【課題】近接場光の伝達効率の減少を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】金属と無機酸化物とが３次元的に共に連続的な構造の複合体からなる近接場光導波部４と、近接場光導波部の一端に近接場光を導入する近接場光励起部６と、近接場光導波部の他端から近接場光を出力する近接場光出力部８と、を備えている。近接場光導波部４は、金属／無機酸化物の複合体からなっており、良好な導波効率を得るためには、酸化物の割合ａ（ｖｏｌ％）、金属の割合をｂ（ｖｏｌ％）とした場合に、７０≦ａ≦９５，５≦ｂ≦３０の高密度な構造体であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】コアとなる電気光学材料に電荷が注入されるのを抑制し、電気光学素子の内部を伝搬する光ビームのビーム形状歪みを防止することが可能な電気光学素子を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学素子１は、電気光学材料からなる薄膜をコア層４としてコア層４の両側に誘電体材料からなるクラッド層を介して光導波路２が形成されかつコア層４はクラッド層を介して対向する一対の電極層７ａ、７ｂの間に配置され、一対の電極層７ａ、７ｂに電圧Ｖを印加することによりコア層４の屈折率が変化する。
クラッド層は第１クラッド層５ａ、５ｂと第２クラッド層６ａ、６ｂとからなる。第２クラッド層６ａ、６ｂの誘電率は第１クラッド層５ａ、５ｂの誘電率よりも大きく、かつ、第２クラッド層６ａ、６ｂの膜厚は第１クラッド層５ａ、５ｂの膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

光導波路のコアの上面に、該コアより屈折率の低い低屈折率材料からなる溝部充填体で充填された溝部を有する基板型光導波路デバイスの製造方法であって、高屈折率材料層を形成する第１の高屈折率材料層形成工程と、前記高屈折率材料層の上に、前記低屈折率材料からなる低屈折率材料層を形成する低屈折率材料層形成工程と、前記低屈折率材料層の両側方を除去して前記溝部充填体を形成する溝部充填体形成工程と、前記溝部充填体の両側方を充填するように、高屈折率材料層を形成する第２の高屈折率材料層形成工程と、を有する基板型光導波路デバイスの製造方法。
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【課題】 導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。
【解決手段】 光導波路の一部分の複素屈折率を変化させることによって光の透過量を変化させる導波路型光ゲートスイッチであって、光導波路は、光軸方向において互いに対向する一対のコア層と、一対のコア層の間に配置された相変化材料部と、一対のコア層及び相変化材料部を覆うクラッド層とを有するとともに、相変化材料部に、相変化材料部の相を変化させる相変化手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。
【解決手段】光強度検出部１０６を囲うようにスラブ層１０２に形成された下部クラッド層に達する溝部１０７を備える。溝部１０７により、光強度検出部１０６が、他の領域より、電気的に分離された状態となる。また、溝部１０７により、モニター導波路のシリコンコア１０１ａも分離されるが、この分離された間に、溝部１０７によるシリコンコア１０１ａの２つの端部の各々に接続し、互いに離間するシリコンコア１１１ａおよびシリコンコア１１１ｂを備える。また、シリコンコア１１１ａおよびシリコンコア１１１ｂの間を中心として一部のシリコンコア１１１ａおよび一部のシリコンコア１１１ｂを覆うスポットサイズ変換部コア１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結合損失の偏波依存性の少ないスポットサイズ変換光導波路部を有する光学素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、スポットサイズ変換光導波路部が少なくとも２つの隣接する第一の領域と第二の領域からなり、素子内部側に位置する第一の領域は、素子先端側に位置する第二の領域の方向、即ち、素子先端方向に沿って幅が減少し、先端においてモードフィールドの偏波依存性を有する逆テーパー状の第一のコアが備えられ、第二の領域は、第一の領域との接続面において対比すると、第一の領域の第一のコアと該第一のコアに接する第一のクラッドの少なくとも一方に対し、幅、又は高さ、又は材質が異なる構造とされ、ＴＥ−ｌｉｋｅモードと、ＴＭ−ｌｉｋｅモード各々の外部素子との結合効率のモード間の差が小さくなるように形成される断面が備えられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】演色性や色再現性を向上する導光板、バックライト、ディスプレイ装置、照明装置および導光板の製造方法を提供する。
【解決手段】導光板１は、第１の部分４ａと、第２の部分４ｂとを備え、６１１ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長の光の強度を選択的に高めることが可能であることを特徴とする。第１の部分４ａは、主面４ａ１を有し、かつ第１の屈折率を有する。第２の部分４ｂは、第１の部分４ａに主面４ａ１側から見て周期的に形成され、かつ第１の屈折率と異なる第２の屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路において、下部クラッド層中に残留する泡に起因する下部クラッド層およびコア溝の形成不良が生じ難い光導波路の製造方法およびそれに用いる型を提供する。
【解決手段】光導波路の製造方法は、ソフトリソグラフィーを利用し、コア溝とコア溝の両側に間隔を空けて略平行に併設されたスペーサ溝に対応する凸部を有する第２の型（凸型）を用いて、基板上に、コア溝とコア溝の両側に間隔を空けて略平行に併設されたスペーサ溝とを有する下部クラッド層を形成する。第２の型は、上記スペーサ溝対応凸部の長手方向に垂直な断面の形状が、スペーサ溝底面に対応する凸部の下端辺がスペーサ溝上端面に対応する凸部上端辺よりも短い逆台形状であり、少なくともコア溝対応凸部側のスペーサ溝対応凸部の辺が傾斜している。 （もっと読む）

