【課題】光学要素を仕上げるため、特に、マイクロレンズを経済的に製造する。
【解決手段】表面を研磨性液体スラリー１４にて被覆する手段と、気体又は液体の何れかの流体ジェット３１をスラリーに対して衝突させ、基板表面２０に高せん断加工領域を形成し、これにより該表面の形状を所定の形状及び（又は）滑らかになるように変化させる手段とを備えている。該表面２０は、該表面上を流動するスラリー層を滝状に流すか又はスラリーを加工領域に衝突させ又は基板２０をスラリー内に浸漬させることにより、被覆することができる。ジェット流体を分配するノズル２６は、仕上げるべき表面から所定の距離にて及びある角度を成して正確に配置される。ノズル先端２６を基板表面２０から第一の距離に配置することにより粗除去機能が提供され、ノズル２６を基板表面２０により近い位置に配置することにより、精密な除去機能が提供される。 （もっと読む）

【課題】１平方インチ当たり４０ギガビット以上のような高記録密度での使用に供される磁気ディスクとして構成しても、サーマルアスぺリテイ障害を起こすことがなく、耐衝撃性にも優れた磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを提供する。携帯電話、デジタルカメラ、携帯型「ＭＰ３プレイヤ」、ＰＤＡ等の携帯情報機器や、「カーナビゲーションシステム」など車載用機器にも搭載できるように、例えば、外径３０ｍｍ以下の小型磁気ディスクとして構成しても、安定した動作を実現できる磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを提供する。
【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラスディスクの端面部を鏡面加工する鏡面加工工程を有し、この鏡面加工工程においては、端面部に対して研磨手段を摺接させて端面部の表面を鏡面研磨した後に、この鏡面状態を保持しつつ、端面部を化学処理し、表層部に存在するクラックを除去する。 （もっと読む）

【課題】超音波加工で、被加工物に微細溝あるいは微細な窪み形状を、高能率で安価に加工することができ、しかも凹形加工部の加工精度を維持しつつ工具寿命の延長を可能にする超音波加工用工具の提供。
【解決手段】強度及び剛性が互いに異なるように形成された硬質部１ａ及び軟質部１ｂが一定断面形状で延在されてなり、延在方向片端が前記超音波ホーン２に固定される固定端とされている超音波加工用工具１を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑形状の工作物を均一な鏡面にラップするために砥粒を長時間浮遊させるラップ剤、好ましくは気化熱冷却効果をさらに奏するラップ剤、及びこれを含んだラッピング加工方法及びラッピング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
ラッピング装置２に使用されるラップ剤２７は、水と水溶性ポリマーと有したラップ剤媒体と、砥粒と、を含む。水溶性ポリマーは、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリアクリルアミド（ＰＡＡ）、またはアクリル酸金属塩であり、砥粒はダイヤモンドまたはアルミナからなる。ラップ剤２７は、水に水溶性ポリマーを５重量パーセント以下の濃度で混ぜ合わせた後に、砥粒を混ぜ合わせることによって生成される。さらに、水に低級アルコールをさらに添加することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可視光及び赤外光を用いて窒化物半導体基板の端部を認識できる窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体基板１は、窒化物半導体からなる基板であって、基板は、表面１０と、表面１０の反対側の裏面２０と、基板の表面１０側の縁が面取り加工されて形成される第１のエッジ部とを備え、第１のエッジ部の平均表面粗さに対する表面１０の平均表面粗さの比が０．０１以下である。 （もっと読む）

【課題】複雑形状の工作物を均一な鏡面に加工するために、複雑形状の局所的な部位に適合可能なラップ端子の製造方法を提供する。さらに、ラップ端子を微小スペース内で十分に摺動させるラッピング工具を備えたラッピング装置を提供する。
【解決手段】
予め放電加工又は研削加工が施されたラッピング加工前の工作物４の加工予定部４ａに離型剤４０を塗布する。補強骨材４２を用意し、補強骨材４２の端部を離型剤４０が塗布された加工予定部４ａに当接させながら固定する。その後、加工予定部４ａ及び補強骨材端部に向けて合成樹脂４１を注入して、固化させて、加工予定部４ａからラップ端子１５を離型する。ラッピング装置２は、上記方法によって作製されたラップ端子１５と弾性支持部１４との間に超音波振動子１９ａと共振体１９ｂとを含んだ超音波振動部１９が設けられたラッピング工具１を備える。 （もっと読む）

