中の光の伝搬方向に進むにつれて徐々に拡大するように、第1のコア部141と側面クラッド部15との境界面と第2のコア部142と側面クラッド部15との境界面との交差部近傍がテーパー状になっている。 (もっと読む)


【課題】曲げ導波路における高次モードの励振そのものを防止できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、第1の幅を有する第1光導波路1と、第1光導波路1に接続され、曲げ部2Aを有すると共に第1の幅よりも狭い第2の幅を有する第2光導波路2と、第2光導波路2に接続され、第2の幅よりも広い第3の幅を有する第3光導波路3とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】柔軟性導波路構造及び光学的相互接続アセンブリが提供される。
【解決手段】前記柔軟性導波路構造は、薄膜ストリップコア、内部クラッド層、及び外部クラッド層を含む。前記薄膜ストリップコアは、対向する第1の面及び第2の面を有し、金属物質から成る。前記内部クラッド層は、前記薄膜ストリップコアの前記第1の面及び第2の面のうちの少なくとも一つを覆う。前記外部クラッド層は、前記内部クラッド層を覆う。前記内部クラッド層は、前記外部クラッド層の屈折率より高い屈折率を有する。 (もっと読む)


【課題】製造が容易でありかつ低コストで、良好な光の閉じ込め効果を有したスポットサイズ変換器を提供することにある。
【解決手段】スポットサイズ変換器11は、基板13上に形成されているクラッド15と、このクラッド内に埋め込まれているコア17とを具えている。このスポットサイズ変換器は、入出力端面25を有している。そして、コアは、光伝播方向27に沿って、入出力端面側に向かって先細となっている。また、クラッドには、光伝播方向に沿って、コアの両側に、基板面13aを露出させる溝部31a及び31bが、入出力端面まで延在して形成されている。 (もっと読む)


【課題】高速で駆動電圧が低く、かつバイアス電圧が小さく、製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1に形成された光導波路と、高周波電気信号用の中心導体及び接地導体からなる進行波電極と、バイアス電圧用の中心導体15a及び接地導体15bからなるバイアス電極とを有し、光導波路には進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなる光変調器において、バイアス電極は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路を構成するY分岐アームに沿ってバイアス電圧を印加するよう形成される。 (もっと読む)


【課題】方向性結合器及び光導波路を接続した光学素子であって、偏波無依存なものを提供すること
【解決手段】方向性結合器18の第1光導波路20a,20bと、第1光導波路に接続され、光を案内する第2光導波路22a,22bとを備える光学素子10において、第1及び第2光導波路の共通のクラッドを、第1クラッド14と第1クラッド上に設けられ、第1クラッドよりも屈折率が大きい第2クラッド16とで構成してあり、第1光導波路と、第2光導波路とを互いに一体的に連続して、幅W及び高さHが一定として第1クラッド上に形成してあり、第1及び第2光導波路の横断面形状を第1クラッドの表面に直交する方向に長い矩形状とする。 (もっと読む)


【課題】スポットサイズ変換器(SSC)を付加した光導波路回路を有する従来のPLCチップよりも歩留まりの向上と工程の簡素化を図れるSSCチップ、SSC付きファイバアレイ、SSC付きPLCモジュールおよびSSCチップの製造方法を提供する。
【解決手段】SSCチップ10は、4つのスポットサイズ変換器(SSC)11を有し、PLCチップとは別に作製される。各SSC11は、PLCチップの入出力導波路の端部と同じコア幅およびコア高さの直線導波路12と、コア幅が直線導波路12のコア幅から横方向にテーパー状に拡大した横テーパー導波路13と、コア高さが横テーパー導波路13のコア高さから縦方向にテーパー状に拡大した縦テーパー導波路14と、コア幅およびコア高さがともに拡大したスポットサイズ拡大部15と、を有する。PLCチップの入出力導波路の端部にSSCを加工する必要が無く、PLCチップの歩留まりが向上する。 (もっと読む)


【課題】ヘッド及び磁気記憶装置において、光スポット径のばらつきを抑制し、且つ、光の出射効率を向上することを目的とする。
【解決手段】磁気記録媒体に光を照射するヘッドにおいて、磁気記録媒体の表面から所定量浮上した状態で磁気記録媒体を走査する浮上面と、浮上面とは直交する方向に積層された積層構造を有する光素子を備え、光素子はコア部と光学的に接続した光伝搬部と光伝搬部のクロストラック方向を覆う外層部を有し、光伝搬部が前記浮上面に向かって狭まるテーパ部と、浮上面に露出しており光を出射する開口部と、テーパ部の先端と接続すると共に開口部の形状と同じ矩形の断面形状を直線状に伸ばした直方体形状を有する直線部を有し、テーパ部は、平面部と、内側に湾曲すると共に、基底モード光の干渉光が発生する光伝搬部の部分の位置より開口部側に位置する曲面部を含むように構成する。 (もっと読む)


【課題】幅方向に加えて膜厚方向にも寸法が漸次変化するテーパ形状のシリコンコアが、容易に形成できるようにする。
【解決手段】副パターン142は、主パターン141のテーパー形状の部分において、先端に行くほど主パターン141との間隔が広くなるように形成する。これらのように、酸化シリコン層103の上にレジストパターン層104を形成したら、よく知られたドライエッチング(反応性イオンエッチング)により、レジストパターン層104をマスクとして酸化シリコン層103を選択的にエッチングする。例えば、容量結合型高周波プラズマを用いたドライエッチング装置を用いればよい。また、エッチングガスとして、ハロゲン系ガスを用いる。 (もっと読む)


121 - 140 / 290