【課題】振り角の一層の拡大を達成し得るフォトニック結晶を用い、しかも、簡素な構成、構造を有する光反射装置を提供する。
【解決手段】光反射装置１２は、光入射面１３、光反射膜１５が形成され、光入射面１３から入射した光が反射される光反射面１４、及び、光反射面１４で反射された光が出射される光出射面１６を備えており、断面形状が楕円形の空孔１１が内部に配列された２次元以上のフォトニック結晶１０から成り、空孔１１の配列は面心配置であり、且つ、フォトニック結晶１０のｘ軸方向に沿った空孔１１の配列ピッチＰＴ_xとｙ軸方向に沿った空孔１１の配列ピッチＰＴ_yとは異なっており、波数空間上での分散面の形状はアスペクト比４以上の長方形である。 （もっと読む）

【課題】光学素子の切断位置にばらつきが生じた場合であっても、外部の光学素子との結合効率のばらつきの発生を低減でき、安定的な結合効率を有する光学素子の提供。
【解決手段】基板２上方にスポットサイズ変換光導波路部を有する光学素子１であって、前記スポットサイズ変換光導波路部が、互いに隣接する第一の領域Ｂと第二の領域Ｃを少なくとも有し、第一の領域Ｂは、光の伝搬方向において素子内部側に位置して、第一のコア６及びクラッド３Ｂを有し、第二の領域Ｃは、光の伝搬方向において素子先端側に位置して、第二のコア２１を有し、第一のコア６は、第二の領域Ｃに向けて、基板２の底面に対して略平行な方向の幅が減少する逆テーパー状であり、第二のコア２１が、第一の領域Ｂと第二の領域Ｃとの接続面において、基板２の底面に対して略垂直な方向に、第一のコア６及びクラッド３Ｂの合計の高さよりも低い高さを有することを特徴とする光学素子１。 （もっと読む）

【課題】加熱素子または冷却素子とコアとの間の熱伝導を効率させつつ、光吸収や光損失を抑制する。
【解決手段】熱光学効果によって光導波路を伝搬する光の位相を変化させる光回路素子であって、クラッド１１ａと、クラッド１１ａによって覆われたコア１１ｂとからなる光位相シフト導波路１１と、ヒーター１２と、クラッド１１ａ内に埋設され、ヒーター１２とコア１１ｂとを熱的に接続する伝熱部材としてのカーボンナノチューブ１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が強い３次元フォトニック結晶を少ない工程で製造する。
【解決手段】 周期構造を持つ層を積層することにより３次元フォトニック結晶を製造する方法であって、１以上の前記周期構造を持つ層を備える第１の構造体と第２の構造体をそれぞれ形成する構造体形成工程と、第１の構造体と第２の構造体を接合する接合工程とを含む。第１の構造体の第１の接合層と第２の構造体の第２の接合層は３次元フォトニック結晶の１つの層を分割したときの一方の層と他方の層とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングや真空プロセスを用いることなくコア材料の余剰分を除去してコア形状の整った光導波路を形成する上で有利な光導波路の製造方法を提供する。
【解決手段】コアを形成するための溝部４が型面に開口している型１を用意し、型１の型面にカバー層３を形成する。カバー層３の上から溝部２にコア材料４を充填する。コア材料４が硬化することで溝部２にコアが形成された後、カバー層４を型１から除去することで溝部２にコアを残存させる。この際、コア余剰分はカバー層３と共に除去される。型面およびコア上部を覆うように未硬化のクラッド材料５を塗布しこのクラッド材料５を硬化させ型１からコアおよび硬化したクラッド材料５を剥離し逆さ向きにする。クラッド材料５の反対面にもクラッド材料５を塗布・硬化することでクラッド層を形成する。これにより、コアがクラッド層に埋め込まれ、光導波路が形成される。 （もっと読む）