【課題】研磨コストを低減することが可能な球状体の研磨装置、球状体の研磨方法および球状部材の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨装置は、回転盤研磨面１０Ａを有する回転盤１０と、回転盤研磨面１０Ａに対向する固定盤研磨面を有する固定盤とを備えている。回転盤研磨面１０Ａは固定盤研磨面に対して対向する状態を維持しつつ、相対的な回転が可能となっている。回転盤研磨面１０Ａには、上記回転に沿った周方向に延在する溝部１１が形成されている。溝部１１が形成された回転盤１０は、球状体である素球よりも高い硬度を有するダイヤモンド粒子からなる砥粒を含む砥粒層１８と、砥粒層１８上に形成され、砥粒層１８よりも低い硬度を有する保持層１９とを含んでいる。そして、溝部１１は深さ方向において保持層１９を貫通し、砥粒層１８に至るように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ヒゲ状体が発生しても、成長する前にヒゲ状体が剥がれ落ちるようにしたウエハノッチ部の研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨加工を進めるうちに、ノッチ部２２によって研磨パッド１の外周縁部１１の繊維の一部が掻き取られて、外周縁部１１が毛羽立ち、ヒゲが伸びたようなヒゲ状体１６、１７ができ始める。ヒゲ状体１６、１７が研磨パッド１の中心側に向かって成長し始めると、ヒゲ状体１６、１７の根本が切り込み部１４５、１５５に達し、ヒゲ状体１６、１７は研磨パッド１から剥がれ落ちる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の外径端面加工において面取り研削加工と研磨加工を同時に行うことのできる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板の外径端面部分の研磨において、粘弾性流体に研磨剤を加えた研磨液を用いることにより、ガラス基板の外径端面部分の研磨は、面取り加工を含む研削仕上の後に、この研削仕上に用いる工具と同一の砥石１を使用して行うことができ、また、ガラス基板の外径端面部分の研磨及び面取り加工は、砥石１及びガラス基板を交換することなく、交互に連続して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤが長寿命であり、且つ加工精度が高く、信頼性の高いワイヤソー装置を提供すること。
【解決手段】 ワイヤソー装置１は、１本のワイヤ２を巻きつける３個の多溝ローラー３ａ、３ｂ、３ｃを有し、各多溝ローラーに、例えば約１２０ミクロンの直径を有するワイヤ２を巻き付けるワイヤ列を構成し、このワイヤ列のワイヤ２をワイヤ駆動モータ４により駆動されるドライブ側多溝ローラー３ａの駆動により往復運動させるようになっている。またワイヤ２を巻き取り、送り出すボビン５ａ、５ｂを持っている。被切断物９と多溝ローラー３ｂ、３ｃの間のワイヤ２に摺動板１８である炭素繊維複合材料を接合した超音波振動子１３を接触させる。炭素繊維複合材料の繊維方向はワイヤの走行方向と一致させている。そして超音波振動子１３の振動方向は切断方向と一致させる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用基板の外周端部及び内周端部の品質ばらつきを処理バッチ間で小さくすること。
【解決手段】本発明の磁気ディスク用基板の製造方法は、円環状のガラス基板の外周端面及び／又は内周端面に対してブラシ研磨方法により鏡面研磨を行う端面研磨工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法であって、前記端面研磨工程において、複数のバッチ間で、スラリーの比重が一定になるように、スラリー中に含まれる研磨剤の重量を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドの｛１１０｝面等を研磨するに際して、作業者の負担が少なく且つ熟練を要することなく高い寸法精度で研磨が行われるようにする。
【解決手段】研磨に伴ってラップ盤３２に接近する単結晶ダイヤモンド１０の変位量Ｘを変位センサ５２によって検出し、その変位量Ｘが予め設定された目標値ｔａｒｇｅｔＸに達したら単結晶ダイヤモンド１０の研磨を自動的に停止するため、研磨方向や個体差等による研磨速度のばらつきに拘らず、常に高い精度で予め設定された目標値ｔａｒｇｅｔＸだけ単結晶ダイヤモンド１０が研磨されるようになる。しかも、作業者は単結晶ダイヤモンド１０を保持部４６に取り付けて目標値入力キー６２により目標値ｔａｒｇｅｔＸを入力するとともに研磨開始スイッチ６４をＯＮ操作するだけで良いため、作業者の負担が大幅に軽減されるとともに研磨時間が短縮されて作業効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ワークの加工面に対する研磨工具の相対的な走査を伴う研磨加工において、加工面に規則的なうねりが形成されることを防止して、加工面精度の向上を実現する。
【解決手段】ワーク１６の加工面１６ａの上を、自転するポリッシャを相対的に移動走査させて行う研磨加工方法において、加工点Ｐｗにおけるポリッシャの自転運動のベクトル（回転速度Ｖｐ）の方向（たとえば、ワーク１６のＸ軸に対する角度θ）を、移動走査を行う度に変更し、角度θが一定の場合に加工面１６ａに発生する規則的なうねりを防止して、加工面１６ａの形状精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程により主面の平坦度を高く維持することが可能な半導体ウェーハ及びその製造方法を提供すること
【解決手段】半導体ウェーハ１は、平坦面である主面１０と周縁部２０に形成された第１の面取り面２１とを備え、半導体ウェーハ１をその厚み方向の断面で視た場合に、主面１０と第１の面取り面２１との間に半導体ウェーハ１の径方向外側に向かって傾斜する第２の面取り面２２を更に備える。 （もっと読む）

