【課題】研磨パッドの厚みにばらつきがあったとしても、高速研磨時におけるウェハー上の研磨対象膜を一定の膜厚にする。
【解決手段】ドレッサー１７を用いて研磨パッド１３のドレッシングが行われる。次に、ドレッシング後の研磨パッド１３の厚みを測定する。この厚み測定は、パッドプローブ１６を用いて行うことができ、測定結果は研磨制御部１９に入力される。次に、研磨制御部１９は、データテーブル１９ｂを参照して、研磨パッド１３の厚みに対応する閾値を決定する。さらに、こうして求められた閾値を登録する。その後、この閾値を用いて研磨対象のウェハー１１を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 使用者が簡単に研磨面の摩耗状態を把握することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】 研磨面１ａが所定量摩耗した際にそれを知らせるための報知部として、深さの異なる有底凹部１０ａ，１０ｂ，１０ｃが研磨面１ａに形成され、摩耗により有底凹部１０ａ，１０ｂ，１０ｃが消失することで研磨面１ａの摩耗の程度が視覚により把握できる。 （もっと読む）

【課題】研磨剤との物理的、化学的な接液による砥粒の消耗を防止し、コンディショニングディスクの寿命の向上が可能な化学的機械的研磨装置を提供する。
【解決手段】パッドコンディショナーは、下面側が開口し、上面側に第３軸心Ｘ３が貫通する蓋部材１６を有する有底筒状体で構成されるコンディショニングディスク１２を有底筒状体の内側に収容するカバー部１４と、カバー部１４とコンディショニングディスク１２を研磨パッド１の表面に向けて押圧する押圧装置１５を備え、カバー部１４の有底筒状体の筒状壁部１７の下端面１８が、第３軸心Ｘ３と直交する同一平面に形成され、押圧装置１５が、カバー部１４の筒状壁部１７の下端面全面が研磨パッド１の表面に向けて押圧可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板の凹状欠点を減少させる研磨方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板と研磨パッド６のパッド表面との間に研磨スラリーを供給してガラス基板の主表面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨パッドの研磨荷重を１〜６０ｇ／ｃｍ^２とする。研磨パッドはスウェード系パッドであって、表面の最大山１２と最小山１３の高低差が５０μｍ以下となるようパッド表面がドレッシング加工される。 （もっと読む）

【課題】各研磨工程で使用する研磨装置がどのような研磨傾向を有するかを把握することによって、極めて平坦で平滑な表面性状を有する基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】製品として供する基板の研磨工程とは別に試験用基板を研磨する試験工程を含み、試験工程は、前段と後段とで連続する各研磨工程で使用する研磨機でそれぞれ少なくとも１回試験研磨する工程と、試験研磨する工程後のそれぞれの試験用基板の形状により、研磨機の研磨パッドの採用または不採用および後段の工程での基板のセット方向を選択する工程と、からなり、試験工程において、研磨パッドが不採用の場合、研磨パッドが採用となるまで研磨パッドを修正または交換した後に再度新たな試験用基板を用いて試験工程を繰り返し、基板を研磨する際、試験工程において採用された研磨パッドを用い、および選択された基板のセット方向に従って基板を研磨する工程を有することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】立ち上げまでの時間が短くて済む研磨シートを提供すること、及び、そのような研磨シートの製造方法を提供すること。
【解決手段】シート状の発泡体からなり、その表面が、最終仕上げとして６０〜２００番手（６０〜２００メッシュ）の砥粒径の研磨剤でバフ掛けが行われて仕上げられていることを特徴とする研磨シート。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ装置におけるトラブル発生に対して作業現場で迅速にトラブル対策を講じることができるような作業情報管理システムを提供する。
【解決手段】作業情報管理システムは、ホストシステム５００と、複数のクライアントシステム７００とを通信ネットワーク６００により繋いで構成され、ホストシステム５００はエンジニアリング部門５７０と情報交換可能に繋がっている。各クライアントシステム７００は、それぞれＣＭＰ装置１を有して構成され、そのＣＭＰ装置１は、その作動を制御するとともにトラブル監視を行う制御装置４００が備えらている。ホストシステム５００は、ＣＭＰ固有運行関連ファイル５１０と、トラブル対処データベース５２０と、トラブル分析アプリケーション５３０と、表示作成装置（図示せず）とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造におけるCMP工程に用いられる研磨パッドは比較的高価なものであり、不要な交換は避ける必要がある。したがって、このパッドの磨耗量を正確に測ることが重要となっている。しかし、光による通常の測定では、スラリの存在が障害になり、接触型センサによるものでは、汚染物の溶出が問題となる。
【解決手段】ＣＭＰ工程においてドレッサ稼働中にドレッサの高さ位置を計測することにより間接的に研磨パッドの磨耗量または厚さを検出し、それによって、研磨パッド交換時期の適正化を図る。 （もっと読む）

