【課題】 高濃度不純物拡散層と非拡散層の２層構造の拡散ウェーハ製造において、非拡散層内の転位密度を所要レベルに簡便にしかも自在に調節する。
【解決手段】 シリコンインゴットを所定厚さにスライスし素材ウェーハ１１を形成する工程、素材ウェーハ１１をラッピング加工し両面に加工歪み層１２を形成する工程、加工歪み層１２表面のエッチング除去層１３を化学薬液で制御してエッチング除去する工程、素材ウェーハ１１の両面に不純物を所定の深さに拡散し高濃度不純物拡散層１４と非拡散層１５を形成する工程、素材ウェーハ１１をその厚み幅の中央部に沿い二分割して２層構造の拡散ウェーハ１６にする工程、を有する。ここで、上記エッチング除去の工程において加工歪み層１２の表面のエッチング量を制御することにより非拡散層１５内の転位密度を調節する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造上の歩留まりを低下させることなく、半導体ウェハのベベル研磨を行う。
【解決手段】半導体ウェハ１を裏面吸着などにより保持回転させる機構と、研磨布２ａを貼り付けたベベル部の研磨部材２、半導体ウェハ１の直径よりもやや直径が短い配管リング５に半導体ウェハ１外周に向けた穴もしくはノズルを多数設置し研磨剤を供給する機構を有する。半導体ウェハ１を回転させ、ベベル部に研磨部材２の研磨布２ａを押し付けて、研磨剤を供給しながら相対運動させて研磨する。研磨剤は配管リング５を回転させて供給され、この回転数および研磨剤流量でベベル部の研磨剤との接触エリアを制御する。これにより、半導体ウェハ１のベベル部にのみ研磨剤を供給でき、また、供給研磨剤の研磨部材１２からの跳ね返りを防止するため、半導体ウェハ１と配管リング５の回転方向を一致させ、配管リング５の回転数に対し半導体ウェハ１の回転数を大きくする。 （もっと読む）

【課題】ビトリファイド砥石を固定盤として使用し、球体研磨を開始するまでの工程数，手間，時間を減少させると共に、最良の研磨能力で加工できるようにする。
【解決手段】
固定盤と回転盤からなる球体研磨機構を用い、固定盤として使用される切り欠き９を有した溝成形の施されていないビトリファイド砥石１０の該切り欠き部９にはめ込み部材１４を嵌め込んで円盤状とするか又は円盤状のビトリファイド砥石を回転側に回転盤として取り付け、一方、所定の切り欠き・溝成形が施された鋳物盤を固定側に取り付け、互いに対向する研磨面間に所定寸法の球体を加圧挟持し、回転側を固定側に対して相対的に軸回転させることにより、球体を研磨すると共に、溝成形の施されていない前記回転側に取り付けたビトリファイド砥石に所定寸法の溝成形を施し、その後、はめ込み部材を外すか、又は溝成形後に切り欠き加工を施し、溝を有する固定盤を得る （もっと読む）

【課題】単結晶材料の使用状態においても、所望の平滑精度を確保する。
【解決手段】結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域において、単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、単結晶材料の表面の研磨を行う。単結晶材料１０５を固定する治具１０４と単結晶材料を研磨する研磨盤１０１を固定する治具１０２の少なくとも一方の温度を調整し、単結晶材料を使用温度領域に設定する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の加工品質のばらつきを生じることなく、高精度な摺動加工を行うことが可能な摺動加工技術を提供する。
【解決手段】カバー９を備えたタライ４の中において、ノズル７から研磨液８を供給しつつ、工具基体２を介してモータ３に駆動される研磨工具１の研磨機能面１ａとレンズ受け工具６に支持されたレンズ５の光学機能面５ａを摺動させる研磨加工装置Ｍ１において、タライ４の側面に設けられた排気口１１にエジェクタポンプ機構１２を接続し、研磨加工中におけるタライ４の内部の作業空間の雰囲気４ａに籠もるミストや熱気を強制的に吸引して排気することにより、タライ４の内部に外気を導入し、作業空間の雰囲気４ａにおける温度や湿度等の加工条件を一定に保って、レンズ５の加工品質のばらつきを生じることなく、高精度な研磨加工を行う。 （もっと読む）

