【課題】超半球凹面を簡易に研磨するための研磨装置及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】揺動機構５７が研磨皿部１０を開口ＯＰよりも内側すなわち−Ｚ側に配置された揺動中心ＰＣのまわりに揺動させるので、被研磨物ＷＰにおいて半球凹面以上に深い超半球凹面ＳＳの研磨が容易になる。つまり、研磨皿部１０の揺動中心ＰＣは、凹の球面の曲率中心に対応させるものであるので、これが開口ＯＰよりも内側に配置されるということは、曲率中心が開口ＯＰよりも内側にある超半球凹面ＳＳを研磨できることを意味する。 （もっと読む）

【課題】各種面形状の被研磨面を面内での研磨量の大きなばらつきなく研磨することにより、所望の光学面を有する光学レンズを得るための手段を提供すること。
【解決手段】弾性材料からなる凸部を有する研磨治具と凹面を有するレンズ形状に成形された成形体とを、研磨治具の凸部と成形体の凹面との間に研磨剤を供給しながら相対的に移動させることにより、上記凹面を研磨することを含む光学レンズの製造方法。前記研磨治具として、凸部表面に平均曲率が異なる互いに垂直な２つの軸方向を有する研磨治具であって、研磨治具凸部を研磨対象である成形体の凹面と嵌合させると、前記２つの軸方向において中心部で接触するが周縁部で離間する形状を有する研磨治具を使用する。 （もっと読む）

【課題】各種面形状の被研磨面を面内での研磨量の大きなばらつきなく研磨することにより、所望の光学面を有する光学レンズを得るための手段を提供すること。
【解決手段】弾性材料からなる凸部を有する研磨治具と凹面を有するレンズ形状に成形された成形体とを、研磨治具の凸部と成形体の凹面との間に研磨剤を供給しながら相対的に移動させることにより、上記凹面を研磨することを含む光学レンズの製造方法。前記研磨治具として、下記（１）および（２）を満たす研磨治具を選択して使用する。（１）研磨治具凸部を研磨対象である成形体の凹面と嵌合させると、中心部で接触するが周縁部で離間する形状を有する。（２）研磨治具凸部を研磨対象である成形体の凹面と、凹面上の基準軸と凸部上の基準軸とが対向する状態で嵌合させると、周縁部における離間距離は予め設定した許容離間距離以下である。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤが長寿命であり、且つ加工精度が高く、信頼性の高いワイヤソー装置を提供すること。
【解決手段】 約１２０μｍの直径のワイヤ２と約１ｍｍの間隔を置いて磁石２０をエポキシ樹脂により接合したランジュバン型超音波振動子１３を位置させる。そして、ワイヤ２を挟んでランジュバン型超音波振動子１３に対向する位置にスラリまたは切削液１１を噴出する供給装置１０を設置する。供給装置１０から噴出されるスラリまたは切削液１１は、ワイヤ２及び磁石２０の表面を点線で示すように貯まる。そして、ランジュバン型超音波振動子１３の超音波振動は磁石２０に伝搬し、確実にスラリまたは切削液１１を伝搬してワイヤ２に到達してワイヤ２を超音波振動させる。 （もっと読む）

