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Fターム[3C049AA07]の内容

3次曲面及び複雑な形状面の研削、研磨等 (13,165) | 装置の構造(工具) (4,425) | 工具の種類 (1,832) | 砥粒を用いるもの(ラップ加工) (311)

Fターム[3C049AA07]に分類される特許

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【課題】大掛かりで高価な加工装置や測定器を必要とせずに、凹状のシリンドリカル面を研磨することができる高精度で安価な研磨治具と研磨方法を提供する。
【解決手段】円柱形の研磨棒50と研磨棒50を固定する受け部14を有する保持部材12とで構成した研磨治具。円柱形の研磨棒50には、研磨剤を保持するための多数の溝52が設けられている。保持部材12に設けられた受け部14の内側のエッヂ部16は、高精度且つ平行に出来ており、研磨棒50はエッヂ部16に接触し支持される。前記円柱形の研磨棒50と保持部材12の受け部14との間に出来る空間に接着剤を用いて、両者を接着固定する。保持部材12には取付穴13が設けられていて、研磨台などへの取付けができる。 (もっと読む)


【課題】改善された表面構造を有するIII−N基板及びIII−Nテンプレートを提供すること。
【解決手段】平滑化剤により平滑化されたIII−N、特にIII−N基板又はIII−Nテンプレートの平滑化方法であって、IIIが、Al、Ga及びInから選択された周期表のIII族の少なくとも1つの元素を示し、平滑化剤が研磨粒子として立方晶窒化ホウ素を含む。この平滑化方法により、基板又はウェハの表面全体にわたって表面粗さが均質性に非常に低く、少なくとも40mmの直径を有する大型のIII−N基板又はIII−Nテンプレートを提供することができる。そして、白色光干渉計を用いたウェハ表面上のマッピングにおいて、rms値の標準偏差が5%以下となる。併せて、表面上又は表面付近の領域において非常に優れた結晶品質を実現できる。これは、例えばロッキング曲線マッピング及び/又はマイクロラマンラッピングによって測定することができる。 (もっと読む)


【課題】薄片化、高周波化した水晶片の研磨で周波数を測定しながらノイズなく研磨する研磨装置が求められていた。
【解決手段】上下定盤を有し、上定盤と下定盤3にキャリア4をはさみ、キャリア4の孔の中に被加工物を1入れ、砥粒により研磨しながら周波数を測定する研磨装置で、上定盤または下定盤2に設置された周波数測定用電極7の周辺に金属製の筒8が設置され、電気的に定盤と接続されている研磨装置で、周波数を測定しながらノイズのない安定した研磨が実現した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体ウエハーのエッジ研磨装置であって、特にその表裏エッジを同時に研磨することができる研磨装置及び研磨方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体ウエハーの表裏エッジ同時研磨装置では、半導体ウエハーの中心に関して互いに反対側にあるエッジ部分を同時に研磨するための弧状の研磨プレートからなる研磨面211、311を有するとともに、略長方形の2つの研磨プレート21、31が使用され、これらを、十字状に互いに向き合わせ、回転可能に支持された半導体ウエハーWを包み込むようにし、それぞれの研磨プレート21、31に、研磨圧と上記球面に沿った揺動運動を与え、研磨部にスラリーを供給するとともに半導体ウエハーを回転させる。 (もっと読む)


【課題】複数回に分けて研磨加工を行っても研磨プロファイルのゆらぎを小さくすることができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨方法は、各研磨ステージにおいて、研磨ヘッドを用いて半導体ウェハの表面を研磨加工する研磨工程が行われ、研磨工程の後、次の研磨ステージへ回動されるようになっており、搬送ステージから順次回動されて搬送ステージに戻る直前に位置決めされる最終の第3研磨ステージにおいてのみ、研磨工程(ステップS121)の後、半導体ウェハの表面に洗浄水を供給してウェハ表面の洗浄を行う水掛工程(ステップS122)が行われ、水掛工程の後、搬送ステージへ回動されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】 非接触での磁気研磨を行うことにより、厚さが極めて薄く脆弱なウェハ材料についてもベベル加工が良好に行えるウェハ研磨装置を提供すること
【解決手段】 研磨バイト2には先端に永久磁石20を設けて磁場発生源とし、少なくともx軸,y軸について多軸制御が行える駆動手段へ連係する。研磨対象のウェハ材料1は接着ワックス5により支持台3に固着させ、そのウェハ材料1に対して研磨バイト2が非接触に対面する配置とし、砥粒を混合してある磁気研磨液4を周辺に存在させ、駆動手段を起動することで研磨バイト2には所定の運動動作を行わせ、磁気研磨液4に生成した磁気クラスタにより流体研磨を行う。ウェハ材料1のエッジ部位では天地(平面側)と周縁(側面側)との両方から砥粒の研削作用があり、このため集中的に研削が進む。その結果、当該エッジ部位を丸く削ることができ、傾斜に仕上げるベベル加工が行える。 (もっと読む)


