【課題】ガラス基板の主平面を、酸化セリウム砥粒を使用することなくかつ高い研磨速度で研磨して、加工の際に生じたキズやクラック等を除去し、平滑な主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研削工程と、主平面研磨工程とを備える。そして、主平面研削工程は、平均粒径０．０１μｍ〜１５μｍのダイヤモンド砥粒を有する固定砥粒工具を用いて研削する固定砥粒研削工程を有し、主平面研磨工程は、シリカ粒子、ジルコニア粒子等の酸化セリウム粒子以外の平均粒径５ｎｍ〜３０００ｎｍの砥粒を含む研磨液と、研磨パッドを用いて研磨する第１の研磨工程と、その後平均粒径が５〜５０ｎｍのシリカ砥粒を含む研磨液と研磨パッドを用いて研磨する第２の研磨工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で加工精度を高め、真円度および面粗度を向上させて油密性を確保するとともに、装置の簡素化により、生産コストを抑制できるメタルシール部の加工方法および加工装置を実現する。
【解決手段】ボデーＢ１に設けたテーパ面状のボデーシートＢ２に、ニードルＮの先端に形成したテーパ面状のシート面Ｎ３を着座させるメタルシール部の加工を、ボデーＢ１の中心軸に対してニードルＮの中心軸を傾斜させ、ボデーシートＢ２中心に対してシート面Ｎ３中心を偏芯配置して行なう。シート面Ｎ３とボデーシートＢ２の間に遊離砥粒を介在させた状態で、ニードルＮに自転運動と、ボデーＢ１の中心軸周りに偏芯回転させるすりこぎ運動を与えることにより、シート面Ｎ３とボデーシートＢ２を同時に仕上加工する。 （もっと読む）

【課題】機能性膜付きセミフィニッシュドレンズから眼鏡レンズを高い生産性をもって製造するための手段を提供する。
【解決手段】一方の面が光学面であり、他方の面が非光学面２ｂであるセミフィニッシュドレンズ１の該非光学面２ｂを研磨加工して光学面を創成する工程を含む眼鏡レンズの製造方法。前記セミフィニッシュドレンズ１は、レンズ基材１１ｂの光学面上にアクリル系コーティング１１ａを有し、ここで、前記アクリル系コーティング１１ａ表面の水に対する接触角は９０°以下であり、前記研磨加工前に、前記アクリル系コーティング１１ａ表面に、保護フィルム４６を該フィルムの粘着層を介して貼着し、前記研磨加工を、前記保護フィルム４６表面をブロック治具３７に固着した状態でレンズ基材１１ｂの非光学面２ｂを研磨することによって行う。 （もっと読む）

【課題】コバ部（レンズ外周縁部の肉厚部）の無い、もしくはコバ部が少ないレンズ素材を研削もしくは研磨加工する際にも、コバ部のあるレンズ素材の加工と同等、またはそれ以上の作業効率により加工作業を行うことが出来るレンズ加工装置に用いるレンズホルダを提供する。
【解決手段】この実施形態のレンズホルダとしてはレンズ素材Ｗの円弧状に形成されたレンズ保持面２を備えたホルダ本体１Ａと、ホルダ本体１Ａの外周縁部１ａにレンズ素材Ｗの外周縁部Ｗａ（以下外周縁部１ａに形成された肉厚部をコバ部Ｋと呼称する）を支持するリング状の支持部材４とで構成され、この支持部材４は、加工対象となるレンズ素材Ｗのレンズホルダ１へのセット時の芯出し位置決めに用いる。ホルダ本体１Ａの円弧状に形成されたレンズ保持面２には、所定の形状に形成した高摩擦材から成るシート材料１６が貼着してある。 （もっと読む）