【課題】光変調部において厚さ１０μｍ以下の薄板を採用して速度整合を図った光変調器において、光変調器と外側の光ファイバとの間の結合損失および光変調器内部での結合損失を抑制することである。
【解決手段】光変調器１０Ａは、支持基板１、電気光学材料からなる変調用基板３、この変調用基板３の一方の主面側３ａに設けられている光導波路４、変調用基板３の他方の主面３ｂ側に設けられており、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する電極、および変調用基板３の一方の主面３ａを支持基板１へと接着する接着層２を備える。変調用基板３が、少なくとも光導波路４を伝搬する光の変調を行うための厚さ１０μｍ以下の変調部７と、変調部７よりも厚い光ファイバ結合部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一な粒径を有する金属酸化物微粒子を簡便に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物からなる微粒子を製造する方法であって、溶媒中の金属アルコキシドに可視光のみを照射する工程を有するようにした。可視光を照射することにより、ゾルゲル法における金属アルコキシドの加水分解が適度に促進されて、ゾルが安定した状態で生成されるため、得られる微粒子の粒径を均一に揃えることができることになる。 （もっと読む）

【課題】十分な光伝送能力を有する光導波路の製造方法を提供する。
【解決手段】感光性を有する樹脂層の所定箇所に光照射した後に光照射されていない箇所を現像液で除去するフォトリソグラフィーにより光導波路のパターンを形成する製造方法であって、前記現像液に対する溶解性を有するコア材料からなるコア層を形成する工程と、前記コア層の表面上に、感光性を有しており且つ光照射前において前記現像液に対する溶解性を有するクラッド材料からなるクラッド層を形成する工程と、前記クラッド層の所定箇所に光照射した後に、前記現像液により光照射されていない箇所を除去して前記クラッド層のパターンを形成すると共に、該パターン形成がされたクラッド層をレジストマスクとして前記コア層のパターンを形成して、コア１０と前記コア上に形成された上部クラッド１１とを備える光導波路を得る工程と、を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。 （もっと読む）

【課題】散乱損失が低く、製造工程が簡単な垂直方向テーパ構造を持つ光結合器を提供する。
【解決手段】基板上に誘電体層と半導体結晶層を有し、この半導体結晶層の少なくとも一部に光の伝搬方向に沿って基板平面に垂直方向の厚さが徐々に変化する垂直方向テーパ構造を有し、この垂直方向テーパ構造部の上面のラフネスが前記半導体結晶層を構成する原子１層分程度である、光結合器。 （もっと読む）

【課題】充分に長い共振器長を確保できるとともに、作成が容易なこと。
【解決手段】基板１２の第１主面１２ａに形成されていて、光を第１主面に対して垂直に入出射する光共振器であって、第１〜第３光ユニットからなる群より選択された１種又は複数種の光ユニットＵ１を備える第１光回路ＬＣ１を備えていて、第１光回路に含まれる光ユニットの合計数が２個以上の場合には、一方の光ユニットに属するグレーティングＧと、他方の光ユニットに属するグレーティングとを平行に配置することを特徴とする光共振器。 （もっと読む）

【課題】温度が変化しても共振波長を一定に保つことが可能な光スイッチ装置を提供する。
【解決手段】交流電源５６は、光共振器の共振波長の元の共振波長からの波長シフトを検出するための交流電圧を電極４１を介して光共振器３に印加する。光検出器５１は、交流電圧が光共振器３に印加されたときの光導波路２の出力光の強度を検出する。交流アンプ５２は、光検出器５１から受けた出力光の強度を増幅する。同期検波回路５３は、交流アンプ５２によって増幅された出力光の強度を整流し、積分器５５は、整流された出力光の強度を積分し、その積分した積分値に相当する直流電圧を光共振器３に印加する。積分器５５は、光共振器３における波長シフトがなくなるまで直流電圧を繰返し印加し、波長シフトがなくなったときにキャパシタ５５２に蓄積された電荷によって生じる直流電圧を光共振器３に印加する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり、リップルを抑制して光の利用効率を高めることが可能な光導波路、光伝送装置及び光伝送システムを提供する。
【解決手段】光伝送装置１は、発光素子２１からの入射信号光を伝搬する光導波路１０と発光素子２１からの入射信号光を反射する誘電体フィルタ１５とを備えている。発光素子２１からの入射信号光の光軸は誘電体フィルタ１５に対してほぼ垂直に入射する方向に設定されている。この光伝送装置１を光送信装置及び光受信装置として用い、光ファイバ２を介して光送信装置及び光受信装置間を接続して双方向光伝送を行う。 （もっと読む）