【課題】小さな寸法を有し、且つ光学性能に優れた光ハイブリッド回路を提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１０は、４つの入力チャネル１１と、４つの出力チャネル１２と、一方の端部に４つの入力チャネル１１が接続され、他方の端部に４つの出力チャネル１２が接続される多モード干渉カプラ１３と、を備える。多モード干渉カプラ１３は、一方の端部から他方の端部に向かって光を伝搬する。多モード干渉カプラ１３は、一方の端部１４から他方の端部１５側に向かって幅が漸減する第１部分１３ａと、この第１部分１３ａと接続され接続部分の幅を保持したまま一方の端部１４側から他方の端部１５側に向かって延びる第２部分１３ｂと、この第２部分１３ｂと接続され一方の端部１４側から他方の端部１５に向かって幅が漸増する第３部分１３ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】結合損失が低いとともに値のばらつきが少なく、かつ結晶品質が良好な半導体光導波路素子および半導体光導波路アレイ素子、ならびにその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、第１端部から第２端部に向かって幅と厚さとがテーパー状に減少するコア層を有するテーパー導波路を備え、前記コア層は、前記第１端部における層厚と前記第２端部における層厚との層厚比が１．５〜２．５であり、前記第２端部における幅が０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】光導波路デバイスの受光感度の低下を防ぎ、タッチ入力の誤判定を避ける。
【解決手段】光導波路デバイス１０は、先端１４から出射光１５を出射する複数のコア１３を有する光導波路１１と、出射光１５を受光する複数のフォトダイオード１６を有する受光素子１２とを含む。コア１３のピッチＬ１はフォトダイオード１６のピッチＬ２よりも大きい。フォトダイオード１６のピッチＬ２と、コア１３のピッヒＬ２の比Ｌ２／Ｌ１は０．１から０．８であり、１本のコア１３に対して１個より多いフォトダイオード１６が対面する。このようにすることにより、コア１３の出射光１５の有無を正しく判定できる。 （もっと読む）

【課題】温度無依存で使用することができるマッハツェンダ干渉器及びアレイ導波路グレーティングを提供する。
【解決手段】基板上の同一平面にプレーナ導波路としてそれぞれ形成されている、第１入出力光導波路１３と、第２入出力光導波路１５と、第１及び第２入出力光導波路端１３ａ及び１５ａ間を繋ぎ、互いに異なる光路長を有し、及び共通のクラッドを用いて形成された第１光導波路及び第２光導波路とを具える。第１光導波路１７には第１屈折率調節領域３３が、及び第２光導波路１９には第２屈折率調節領域３５が、それぞれ形成されており、かつ第１及び第２屈折率調節領域は、前記クラッドとは異なる材質の別のクラッドを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、湾曲部における光損失が極めて小さく、かつ、発光素子や受光素子等の光学部品を実装する際に高精度で位置合わせすることが可能な光導波路を提供することにある。また、前記光導波路を用いた光配線、光電気混載基板および電子機器を提供することにある。
【解決手段】本発明の光導波路は、コア部と前記コア部の周囲を覆うクラッド部を備える光導波路であって、前記コア部は長尺方向において少なくとも一部に湾曲部を有し、かつ、前記コア部の短尺方向の長さが適宜変化することにより、コア部の形状による光損失を抑制する。 （もっと読む）

【課題】光回路のパターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高い光路を簡単な方法で形成することができ、耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体１は、凸部２１および凹部２２が形成された基板２と、基板２の上面に形成された金属層５と、凹部２２内に形成され、コア層９３の両面にクラッド層９１、９２を積層してなる光導波路９と、凸部２１の外周の傾斜面に形成され、伝送光１８を反射する反射面９６１と、基板３と、発光素子１０と、受光素子１１と、電子回路素子１２とを備えている。コア層９３は、コア部９４とクラッド部９５とを有し、コア部９４は、活性放射線の照射と加熱とにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層９３に対し活性放射線を選択的に照射して所望形状に形成したものである。 （もっと読む）

