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Fターム[3C043CC04]の内容

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Fターム[3C043CC04]に分類される特許

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【課題】平面加工による加工精度を向上させることができる保持装置を提供する。
【解決手段】ウェハ保持装置50は、ウェハ30に隣接して設けられ被研磨面31に研磨部材42を当接させてウェハ30の研磨を行うときに研磨部材42の被研磨面31からのはみ出し部分の少なくとも一部を支持するガイド装置70を備えている。そして、ガイド装置70は、周面のうちの研磨部材42側に位置する上端部が上記はみ出し部分の少なくとも一部を支持するように被研磨面31と同一面上に位置する回転自在の複数のガイドローラ80を有して構成される。 (もっと読む)


【課題】異なる種類の加工工具を選択的に交換使用して異なる方式の加工処理を施す場合の対応が容易な加工装置を提供する。
【解決手段】スピンドル131に配設され、チャックテーブル4上に保持された被加工物Wとスピンドル131に装着された加工工具との間の圧力を計測する圧力計測手段170と、測定部位に対して進退自在に設けられて、チャックテーブル4上に保持された被加工物Wの厚さを計測する厚さ計測手段180とを備えることで、圧力計測手段170の計測結果に基づいて加工制御しながら加工を施す場合には厚さ計測手段180を測定部位に対して退避させるが、厚さ計測手段180の計測結果に基づいて加工制御しながら加工を施す場合には厚さ計測手段180を進出させて測定部位に位置付けるようにした。 (もっと読む)


【課題】半導体基板裏面を高スループットで研削、研磨加工し、基板を薄肉化・平坦化することができる異物の付着が少ない半導体基板を製造する平坦化装置の提供。
【解決手段】半導体基板の裏面研削加工ステージ前にエッジ部をテープ研磨する位置あわせ機能付きエッジ研磨機器150を設け、エッジ研磨することにより半導体基板の割れやエッジ部チッピング防止を図り、基板裏面研磨ステージ後に薬剤洗浄機器9を設け、平坦化加工された極薄厚の半導体基板に付着する粒径1μm以下の異物の個数を100個以下にできる。 (もっと読む)


【課題】 デバイスの裏面にチッピングを生じることのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面に僅かにマイクロクラックが残存するようにウエーハの裏面を研削し、環状フレームに装着された粘着テープ上にウエーハの裏面を貼着し、切削装置のチャックテーブル上に該環状フレームに装着されたウエーハを該粘着テープ側を下にして保持し、切削ブレードの切刃が該粘着テープを切り込むようにウエーハの分割予定ラインに該切削ブレードを位置付けて分割予定ラインを完全切断する、各工程を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 任意のクラウニング形状に効率良く研削加工できる研削装置および方法を提供する。
【解決手段】 この研削装置は、回転中心O1に対して略垂直なワーク接触面1aを有し回転駆動される駆動定盤1と、回転駆動されるキャリア3と、ワークWを研削する砥石2とを備える。キャリア3には、ワークWをキャリアWの両面に突出状態でかつ前記駆動定盤1に接触状態に保持する複数の放射状のワーク保持溝8が設けられる。キャリア3の外周における円周方向の一部には、キャリア3から離れて設けられてキャリア3内のワークWの端部を案内する円弧状のガイド24が設けられる。前記砥石2は、前記駆動定盤1の回転軸心O1に対して傾斜した回転軸心O2を有し、前記キャリア3、駆動定盤1、およびガイド24によって支持されているワークWを研削する。この砥石2の断面形状は、ワークWの外径面に転写させるクラウニング形状とされる。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハの表面から保護テープを容易に剥離可能なウエーハの研削方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、該ウエーハの前記外周余剰領域に少なくともウエーハの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、該保護テープ側を下にして研削装置のチャックテーブル上にウエーハを保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハの厚みを仕上がり厚さに形成するとともに、該切削溝より外周側を耳部として分離するウエーハの研削工程と、該チャックテーブルからウエーハを搬出し、ウエーハの表面から該耳部とともに該保護テープを剥離する保護テープ剥離工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 従来法に比べて半導体ウェーハの製造工程全体の短縮につながり、かつ半導体ウェーハの取り代を大幅に低減して、半導体材料のカーフロスを削減して安価に半導体ウェーハを得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性インゴットから薄円板状の素材ウェーハを切り出すスライス工程と、前記素材ウェーハを、固定砥粒を有するパッドをそれぞれ具える1対の上下定盤間に挟み込み、前記素材ウェーハの両面を同時に研削する固定砥粒研削工程と、固定砥粒研削工程の後に、前記素材ウェーハに所定の熱処理を施す熱処理工程と、熱処理工程後の後に、前記素材ウェーハの両面をそれぞれ研磨する片面研磨工程とを具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】微少角度の調整を高精度で容易にできると共に、調整後の装置全体の剛性を十分に確保することができるようにする。
【解決手段】ワーク装着面4を有するワーク装着体24と、このワーク装着体24を回転自在に支持する回転体7とを備え、回転体7はその軸心に対して傾斜する傾斜角調整面8を有し、ワーク装着体24はワーク装着面4の反対側にワーク装着面4に対して傾斜し且つ回転体7の傾斜角調整面8に面接触する傾斜角調整面9とを有し、回転体7に傾斜角調整面8,9に対して略垂直にワーク装着体24側へと突出してワーク装着体24を相対回転自在に支持する傾斜角調整軸36を設け、回転体7とワーク装着体24とを傾斜角調整軸36廻りに回転調整可能に結合する結合手段14を備え、回転体7とワーク装着体24とを傾斜角調整面8,9に沿って傾斜角調整軸36廻りに相対回転させてワーク装着面4の傾斜角を調整する。 (もっと読む)