【課題】反り、割れによる破損等も無く、効率よく安定的な研磨が出来る研摩方法の提供。
【解決手段】厚さ５００μm以下で、且つ破壊靭性が１０MPa・√m以下である薄膜脆性材料を両面研磨する方法において、それぞれの研磨面の研磨量の合計を１００μm以内とし、一方の面を固定して他方の面の研磨を行い、各１回での研磨面の研磨量の割合として、一方の面２ａの研摩量：他方の面２ｂの研摩量を２０：１〜１：２０の範囲とすることを特徴とする、薄膜脆性材料の表面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表裏面を保持することなく半導体ウェーハの周辺部を研磨する。
【解決手段】半導体ウェーハ周辺部の研磨方法は、表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハ１４を、研磨スラリー１１を保持し回転する研磨ローラ１３に接触回転させてウェーハの周辺部を研磨する。研磨装置は、研磨スラリーが貯留されて上方が開放したタンク１２と、ローラの一部がスラリーの液面より上部に存在してかつ水平にタンクに設けられた研磨ローラと、研磨ローラと平行に設けられウェーハ周辺部形状に相応した形状の複数の周溝１６ａが所定の間隔をあけて形成された周溝にウェーハ周辺部を収容することにより研磨ローラとともに複数の半導体ウェーハを鉛直状態に保持する複数の回転ローラ１６と、研磨ローラを回転駆動する第１ローラ回転手段と、複数の回転ローラを回転駆動する第２ローラ回転手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶ウェハの結晶軸に対する切断角度を所望の角度に調整することが可能な単結晶ウェハの製造方法に関する。
【解決手段】水晶ランバードから水晶の結晶軸に対して所望の切断角度を狙って切り出され、初期研磨が施された水晶ウェハの初期切断角度測定を行う（ステップＳ４）。初期切断角度測定により水晶ウェハの切断角度が規格値の許容範囲外であった場合（ステップＳ５でＮｏ）には、ステップＳ８に示すように、予め確認された段差の形状と切断角度補正研磨前後の切断角度のシフト量との関係を示すデータに基づいて、初期切断角度測定で測定された水晶ウェハの切断角度の規格値との差を補正し得る段差形状を決定し、次に、ステップＳ９に示すように、ステップＳ８で決定された形状の段差を水晶ウェハに形成する。そして、段差が形成された水晶ウェハを所定量研磨する切断角度補正研磨を行う（ステップＳ１０）。 （もっと読む）

本発明は、研磨面（１６）を有する弾力性のあるクッション（１２）を支持する球状表面（１４）を有する剛体ベース（１１）を備え、剛体ベース（１１）の直径は５０乃至６５ｍｍ、球状表面（１４）の曲率半径は５４乃至６０ｍｍ、クッション（１２）の厚さは１３乃至１６ｍｍ、クッション（１２）の圧縮抵抗は１０％の圧縮で実質的に０．０８１６乃至０．１５３０ｋｇｆ／ｃｍ^２（０．０８乃至０．１５ｂａｒ）、７０％の圧縮で実質的に０．５６０８乃至０．８１５８ｋｇｆ／ｃｍ^２（０．５５乃至０．８ｂａｒ）である光学表面（２１）を磨くためのツール（１０）に関する。また、本発明は、光学表面、特に眼科用レンズ、さらに具体的にはフリーフォームレンズを磨くためのそのようなツールの使用方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高い研磨速度で、被研磨面の表面粗度に優れたサファイア基板を作製することのできるサファイア基板用研磨液組成物、それを用いたサファイア基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板用研磨液組成物は、サファイア基板を研磨するときに使用され、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の少なくとも一方と、シリカ粒子、及び水を含有してなる。本発明のサファイア基板用研磨液組成物を用いてサファイア基板を研磨することにより、研磨速度を向上させ、被研磨面の表面粗度を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの取り代を低減して、半導体材料のカーフロスを削減して安価に半導体ウェーハを得る。
【解決手段】結晶性インゴットから薄円板状の半導体ウェーハを切り出すスライス工程と、切り出された前記半導体ウェーハの端面を、研削により面取りする第１面取り工程と、前記半導体ウェーハの両面を同時に粗研削から仕上げ研削まで一気に高速加工する固定砥粒研削工程と、研削された前記半導体ウェーハの一方の面を仕上げ研磨する片面仕上げ研磨工程と、仕上げ面取りした前記半導体ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程と、両面研磨した前記半導体ウェーハの端面を、研磨により仕上げ面取りする第２面取り工程と、を具える。 （もっと読む）