【課題】ラフネス及び形状に関する要求に完全に適合する、ポリシングされたエッジ部を有する半導体ウェハの製造を可能にする方法を提供すること
【解決手段】半導体ウェハの少なくとも一方の側のポリシング及びポリシングされた半導体ウェハのエッジ部のポリシングを有し、その際、前記エッジ部はポリシング剤の存在で、固定砥粒を有する研磨布でポリシングされる、ポリシングされたエッジ部を有する半導体ウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨効率を低下させることなく、微小な範囲を高精度に研磨加工することが可能な研磨技術を提供する。
【解決手段】ワークＷの表面に接する工具軸３の研磨軸３ａに有底筒状のガイド部材４を装着し、ガイド部材４の底部の貫通孔４ａに研磨軸３ａを挿通することで、研磨軸３ａの折損や曲がりを防止して、研磨軸３ａの折損や曲がりを懸念することなく、比較的大きな研磨荷重を細径の研磨軸３ａに作用させることを可能にして効率よくワークＷの微小部位の研磨加工を行う。また、研磨軸３ａの摩耗による長さの変化に従って、固定ネジ４ｂによるガイド部材４の工具軸３に対する固定位置をずらして、ガイド部材４からの研磨軸３ａの突き出し量を一定に調整する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、結晶成長面の反対側の面である裏面に関して、反り曲面が最適平面に対して一方側に最も大きな変位値と最適平面との距離および他方側に最も大きな変位値と最適平面との距離の和として算出される裏面の長さ５．０８ｃｍ当りの反りｗ_(R)が、−３５μｍ≦ｗ_(R)≦４５μｍである。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

ダイヤモンド１の表面５に対して動かされる機械部品３を用いて、ダイヤモンド１の表面５を加工する方法及びデバイスであって、拘束されていないダイヤモンド粒子２が、機械部品３とダイヤモンド１の表面５との間に提供され、機械部品３は、ダイヤモンド粒子２が機械部品３及びダイヤモンド１の表面５に対して移動するように、ダイヤモンド１の表面５にわたってダイヤモンド粒子２を転動運動させ、また機械部品３は、ダイヤモンド粒子２を介してダイヤモンド１の表面５と機械的に接触し、この機械的接触はある接触長さ８を表し、ダイヤモンド粒子２は、主にダイヤモンド１の表面５に対する機械部品３の相対運動の方向に沿って接触長さ８にわたってダイヤモンド１の表面５上を転動し、またダイヤモンド粒子２は、機械部品３に支えられて転動しながらダイヤモンド１の表面５に押し付けられ、その結果、微細亀裂６がこの表面５に生成され、次いで表面５が徐々に砕ける方法及びデバイス。
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【課題】ＳｉＣウェハの最大厚みと最小厚みとの差を小さくして、ＳｉＣウェハの厚さの精度を向上させる。
【解決手段】ＳｉＣのインゴットをスライス切断し（図３（ａ））、ワーク４０の両面４１、４２を粗研削した後（図３（ｂ）、（ｃ））、ワーク４０の表面４１を研削および研磨して平滑化する（図３（ｄ））。この後、ワーク４０の表面４１を基準としてワーク４０の裏面４２を研削する（図３（ｅ））。これにより、ワーク４０の表面４１を研磨で平滑化することでワーク４０の厚さの精度が悪化したとしても、高精度の厚さのＳｉＣウェハを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】平坦化及び表面浄化がなされて半導体膜を成長させるのに適した酸化ガリウム単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さＲｑが１．０〜２．０Åであり、かつ、表面粗さＲａが０．５〜１．０Åである酸化ガリウム単結晶基板、及び、酸化ガリウム単結晶の（１００)面を研磨して薄型化するラッピング加工、平滑に研磨するポリッシング加工、及び化学機械研磨を行った後、洗浄溶媒中に浸漬させてマイクロ波を照射する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明により解決すべき課題は、レンズを加工用固定部材に固定して研削および研磨する場合等において、簡易にレンズを固定、取り外しでき、かつ、平坦性に優れたレンズを得ることを可能にすることである。
【解決手段】
不織布と高分子弾性体を含んでなり、ＪＩＳ Ｌ １０６１（１９８７）のＢ−１法（定荷重法）で得られる耐バギング性の値が２〜１０ｍｍであることを特徴とするレンズ保持材。 （もっと読む）

【課題】磁性材が含まれる研磨材を本体内に封入して、有効に工場の金属粉塵や微細金属浮遊粉塵及び切り屑を低減し、環境保護の要求を満足できる磁性螺旋研磨装置とその方法を提供する。
【解決手段】磁性螺旋研磨装置１は、主軸クランプホルダー１１と転動棒１２、本体１３、磁力制御装置１４、固定スリーブ１５、複数の支持フレーム１６及び撹拌装置１７が備えられる。これにより、被加工物２の螺旋を利用して、撹拌装置で伝送された研磨粒が表面に接触して、微細の除去研磨作用が実現され、更に、磁力制御装置で磁性材が含まれる研磨材に対して、磁性による吸引反発作用を掛けて、快速且つ有効に、被加工物の外表面の螺旋や螺旋溝内のバリや残留屑或いは変質層を除去でき、また、精密の加工表面が得られ微細のバリを除去できる。各種類の精密ボールネジや伝動ネジ棒部材及び微細測定器具の外螺紋に適用できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易に製造することが可能で、製造コストの低減を図ることが可能な光学補償素子の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の透光性支持基板と複屈折性を有する無機材料からなる複数の無機基板３０とを準備する基板準備工程Ｓ１０と、複数の透光性支持基板及び複数の無機基板を所定の厚みに研削する基板研削工程Ｓ２０と、複数の透光性支持基板のそれぞれの厚みを測定して、測定後の透光性支持基板を同一グループ内でそれぞれの厚みの差が１ミクロンとなるようにグループ分けする基板グループ分け工程Ｓ３０と、無機基板とグループ分けされた透光性支持基板とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程Ｓ４０と、同一グループの透光性支持基板が貼り合わされた無機基板を、研削装置及び研磨装置にセットして、無機基板を研削・研磨する無機基板研削・研磨工程Ｓ５０とをこの順序で含む光学補償素子の製造方法。 （もっと読む）