研磨された圧電材料を備えるアクチュエータを有するデバイスについて記載する。研磨された圧電材料を形成する方法は、焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することと、焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することとを含む。その後、焼成された圧電材料のブロックの研磨された表面をデバイス層に結合してアクチュエータを形成することができる。上記結合することは、樹脂を、上記焼成された圧電材料のブロックまたは上記基板の1つに塗布することと、該焼成された圧電材料のブロックと該基板とを、これらの間に該樹脂を用いて互いに結合させることとを含み得る。
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本発明のツールは、
−横方向端面(113)を備えた剛性支持体(104)と、
−横方向端面に押し付けられると共にこれを覆う弾性的に圧縮可能なインターフェイスと、
−光学表面に押し付けられるようになっていて、それ自体端面(113)の反対側でこの端面と整列してインターフェイスに押し付けられると共にこれを覆う可撓性パッドと、
−支持体(104)を端面(113)を横方向に越えて位置する可撓性パッドの周辺部分に連結するばね戻し手段(115)と、
−ベース(130)の一部である可撓性フランジ(131)とを有し、可撓性フランジ(131)は、可撓性フランジ(131)によって包囲されている剛性支持体(104)も又、ベース(130)の一部をなしている。 (もっと読む)


【課題】 高平坦度等の優れた加工精度を有する片面鏡面ウェーハを再現性よく製造することができるウェーハ基板の研磨方法及びこれによって得られたウェーハを提供する。
【解決手段】 本発明の圧電性単結晶からなるウェーハの製造方法は、円筒研削済みの単結晶インゴットをスライスする段階と、上記スライスしたウェーハをラップする段階と、上記ラップウェーハの表面側を平面研削する段階と、上記平面研削されたウェーハの表面側を研磨する段階と、を含んで構成されることを特徴とする。
本発明の圧電性単結晶からなるウェーハは、圧電性単結晶からなるウェーハであって、該ウェーハの周辺部1mmを除いた平坦度が、5mm角の測定サイトで、LTVmax0.5μmであり、且つ、LTVmax0.4μm以下で測定したPLTVが99%以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 光学素子の研磨面、とくに曲面状研磨面(凹凸面)の隅々まで充分に研磨加工することができる研磨方法及び研磨工具を提供する。
【解決手段】 綿部分13に研磨液を染み込ませて研磨を行なう。芯棒に粗く綿を巻き、その上から密に綿を巻いて研磨工具10に任意の圧力分布を持たせた綿部分13を作る。その綿部分13に研磨液を染み込ませる。芯棒に綿を巻いた形状を細長くしたり、芯棒に綿を巻いた形状を芯棒に対して放射方向に延びた円盤の形状とする。さらに、親水性の接着剤を用いる。綿で巻かれていない芯棒部分に、撥水性塗料を塗布する。芯棒としてに研磨液供給管11を設け、研磨液供給管11を介して研磨液を綿部分に供給しつつ曲面研磨を行なう。 (もっと読む)


【課題】ワーク表面からの切削条痕の除去を容易に行える研磨方法を提供する。
【解決手段】単粒で1〜10ナノメートルのダイヤモンド粒子20が10〜100ナノメートルの大きさで凝集している凝集体19を溶液に分散させた研磨液を用いる。凝集体19のうちワークの加工面と研磨工具の加工点18との界面に入り込んだものは、研磨工具によって押圧されて凝集が解ける。ワークの切削加工によって加工面に創成されていた切削条痕17は、この凝集の解放による破壊エネルギーによって効率的に研磨加工されて除去される。 (もっと読む)


【課題】半田ペースト用マスクのような開口パターンが形成された被加工物である薄板を研磨するにおいて、表面および開口パターン内部の研磨を一工程にて行うことのできる方法を提供する。
【解決手段】開口パターンが形成された被加工物である薄板1を薄板を挟んで、1対の磁石2を互いの磁極が対極となるように離間配置し、この磁石間に磁性研磨材3を存在させ、磁石および/または薄板を、そのほぼ面内において、回転および/または振動させることにより研磨を行う。 (もっと読む)