【課題】 生産上のコスト増加要因をともなわずに、半導体ウェーハの外周ダレ（エッジロールオフ）が所望値内に改善された半導体ウェーハ及びそのような半導体ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】 単結晶インゴットをスライスするスライス工程と、該スライス工程によって得られた半導体ウェーハの外周部を面取りし、面取り部を形成する面取り工程と、該面取りした半導体ウェーハを平坦化する平坦化工程と、該平坦化した半導体ウェーハの主面のうち少なくとも一方を研磨する研磨工程とを含む、半導体ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程では、ＲＯＡ及びＥＳＦＱＲの規格に応じて、所望の直径よりも０．３ｍｍ以下大きい直径の範囲、前記面取り部の面取り幅が５０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲で調節した前記平坦化した半導体ウェーハの主面のうち、少なくとも一方を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】アルミナ突き刺さりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が５〜６０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０ｎｍ未満であるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 （もっと読む）

【課題】ポリッシュ工程において酸化セリウムを用いることなく、又はその使用量を低減しつつ、十分な耐衝撃強度が得られると共に、そのような磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造できる磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】中心孔を有する円盤状のガラス基板の内外周端面に対して、少なくとも研削加工を施す工程を含み、研削加工を施す工程は、ダイヤモンド砥粒を金属からなる結合剤で固定したメタルボンドダイヤ砥石を用いて、ガラス基板の内外周端面を研削する１次研削加工と、ダイヤモンド砥粒を樹脂からなる結合剤で固定したレジンボンドダイヤ砥石を用いて、ガラス基板の内外周端面を研削する２次研削加工とを含む。 （もっと読む）

【課題】 短時間で加工レートを上昇させて、加工時間を短縮できる超音波加工方法を提供する。
【解決手段】 準備工程Ｓ１は、被加工物Ｗの被加工面Ｗａの表面粗さＲａ０．５μｍ以上にする表面処理工程Ｓ１２を有し、加工工程Ｓ２では、加工部１０と被加工面Ｗａとを対向させて、被加工面Ｗａを加工する。 （もっと読む）

【課題】本発明は被研磨体の平面の表面うねりを抑制することを課題とする。
【解決手段】研磨装置を用いて台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工する。台座１０の上平面１４に微細なダイヤモンド砥粒を電着し、上平面１４上に砥粒層１８を所定パターンで形成し、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０が完成する。台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工しているため、ダイヤモンド砥粒が電着される平面精度が極めて高く、電着量を均一に制御することで砥粒層１８の平面精度が高められる。台座１０の上・下平面１４、１５の表面粗さは、Ｒａが０．２３μｍ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスをつくるための基板材料として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いる場合に、エピタキシャル成長に適した基板表面を導くためのＡｌＮ表面の質を向上させる。
【解決手段】基板表面を下処理する改善された工程が提供され、ここで、基板表面は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程で下処理され、ＣＭＰ工程は、基板表面に施され、および基板表面は、ＣＭＰ工程からの如何なる活性原料をも洗浄するために仕上げられる。 （もっと読む）

【課題】作業熟練度にかかわらず、容易に座面を修復することができる、ガスケット座面の補修器具および補修方法を提供する。
【解決手段】軸受け部１は、補修対象のガスケット座面１１１を備える開口部に着脱可能に固定される。回転軸３は、ガスケット座面１１１の中心軸と同軸の状態で軸受け部１に支持される。回転軸３には、アーム部材４が、ガスケット座面１１１と対向する状態で着脱可能に連結される。アーム部材４には、ガスケット座面１１１に当接する定盤５１等の研磨加工部材が支持される。回転軸３の回転によりアーム部材４を回転させることで、ガスケット座面１１１の研磨が実施される。 （もっと読む）