使用済みまたは損傷を受けた工業用構成要素の再製が、磨耗されたか、または損傷を受けた重要な表面から材料を除去するために、減法表面技法プロセスを用いて行われる。方法は、表面から第１の量の材料を除去するために、構成要素に最初にプロセスを行うことと、損傷の範囲を決定するために、構成要素の表面を検査することと、続いて、必要に応じて、さらなる量の材料を除去するために、プロセスをさらに行うこととを含む。 （もっと読む）

【課題】被加工物を高い精度で研磨することのできるラッピング装置及びラッピング方法を提供する。
【解決手段】アダプタ１２ａは、ラップベース１１により支持された第１の支持部と、被加工物１００の被加工面がラッピング面に接するように被加工物が取り付けられる第２の支持部と、第１の支持部と第２の支持部との間に延在するアーム部１２０ａとを有する。高さ調整機構１６は、ラッピング面からアダプタの第１の支持部までの高さを変更する。アダプタ１２ａの傾きを検出する傾き検出器１８がアダプタに設けられる。高さ調整機構により第１の支持部の高さを調整することで、ラッピング面に対するアダプタ１２ａの傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴや医療機器産業に用いられるガラス等の脆性材に用いられる砥粒を分散させた流体を用いた研磨加工を行うことができ、大きな加工量を求められる粗研磨から高精度の平滑性が求められる精密仕上げ研磨まで連続的に適用できる平面両面研磨方法及び平面両面研磨装置を提案する。
【解決手段】本発明の平面両面研磨方法は、下面に研磨パッド２を取り付けて上定盤１とし、上面に研磨パッド２を取り付けて下定盤６とし、前記各定盤１，６をそれぞれの研磨パッド２，２を対向させた状態でそれぞれ面向きを一定とした偏芯旋回運動を可能とし、前記研磨パッド２，２の対向空間に、面向きを一定として１軸又は２軸往復する摺動運動又は円軌道運動を可能とするキャリア７に複数の被加工物９を保持させて臨ませ、砥粒を分散させたスラリー３を各定盤１，６から加工面に供給しつつ、前記各定盤１，６を偏芯旋回運動させると共に、前記キャリア７を往復状に摺動させる。 （もっと読む）

【課題】従来の研磨機が利用でき、研磨速度を速めることができ、表面欠陥が無くかつ研磨面の平坦度が高いサファイア基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨布が装着された研磨定盤にサファイア基板を押し付け、かつ研磨布とサファイア基板の間に、酸化珪素粒子、分散剤、ｐＨ調整剤、水を含むＣＭＰ研磨剤を供給しながら、サファイア基板と研磨定盤を動かしてサファイア基板を研磨する方法であって、ｐＨが１０．５から１１．５の範囲で、ζ電位（ゼータ電位）が−２０ｍＶから−３５ｍＶであるＣＭＰ研磨剤を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッジにおける薄膜の剥離に起因する異物の発生を防ぐ。
【解決手段】たとえば３個の研磨ドラム４Ａ〜４Ｃを用いてウェハ１のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム４Ａは相対的にウェハ１のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム４Ｂは相対的にウェハ１のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム４Ｃは相対的にウェハ１のエッジの下面を研磨する。それにより、種々のウェハ１のエッジ形状に対して、そのエッジ全域において成膜された薄膜を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂のような比重が軽い砥粒を用いたり溶液を攪拌したりすることなく、砥粒の沈殿分離を抑制してバリ取り性能を向上させるのに適した超音波バリ取り方法を提供する。
【解決手段】比重が１．０〜３．１の範囲で調節されたポリタングステン酸ナトリウム水溶液１０中に、比重１．０〜４．０のダイヤモンド、ＢＮ、Ｂ₄Ｃ、ＳｉＣ、アルミナなどの固体粉末よりなる砥粒１１を添加し、その中にワーク３０を浸漬して超音波を印加することにより、ワーク３０のバリ取りを行う。 （もっと読む）