【課題】SiCやダイヤモンド等からなる基板の表面を、サブサーフェスダメージを残すことなく極めて平滑に、かつ能率よく研磨することが可能な研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】裏面に反射膜11を備えた研磨定盤10と、研磨定盤10の表面側に配置された紫外光源ランプ12と、赤外光源ランプ14とを備えている。研磨定盤10の表面に基板16の被研磨面16aを押し付けた状態で、紫外光Lを研磨定盤10の表面側から所定の光束で照射しつつ、相対的に擦動させることにより研磨を行う。研磨定盤10に入射した紫外光Lは、研磨定盤10内を透過してその裏面の反射膜11において反射することにより、被研磨面16aの全面に対して照射される。被研磨面16aに形成された酸化膜が除去されて研磨が進行する。紫外光を有効に活用することで、極めて平滑で、かつ能率的な研磨を実現すると同時に、装置が小型化し、設計の自由度が向上する。 (もっと読む)


【課題】静電チャックの表面を平滑にすることにより基板との伝熱効率を高めることができる表面処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを収容するチャンバを有し、チャンバ内にはウエハを載置する載置台としてのサセプタが配置され、サセプタの上部には、静電チャック42が配置されている。静電チャック42では、まず、その表面に、溶射皮膜1を形成して、次に、砥粒を固めて円盤状にした砥石2を接触させることにより表面を削り、そして、砥粒と潤滑剤を混ぜた懸濁液が表面に吹き付けられたラップ定盤3を接触させることにより表面を平坦に削り、砥粒9が塗布固着されたテープ5と弾性体から成るローラ6とを有するテープラップ装置4のテープ5をテープラップ装置4に圧力を加えることによって接触させることにより表面を平滑に削る。 (もっと読む)


【課題】 研削装置と研磨装置の間でワークを付け替えることを必要としない糸筒工具、その糸筒工具による研磨方法、および糸筒工具を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】糸を撚り合わせて筒状に形成した糸筒工具2に研磨液5をしみ込ませる。そのような糸筒工具2の先端によってワーク1を研磨するホルダー3が工具スピンドル7に取りつけられた研削砥石6をホルダー3が包囲する形で、スピンドル工具に装着されている。とくに、ホルダー3が工具スピンドル7に磁力で着脱可能に装着される。 (もっと読む)


【課題】きわめて薄いウエーハであっても、同一性能のゲッタリング効果を安定して得ることができるゲッタリング層を、確実、かつ容易に付与する。
【解決手段】ウエーハ1の裏面にレジノイド基板60を合わせて押圧し、このレジノイド基板60に超音波ユニット50によって超音波振動を付与する。レジノイド基板60に分散する砥粒がウエーハ1の裏面に振動しながら押圧されることにより、ウエーハ1の裏面にゲッタリング層を短時間で均一に付与することができる。 (もっと読む)


【課題】従来のものよりコンパクトな光学素子用研摩機を提供することにある。
【解決手段】光学素子を回転駆動するように構成されたスピンドルと、該スピンドルに対して移動できる研摩工具とを有する光学素子用研摩機において、ワークチャンバの頂部に取付けられたプラットホームを更に有し、ワークチャンバがスピンドルを備え、プラットホームが本体を備え、該本体には研摩工具が取付けられていることを特徴とする光学素子用研摩機。 (もっと読む)


【課題】工具の形状に制約されずに、振動付与による加工効率と加工品質の向上を達成させる為に、加工テーブルを加振して、機械的振動をワークに伝達させ工具側と同様の効果を得る。
【解決手段】最適な振幅の幅を設定できて更にテーブル全面を均一な振幅を出力すること、その為には振動板の背面に複数個の振動子を並列に取り付け、振幅のゼロになる部分いわゆるノード分布に共振させて均一な振幅をつくる振動板の構造を工夫した。 (もっと読む)


【課題】ノッチを含むウエハ周縁部を研磨するウエハ研磨装置であって、占有スペースを低減可能なウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】ウエハ研磨装置10は、ウエハ60を回転軸13回りに回転可能に保持する保持手段と、回転対称形状を有しウエハ60の回転軸13と平行な回転軸14回りに回転してウエハ60の周縁部を研磨するバフ21a,21bと、ウエハ60をバフ21a,21bと相対的に移動させる移動手段とを備える。バフ21a,21bは、ウエハ周囲の縁面に適合する形状を有する縁面研磨部分24a,24bと、ウエハ60のノッチ部分の縁面に適合する形状を有するノッチ研磨部分25a,25bとを有する。 (もっと読む)


【課題】従来のものよりコンパクトな光学素子用研摩機を提供することにある。
【解決手段】光学素子を回転駆動するように構成されたスピンドルと、該スピンドルに対して移動できる研摩工具と、スピンドルおよび研摩工具へのアクセスを可能にする扉が設けられた前面とを有し、研摩工具が本体上に取付けられ、該本体が第一軸線の回りで回転できるように摺動手段に取付けられ、該摺動手段は前記前面に対して実質的に垂直であることを特徴とする光学素子用研摩機。 (もっと読む)


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