【課題】下地層の上の上層膜のみを選択的に除去することができ、基板上のデバイスにダメージを与えず、さらには研磨痕を低減することができる効率のよい研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨方法は、基板Ｗの周縁部と研磨テープ１とを摺接させる工程と、基板Ｗの周縁部に接触している研磨テープ１に研磨液を供給する工程とを含む。研磨テープ１は、基材テープと、該基材テープ上に形成された固定砥粒とを有している。研磨液は、立体障害を起こす分子を含む添加剤と、アルカリ性薬液とを含んだアルカリ性研磨液である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤４０を備える、研磨装置であって、上定盤４０によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを測定するために上定盤４０のモーター駆動軸６１に対する相対位置を計測する接触式変位センサ６５と、上定盤４０によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ６５の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Ｔｃの板厚補正値Ｔｐを算出する制御部９０とを備え、上定盤４０は、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の研磨後の平坦性を向上させることが可能なガラス基板の研磨方法を提供する。また、上記研磨方法をガラス基板の洗浄方法に応用する。
【解決手段】ガラス基板の研磨方法は、ガラス基板４の主表面の延在方向に沿って、ガラス基板４よりも硬い粒子を含む流体と上記主表面とを高速で相対移動させることにより上記主表面を研磨するものである。ガラス基板の洗浄方法は、ガラス基板４の主表面の延在方向に沿って、ガラス基板４よりも軟らかい粒子を含む流体と上記主表面とを高速で相対移動させることによりガラス基板４を洗浄するものである。 （もっと読む）

【課題】バリを良好に除去することができるバリ取り方法を提供する。
【解決手段】バリ取り方法は、ワーク１０に形成した第１穴１１に対し、第２穴１２を交差して連通して形成し、第２穴１２の第１穴１１への開口部１２Ａの周囲に形成されたバリ１３を除去する。ワーク１０の表面に形成された第１穴１１の開口端部１１Ａを薄膜により封鎖する封鎖工程と、薄膜２０を介して封鎖した第１穴１１の開口端部１１Ａに対向する位置に処理液３０を配置する待機工程と、処理液３０に衝撃波を発生させる衝撃波発生工程と、衝撃波が薄膜２０を破断して処理液３０が第１穴内１１に充満しながら高速で流入してバリ１３に衝突することにより、このバリ１３を折り取り除去する除去工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶およびエピ層付窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物結晶１の機械加工後の化学機械的研磨により、機械加工により悪化した窒化物結晶の表面層１ａの結晶性を化学機械的研磨により向上させる窒化物結晶の製造方法であって、化学機械的研磨においてｐＨが６以下または８以上のスラリーを用いて、窒化物結晶１の表面層１ａの結晶性の向上は、結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる結晶の表面層の均一歪みが２．１×１０^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板を研磨する際に、前段の研磨工程で突き刺さったアルミナ砥粒を後段の研磨工程で効率良く除去可能な磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板の表面を研磨する際に、第１の研磨盤を用いてアルミナ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、磁気記録媒体用基板を洗浄した後に、第２の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程と、を含み、粗研磨工程の最後に、アルミナ砥粒を含む研磨液の供給を停止し、代わりに砥粒を含まない洗浄液を供給して研磨盤からアルミナ砥粒を除去し、その後、第１の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら磁気記録媒体用基板の表面を研磨する中間研磨工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】加工開始時から高い加工速度で安定した加工を行うことができる超音波加工方法を提供する。
【解決手段】超音波振動が付与された工具を前進させて工具の先端部により被加工物の加工が開始され（Ｔ１）、工具の先端部が被加工物の表面から所定の微小深さＤ１にまで到達すると（Ｔ２）、工具が所定の後退量Ｄ２だけ後退して工具の先端部が被加工物の表面から離れ（Ｔ３）、次に、工具が所定の前進量Ｄ３だけ前進して被加工物の加工が進行し（Ｔ４）、以降、工具の先端部が被加工物の表面から予定していた加工深さに到達するまで、所定の後退量Ｄ２の後退と所定の前進量Ｄ３の前進が繰り返される。 （もっと読む）

【課題】撮像面の反りを低減することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程Ｓ２と、研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程Ｓ３と、を備える。研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハの厚さが７００μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、研磨時間を抑制しつつ、特にエッジロールオフ（端ダレ）を抑え、円盤状基板をより均等に研磨することができる円盤状基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面を研削する研削工程と、研削工程を経たガラス基板を研磨する研磨工程と、を有し、研磨工程は、ガラス基板の主表面に対する研磨の圧力を最大圧力まで単調増加させた後にこの最大圧力に留めることなく徐々に低下させると共に、研磨開始から研磨の圧力が最大圧力に達するまでの時間を研磨の圧力が最大圧力に達してから研磨終了までの時間より短くなるように設定することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）