【課題】温度無依存化を達成する。
【解決手段】等価屈折率の温度依存性が互いに異なる第１部分光導波路１２Ａ_１〜６と第２部分光導波路１２Ｂ_１〜６とが直列に接続された第１〜第６光導波路１２_１〜１２_６を備えた光導波路アレイ１４と、光導波路アレイの一端に接続された入力側平面導波路１６と、光導波路アレイの他端に接続された出力側平面導波路１８と、入力側平面導波路に接続された入力用光導波路２０と、出力側平面導波路に接続された出力用光導波路２２ａ〜２２ｃとが、Ｓｉを用いて、屈折率差が４０％以上のクラッドＣＬに形成されていて、第１〜第６光導波路において、（１）光導波路番号ｉが順次増大する毎に、光路長が一定値Δｌずつ増加し、（２）光導波路番号ｉ順次増大する毎に、全幾何学的長さが一定値ΔＬずつ増加し、（３）光導波路番号ｉ順次増大する毎に、前記第２部分光導波路の幾何学的長さが一定値ΔＬａずつ増加する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、ｉ線ステッパ等解像度が低いステッパを用いても電子ビーム露光技術あるいは液浸ArFエキシマーステッパ技術によると同等のシリコン細線光導波路の先鋭構造を実現することである。
【解決手段】先鋭構造を構成することになる一辺を一部に含むシリコン細線光導波路のコア構造を形成する工程と、該コア構造上にフォトレジストを塗布する工程と、先鋭構造を構成することになる他の一辺を一部に含むマスクパターンを用いて、先鋭構造を構成することになる他の一辺の外側の領域のフォトレジストが除去されるように該フォトレジストに開口を形成する工程と、該開口下に位置するコア構造をドライエッチングにより除去する工程とを含む先鋭構造を有するシリコン細線光導波路の作製方法。 （もっと読む）

【課題】電気通信システムなどで使用される光送信及び受信装置を提供する。
【解決手段】１つ又はそれよりも多くのレーザ４と、この１つ又はそれよりも多くのレーザ４の各々によって出力された放射線を強度変調する変調手段１０と、変調手段によって生成された変調放射線を例えば光ファイバ２２の中に出力するための出力手段とを含む送信装置２。装置は、使用時に１つ又はそれよりも多くのレーザ４から変調手段１０まで及び変調手段１０から出力手段まで放射線を案内する基板に形成された中空コア光導波路２０を含む。また、基板に形成された少なくとも１つの中空コア光導波路により、放射線が１つ又はそれよりも多くの光ファイバから１つ又はそれよりも多くの検出器まで案内されることを特徴とする受信器。組合せ受信器／送信器装置も示される。 （もっと読む）

【課題】交差に伴う損失を低減すると共に、端子間の距離を短くすることにより、交差部分を小型化して、PLC上の素子の集積密度を大きくする。
【解決手段】本発明は、両端でそれぞれ第１及び第２の入力端子に接続された第１の導波路と、両端でそれぞれ第１及び第２の出力端子に接続された第２の導波路とを備える。この第１の導波路と第２の導波路は近接して併走する区間を有して、この区間で方向性結合を生じ、第１の入力端子から入力した光は、相対する導波路に移行して、第２の出力端子から出力され、かつ、第２の入力端子から入力した光は、相対する導波路に移行して、第１の出力端子から出力される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型で低損失であり、設計の自由度の高い光導波路を提供すること。
【解決手段】複合光導波路１は、シリカ系コアを有する第１光導波路９と第１光導波路に接合され、Ｓｉ系コアを有する第２光導波路１１とを有し、第１光導波路９は、第２光導波路１１において許容される伝播損失に対応した導波路長を有し、第２光導波路１１は、第１光導波路９の最小曲げ半径よりも小さい半径を有する急峻曲がり部１３を有する。 （もっと読む）

【課題】平面状の簡易な製造工程で形成可能であり、低コスト化を実現することができるスポットサイズ変換導波路を得る。
【解決手段】この発明に係るスポットサイズ変換導波路は、導波路構造の途中においてコア上部の一定厚み層を平面テーパ状に狭めていく構造、または導波路構造の途中においてコア上部に一定厚み層を積み増し、その積み増し開始位置より段階的に平面テーパ状に前記の層の幅を広げていく構造を有する。この発明によれば、導波路を平面製造プロセスのみで実現でき、工程が簡易化されるため低コスト化が可能である。 （もっと読む）