【課題】粗研削手段によって研削されたウエーハを仕上げ研削手段によって研削する際に、ウエーハに対する所謂食いつきを良好にして面焼けの発生を防止することができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】粗研削工程は粗研削ホイールの研削面の外周をチャックテーブル6に保持されたウエーハ15の中心から偏芯した位置に位置付けて実施することによりウエーハ15の中心部に未研削部を残存させ、仕上げ研削工程は仕上げ研削ホイールの研削面がチャックテーブル6に保持されたウエーハ15の中心を通過するように位置付けて実施することにより未研削部を研削する第1の仕上げ研削工程と、第1の仕上げ研削工程と継続して実施し未研削部が研削されたウエーハ15の全面を研削する第2の仕上げ研削工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】微少角度の調整を高精度で容易にできると共に、調整後の装置全体の剛性を十分に確保することが可能であり、操作性、精度性及び剛性に優れたものとする。
【解決手段】ワーク装着面を有するワーク装着体と、このワーク装着体を回転自在に支持する回転体とを備え、この回転体はその軸心に対して傾斜する傾斜角調整面を有し、ワーク装着体はワーク装着面の反対側にこのワーク装着面に対して傾斜し且つ回転体の傾斜角調整面に面接触する傾斜角調整面を有し、回転体の軸心上の球面中心廻りに両傾斜角調整面に沿ってワーク装着体と回転体とを回転調整可能に結合する球面結合手段を設け、両傾斜角調整面に沿って球面中心廻りに回転体とワーク装着体とを相対回転させてワーク装着面の傾斜角を調整する。 (もっと読む)


【課題】 研削又は研磨された被加工物の外周状態を確認可能な加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の裏面を所望の厚みに研削又は研磨する加工手段と、研削又は研磨された被加工物を洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置と、該スピンナ洗浄装置を制御する制御手段とを備えた加工装置であって、前記スピンナ洗浄装置は、被加工物と略同径以上の径を有し被加工物を保持して回転するスピンナテーブルと、被加工物へ洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、該スピンナテーブルの被加工物保持面より上方に配置され、洗浄及びスピン乾燥された被加工物の外周部を撮像して破損を検出する照明手段を含む撮像手段とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 大型の装置を必要とすることなく、大型のウエーハを研削・研磨できる加工装置を提供することである。
【解決手段】 板状物を分割した後に該板状物の裏面を研削若しくは研磨を行う加工装置であって、板状物を保持する分割用チャックテーブルと、板状物の切削領域を検出する撮像手段と、該分割用チャックテーブルに保持された板状物を分割して4個以上の分割片を形成する切削手段と、該分割片の形状に対応した吸着領域を有し、該分割片を吸着保持する研削・研磨用チャックテーブルと、該分割片を該分割用チャックテーブルから該研削・研磨用チャックテーブルへと搬送する搬送手段と、該研削・研磨用チャックテーブルに対峙して配設され、該研削・研磨用チャックテーブルに吸着保持された分割片を研削若しくは研磨する加工手段と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板裏面を高スループットで研削、研磨加工し、基板を薄肉化・平坦化することができるフットプリントがコンパクトな基板平坦化装置の提供。
【解決手段】 基板収納ステージ13を室外に備え、室内にはベース11上に多関節型搬送ロボット14、位置合わせ用仮置台15、移動型搬送パッド16、基板ローディングステージS1、粗研削ステージS、中仕上研削ステージS、仕上研削ステージS、基板アンローディングステージSの5つのステージを構成する部材の基板ホルダー30a,30b,30c,30d,30eを第1インデックス型回転テーブル2に同心円上に配置した研削加工ステージ20、基板ローディング/アンローディング/仕上研磨ステージpsを構成する基板ホルダーテーブル70aと、粗研磨ステージpsを構成する基板ホルダーテーブル70bを第2インデックス型回転テーブル71に同心円上に配置した研磨加工ステージ70を設けた基板平坦化装置10。 (もっと読む)