【課題】円形板材の外径寸法の精度出しを行うことができ、かつ加工単価を安くすることのできる円形板材の端面加工方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための円形板材の端面加工方法は、複数の板材を厚み方向に積層することにより、円筒状部材を形成し、研磨面を構成する一対の定盤の各主面に、円筒状部材の曲面が当接するように挟み込み、前記円筒状部材に対して円周方向の回転を与えると共に、前記円筒状部材の中心軸と交差する方向への回転を与え、前記一対の定盤間に研磨剤を供給して前記円筒状部材の外周研磨を行うことで、前記板材の円形状の加工を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの良好な幾何学的形状のみならず良好なナノトポグラフィも達成し、且つ４５０ｍｍのウェハにも適している、半導体ウェハを製造するための新規の処理シーケンスを提供する。
【解決手段】規定の順序において：（ａ）単結晶からスライスされた半導体ウェハを同時に両面で材料除去する加工工程；（ｂ）アルカリ性媒体による該半導体ウェハの両面の処理工程；（ｃ）該半導体ウェハの前面及び裏面の研削工程；（ｄ）０．１〜１．０μｍの平均粒径を有する砥粒を含有する研磨パッドによる半導体ウェハの両面の研磨工程；（ｅ）砥粒を含有する研磨剤の供給下での、砥粒を含有しない一次研磨パッドによる該半導体ウェハの前面の研磨工程；（ｆ）該前面の化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程
を有する、半導体ウェハの製造法によって達成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板裏面を高スループットで研削、研磨加工し、基板を薄肉化・平坦化することができる異物の付着が少ない半導体基板を製造する平坦化加工装置の提供。
【解決手段】 半導体基板のローディング／アンローディングステージ室１１ａ、裏面研磨ステージ室１１ｃ、裏面研削加工ステージ室１１ｂに各々の機械要素を収納した平坦化装置１であって、同時に２枚の基板を研磨加工する裏面研磨ステージ７０のスループット時間を１枚の基板を研削加工する裏面研削加工ステージ２０のスループット時間の約２倍に設計した平坦化加工装置１。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウムの粒子径を大粒径化することなく研磨レートの向上、ひいては生産性の向上を実現する、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨スラリーを研磨布と円形ガラス板の間に供給し、研磨布により円形ガラス板の主表面を研磨する研磨工程と、該研磨スラリーが当該研磨工程で使用された研磨スラリーを含むようにするスラリー循環工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、該研磨スラリーが、メディアン径が０．３〜３μｍである酸化セリウム粒子とアセチレン系界面活性剤とを含有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】硬質な被加工材であっても、効率的に加工できる加工用砥粒を提供する。
【解決手段】本発明の加工用砥粒は、ダイヤモンドからなる主粒子と、サイアロン粒子かなる副粒子とを少なくとも混合した混合砥粒からなることを特徴とする。これにより、高価なダイヤモンド粒子の使用量を抑制しつつも、従来よりも遙かに優れた加工性が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを背面でキャリアに固定する場合に半導体ウェハが研磨の間にキャリアから浮動すること
【解決手段】０．１〜１．０μｍの平均粒径を有する固定結合された砥粒を有する研磨パッドの使用下での前記半導体ウェハの第１の面のＦＡＰ（固定砥粒研磨）、前記半導体ウェハのＦＡＰ研磨された第１の面上に厚くても３μｍの厚さの接合層の設置、前記半導体ウェハの、ＦＡＰ研磨された第１の面での研磨装置のキャリアプレートとの接合、並びに前記半導体ウェハの第２の面の片面化学機械研磨を有する、半導体ウェハの研磨方法 （もっと読む）

【課題】効果的に加工液の液漏れを防止して、安定した加工作業を行うことができる加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工物１００における被加工面１０１の一部を覆って、内部に加工液１５を有する加工室１１を形成するチャンバー容器２０と、チャンバー容器内部に配置され、加工室において加工液を用いて被加工面の加工を行う加工ツール３０と、チャンバー容器の被加工面側に環状に設けられ、被加工面と接触するシール部材２１と、加工室の圧力を、加工室外に対して相対的に減圧する圧力変化装置４０と、加工室を形成した状態のチャンバー容器を、被加工物に対して相対的に移動させる移動手段５０と、チャンバー容器外部に複数配置され、チャンバー容器の複数箇所を、被加工面に対してそれぞれ独立して押圧する押圧手段６０と、を有する加工装置１０とした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを製造するための新規のプロセスシーケンスを提供する。
【解決手段】
（ａ）２０．０〜６０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによって半導体ウェハのエッジを丸味づけ、（ｂ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｃ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｄ）１．０〜２０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによってエッジの丸味づけを行い、（ｅ）ウェハの面ごとに、エッチング媒体を用いてウェハの両面を処理し、（ｆ）０．１〜１．０μｍの粒度を有する研磨材を含むポリシングパッドを使用してウェハの少なくとも一方の面をポリシングし、（ｇ）ウェハのエッジのポリシングを行い、（ｈ）少なくとも前面の化学機械的ポリシングを行う。 （もっと読む）

【課題】硬質脆性材料や難削材料の精密加工に適用可能な工具及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド単相の多結晶ダイヤモンドを切れ刃とする切削工具を製造する方法であって、ダイヤモンド単相の多結晶ダイヤモンドの切れ刃の外形をレーザ加工により形状作製した後、前記切れ刃を形成するすくい面及び逃げ面の仕上げ加工を金属バインダを含むダイヤモンド焼結体を研削盤として用いる研削加工により行なう工程を含み、前記ダイヤモンド焼結体からなる研削盤は、工具を作成する加工機上で回転軸との垂直度と平坦度を出す成形加工をダイヤモンド電鋳工具を電極として用いる放電加工により行った後、更に当該ダイヤモンド電鋳工具を用いて、ダイヤモンドスラリを研削液として用いる湿式研削と乾式研削とを併せて行い面粗さを調節した研削盤であることを特徴とする多結晶ダイヤモンド切削工具の加工方法。 （もっと読む）