【課題】小型でありかつ製造性が高い半導体光増幅器モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器への入力光または該半導体光増幅器からの出力光の一部をモニタするための第１半導体光検出器とを同一基板上に集積した半導体装置部と、前記半導体装置部に接続し、前記半導体光増幅器に対して前記入力光の入力または前記出力光の出力を行なう第１受動導波路と、前記第１受動導波路から分岐し前記入力光または前記出力光の一部を前記第１半導体光検出器に入力させる第２受動導波路とを同一基板上に形成した受動導波路部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 主信号が通る光導波路とオフ光導波路との結合効率低下を抑制しつつ、オフ光導波路の製造ばらつきが抑制されたマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ型光変調器は、電気光学効果を有する基板を備え、基板は、入力導波路部と、入力導波路部から分岐して接続される２つの中間導波路部と、２つの中間導波路部が結合して接続される出力導波路部と、出力導波路部の少なくともいずれかの脇に出力導波路部と離間して設けられ、２つの中間導波路部が結合する結合部から放出されるオフ光をガイドする副光導波路部と、を備え、副光導波路部は、開始点において出力導波路部よりも広い幅を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで低損失な、温度に依存しない導波路型光干渉計を提供する。
【解決手段】光分岐部、複数の長さの異なる光導波路、及び光結合部から構成される光干渉計が開示される。前記複数の長さの異なる光導波路の光路長の温度依存性を等しくするため、前記複数の長さの異なる光導波路の長手方向に平均したコア幅は、互いに異なるように調整される。 （もっと読む）

【課題】光の移行先としての第２の材料から成るコアの形成を不要にして、作製工程を単純化する。
【解決手段】本発明のスポットサイズ変換器は、シリコン光導波路を導波する光のスポットサイズを変換して、入出射端面において外部と光入出力を行う。このスポットサイズ変換器は、基板上に形成した下部クラッドと、該下部クラッド上に形成されたシリコン導波路コアと、該コアの上に積層される一種類のみの材料よりなる上部クラッドとを備える。シリコン導波路コアは、その幅がテーパー部で絞り込まれて、入出射端面とその近傍における狭幅部につながる形状にした。 （もっと読む）

【課題】例えば作製プロセスなどにおいて位相シフタ領域の導波路の幅や角度などが所望の値からずれてしまった場合であっても、特性が劣化してしまうのを抑制し、大きな作製トレランスが得られるようにする。
【解決手段】光デバイス１を、光信号を分岐する第１カプラ２と、光信号を干渉させる第２カプラ３と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第１導波路４と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第２導波路５とを備え、第１導波路４が、端部よりも幅が狭い部分を有する第１位相シフタ領域６を備え、第２導波路５が、端部よりも幅が広い部分を有する第２位相シフタ領域７を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】他の回路が集積されたバルク半導体基板に一体に集積可能な、光導波路及び光カップラを含む光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光導波路及びカップラ素子及びその製造方法は、バルク半導体基板、例えば、バルクシリコン基板からなる基板にトレンチを形成し、下部クラッド層をトレンチ内に形成し、コア領域を下部クラッド層上に形成して得られる。反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。このような光素子は、シリコンフォトニクス技術によって、チップまたは基板上に他の半導体回路、例えばＤＲＡＭメモリ回路チップ内に一体に集積されうる。 （もっと読む）

【課題】導波路型デバイスにおいて余剰光パワーを適切に終端する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、導波路型デバイスは、導波路端部からの光を終端するために遮光材が充填された終端構造を備える。この終端構造は、クラッドおよびコアを除去することによって光導波路上に溝を形成し、その溝内を光の強度を減衰させる材料（遮光材）で満たすことで形成することができる。これにより、終端構造に入射する光が遮光材によって減衰され、クロストーク成分となって他の光デバイスに与える影響を抑制することができる。このような終端構造により、同一基板内に集積される光デバイス同士での影響だけではなく、その基板に直接接続される他の光デバイスなどに対する影響も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信号伝送特性を向上させる要求に応える光導波路部材を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる光導波路部材６は、上記課題を解決するため、第１クラッド層１５ａと、該第１クラッド層１５ａ上面に積層された第２クラッド層１５ｂと、第１クラッド層１５ａ及び第２クラッド層１５ｂに取り囲まれ、第１クラッド層１５ａ及び第２クラッド層１５ｂよりも屈折率が高いコア層１６と、を備え、コア層１６は、第１クラッド層１５ａ上面に面当接する第１当接面１６ａ１を有する下面と、第２クラッド層１６ａ２に面当接し、第１当接面１６ａ１と少なくとも一部が平面視で重畳する第２当接面１６ａ２を有する上面と、第１当接面１６ａ１及び第２当接面１６ａ２よりも外側に突出した突出部１６ｂを有する側面と、を有するものである。 （もっと読む）