【課題】大口径化したウェーハであっても、従来と同様の平坦度を有するシリコンウェーハを、優れた生産効率で得ることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理ウェーハをキャリアに保持して上下の回転定盤間で回転させることにより、前記半導体ウェーハの両面を同時に研削する半導体ウェーハ研削方法。前記キャリアにおける前記ウェーハ保持位置が、前記複数のウェーハの中心を同一の円周上に位置するとともに、 前記複数のウェーハ中心を通る円と単一の前記ウェーハとの面積比を、1.33以上2.0未満となるよう設定し、前記回転定盤の固定砥粒表面は格子状に設けられたペレットから構成され、中心部および周辺部に設けられたペレットは、中心部および周辺部の間の中間部に設けられたペレットより寸法が大きい。 (もっと読む)


【課題】両頭研削において、ウェーハのノッチ周辺の変形を抑制してナノトポグラフィーを改善し、また、ウェーハ及びホルダーの破損率を低減して製品歩留まりの向上と装置コストの削減をすることができる両頭研削装置及びウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、結晶方位を示すノッチを有する薄板状のウェーハを、前記ノッチに係合する突起部を有し、径方向に沿って外周側から支持する自転可能なリング状のホルダーと、前記ホルダにより支持されたウェーハの両面を同時に研削する一対の砥石とを具備する両頭研削装置であって、前記ホルダーに、前記結晶方位用のノッチに係合する突起部とは別に、少なくとも1つ以上の突起部を設け、該突起部を、前記ウェーハに形成されたウェーハ支持用のノッチと係合させてウェーハを支持して回転させ、前記一対の砥石で前記ウェーハの両面を同時に研削する両頭研削装置。 (もっと読む)


【課題】スラリーを含まない水を用いて研磨できる研磨装置と研磨方法を提供する。研磨面をドレッシングすることなく、研磨面を容易に交換できる研磨装置を提供する。短時間で鏡面まで研磨加工することができる研磨装置と研磨方法を提供する。
【解決手段】被加工物(14)を研磨加工する研磨装置は、第1の回転軸(A1)の周りに回転する上定盤(7)と、上定盤を回転させる回転駆動機構と、第2の回転軸(B1)の周りに回転する下定盤(6)と、下定盤を回転させる回転駆動機構と、被加工物を挟んで保持するため、上定盤の下面と下定盤の上面の少なくとも一方に貼り付けられた研磨フィルム(12)とを備える。更に、被加工物を研磨する加工空間に水を供給するための水供給装置を備える。下定盤の第2の回転軸は、第1の回転軸の周りに公転するとともに、下定盤は、第2の回転軸の周りに回転する。 (もっと読む)


【課題】 効率よくばねを冷却しながら両端面の研削が可能なコイルばねの両端研削機の提供。
【解決手段】 互いの端面が対向した状態で共に回転し少なくともその一方が砥石軸線方向に切込移動可能な1対の砥石車20,21と、外周に沿ってコイルばね保持穴62Aが砥石軸線方向に貫通して設けられたコイルばね案内盤62と、コイルばね保持穴62Aを砥石間領域R1にかかるようにコイルばね案内盤62を進退させるコイルばね案内盤移動機構50と、砥石車20,21の研削面20a,21aと略同一面の摺動面を有し、内部に冷却媒体を通過可能な流路75p,55pが形成されて、摺動面同士を対向して設けた冷却プレート75A,75B及び55A,55Bとを備え、両端が研削されたコイルばね90が、冷却された冷却プレートの摺動面の間を押圧されて通過するようにした。 (もっと読む)


【課題】樹脂層等の研削を安定的に行うことができる研削方法及びその研削方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に形成された樹脂層30の表層部を、複数の砥粒2が結合材4により保持された砥石36により研削する工程を有し、樹脂層の表層部を研削する工程では、樹脂層のうちの少なくとも砥石により研削される部分を冷却した状態で、樹脂層の表層部を研削する。 (もっと読む)


【課題】インゴットの平坦面にコーン状の疑似端部を簡単に装脱着することができ、研削加工工程時間を削減し、製品歩留まりの低下を抑制することができる円筒研削方法、及びその方法で用いられる固定アダプタを提供することを目的とする。
【解決手段】インゴットの平坦面に、コーン状の疑似端部を接合し、インゴットのコーン状の端部と疑似端部を把持して前記直胴部を研削する円筒研削方法であって、前記疑似端部と前記インゴットの平坦面を接合するための固定アダプタを、前記インゴットの平坦面に吸着させ、前記固定アダプタの疑似端部装着手段により前記固定アダプタに前記疑似端部を装着させることで、前記インゴットの平坦面に前記コーン状の疑似端部を接合し、前記コーン状の端部と疑似端部を保持して前記インゴットの直胴部を研削することを特徴とするインゴットの円筒研削方法。 (もっと読む)


【課題】セルフ研磨への切換の作業能率を向上することを目的とする。
【解決手段】上砥石車7に於て、ワーク研削砥石3を固定するクサビ状取付具4には、余備ネジ孔10, 10を設ける。この余備ネジ孔10, 10を利用して、セルフ研磨作業のためのセルフ研磨砥石を固着する。 (もっと読む)


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