【課題】表面が絶縁層で覆われた金属試料やセラミックス試料の断面研磨を、最表面近傍にダレを生ずることなく行う。
【解決手段】試料の最表層近傍の断面観察に適した断面研磨方法であって、試料表面に金属蒸着層を形成した後金属めっき層を形成し、しかる後、断面研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】遊星歯車機構を用いた研削加工又は研磨加工において、定盤の編摩耗に起因してガラス基板に歪みが生じることを抑制すると共に、定盤の外縁に起因してガラス基板に欠陥が生じることを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】遊星歯車機構を用いることにより、上側定盤と下側定盤に挟まれたガラス基板を上側定盤及び下側定盤に対して相対的に移動させて、ガラス基板の主表面を研削する研削工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、研削工程において上側定盤及び下側定盤として外縁が面取りされている定盤を用い、且つ、ガラス基板が上側定盤及び下側定盤に対して相対的に移動する過程でガラス基板の一部を上側定盤及び下側定盤の外縁より外周側を通過させてガラス基板の研削加工を行う。 （もっと読む）

【課題】近用部を明確に判別可能な多焦点レンズを製造するための手段を提供すること。
【解決手段】対向する２つの面の少なくとも一方の面に、遠用部と該遠用部より突出した近用部とを有する多焦点レンズを注型重合により成形するために使用されるガラスモールドの製造方法。ガラスモールド母材の一方の面（被研磨面）と研磨治具先端面との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給しながら被研磨面と研磨治具先端面とを相対的に移動させることにより上記被研磨面を研磨し、該被研磨面上に前記近用部の表面形状に対応する形状を有する凹部を形成することを含み、かつ、前記研磨治具として、その先端が繊維糸を含む樹脂からなり、かつ上記先端面に上記繊維糸の断面が露出している研磨治具を使用する。 （もっと読む）

【課題】 加工精度が高くかつ生産性の高いワイヤソーを提供すること。
【解決手段】カーボン系の材料からなるスライス台１９の曲面側にシリコンインゴットを、エポキシ系接着剤を用いて接合する。そして、スライス台１９の曲面側と対向する面に超音波振動子２３である円板状の圧電セラミックを、エポキシ樹脂を用いて接合する。円板状の圧電セラミックは厚さ方向に分極してある。圧電セラミックの形状は３種類あり、圧電セラミックの円盤の拡がり振動モードの固有振動数は、約３５ＫＨｚ、約４５ＫＨｚ、約５５ＫＨｚである。そしてワークプレート１８をスライス台１９にエポキシ系樹脂を用いて接合する。なお、３種類の圧電セラミックは、同数使用している。 （もっと読む）

光学素子を仕上げ処理する方法は、上記光学素子と重なる複数の基準を有する光学マウント内に上記光学素子を取り付けるステップと、上記光学素子と上記複数の基準の為に第１計量マップを取得するステップとを含む。また、この方法は、複数の基準を伴わずに光学素子の為に第２の計量マップを取得するステップと、上記第１計量マップと上記第２計量マップとの間の差異マップを形成するステップと、上記第１計量マップと上記第２計量マップとを整列させるステップとを含む。上記方法は、上記異なるマップを使用して上記第２計量マップ上に数学的基準を配置し、第３計量マップを形成するステップと、上記第３計量マップを上記光学素子に関連付けるステップとを更に含む。さらに、上記方法は、上記光学素子をＭＲＦツール内の取付け具に取り付けるステップと、上記取付け具に上記光学素子を位置決めするステップと、上記複数の基準を除去するステップと、上記光学素子を仕上げ処理するステップと、を含む。
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【課題】被加工物の回転中心部におけるヘソの発生を防ぐ。
【解決手段】非球面形状をもつ被加工物を回転させながら研磨工具を圧接させ、被加工物の回転中心を通る走査線に沿って走査させることで被加工物を研磨加工する研磨加工方法において、まず、ダミーワークを用いて工具の単位時間当りの除去形状を取得する。目標除去形状と、工具の単位除去形状とに基づいて工具の滞留時間分布を計算し、工具の走査速度を制御する。ダミーワークは、被加工物の回転中心部の曲率半径と同じ曲率半径をもつ球状面を有し、この球状面を研磨加工することによって工具の単位時間当たりの除去形状を取得する。 （もっと読む）

【課題】実際のエッジの領域中のみならず、前面及び／又は裏面の隣接する領域中でも除去が行われることに対して解決手段を提供し、且つ従来技術の欠点を回避する。
【解決手段】（ａ）端面が研磨されており、且つラウンドエッジを有する半導体ウェーハを準備すること；（ｂ）中心で回転するチャック上に該半導体ウェーハを固定し、該半導体ウェーハと、チャックに対して傾斜されており、固定砥粒を含有する研磨パッドが適用されている、中心で回転する研磨ドラムとを位置決めし、及び固体を含有しない研磨剤溶液の連続的な供給下で半導体ウェーハと研磨ドラムとを互いに押し付けることによって半導体ウェーハのエッジを研磨することを有する、半導体ウェーハのエッジを研磨する方法によって解決される。 （もっと読む）