【課題】ダイシング装置側に専用スペースや構造変更を要することなく、かつ、ワークによる制約を受けることなく、ワークを保持したままドレッシング作業等を実行できるようにする。
【解決手段】ダイシング用フレームユニット３が、環状フレーム５上にドレス部材７を備えるので、ワーク２を保持したダイシング用フレームユニット３を通常通りチャックテーブル１６に装着すればよく、ダイシング装置側に専用スペースや構造変更を要することなく、必要時にドレス部材７を用いたドレッシング作業を実行させることができ、また、ドレス部材７は、環状フレーム５自体なる開口部６周りの環状領域に配設されており、ワーク２による制約を受けないとともに、ドレス部材７を装着したままワーク２の交換作業を行うこともできるようにした。 （もっと読む）

【課題】研磨砥粒の埋め込み効率の向上と研磨定盤の平坦度の維持とを両立できる研磨装置を提供する。
【解決手段】スライダの研磨装置１は、スライダを研磨する研磨面２ａを備えた回転可能な研磨定盤２と、研磨砥粒を含む懸濁液を研磨面上に供給する懸濁液供給手段と、研磨定盤の研磨面と対向して配置され、回転する研磨定盤の研磨面に押付けられることによって、研磨面の平坦度を維持するコンディションリング８と、研磨定盤の研磨面と対向して配置された埋め込みリング１６を備えるチャージングユニット９であって、埋め込みリング１６が回転する研磨定盤の研磨面に押付けられることによって、懸濁液供給手段によって供給された懸濁液に含まれる研磨砥粒を研磨面に埋め込むチャージングユニット９と、スライダを保持し、スライダの研磨対象面を研磨面に押付けるスライダ保持手段１０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】研磨工程において実際に使用されている状態における研磨パッドの表面形状及び粘弾性特性を示す値の両者が測定可能な測定手段を有した研磨装置を提供する。
【解決手段】ウェハを研磨パッド２７の研磨面２７ｓに当接した状態で両者を相対移動させてウェハを研磨するＣＭＰ装置であって、研磨パッド２７の研磨面２７ｓと基準表面６２ｓとの間の距離を測定するメインセンサ６５及びサブセンサ６６を有し、研磨パッド２７の研磨面２７ｓの表面形状を測定するパッド形状測定装置と、研磨パッド２７の研磨面２７ｓに押圧して圧力負荷をかける圧力負荷装置とを備え、圧力負荷装置の圧力負荷によって研磨パッド２７の研磨面２７ｓに生じた変形量をメインセンサ６５及びサブセンサ６６を用いて測定し、測定された変形量が基準範囲内にあるか否かを判断するように構成される。 （もっと読む）

【課題】研磨中にリアルタイムでパッドコンディション条件を設定することにより、基板内全面で均一な膜厚に形成できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの中央部から周辺部までの範囲に亘って目立てを行うパッドコンディショニング手段を有し、研磨パッド内の位置に応じて、パッドコンディショニング条件を変化させるコンディショニングコントローラを備えた研磨装置において、予め設定された複数のパッドコンディショニング条件を記憶したデータベース２１と、膜厚分布の形状を測定する基板膜厚分布測定手段１８と、研磨パッド１２の表面の状態を検出するパッド表面検出手段１７とが設けられ、研磨前に基板膜厚分布測定手段１８で作成された基板膜厚分布情報に基づき前記データベース２１から最適のパッドコンディショニング条件を選択して研磨パッド１２のパッドプロファイルを作成するパッドプロファイル作成手段２２を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板毎に膜厚分布の形状が異なる場合でも、基板毎に最適のパッドコンディションを行うための研磨装置および研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド１２内の位置に応じて、パッドコンディショニング条件を変化させるコンディショニングコントローラ１９と、複数のパッドコンディショニング条件を記憶したデータベース２１と、基板膜厚分布測定手段１８と、パッド表面検出手段１７と、研磨パッドなど消耗品のパッドコンディショニング性能のばらつきと基板の研磨量や研磨形状との相関関係情報を記憶するばらつき相関関係情報記憶手段３０等から、コンディショニングコントローラは、基板膜厚分布情報に基づき、データベースから最適のパッドコンディショニング条件を選択して研磨パッドのパッドプロファイルを作成する手段２２を有すると共に、パッドコンディショニング性能のばらつきを反映してパッドコンディショニング条件を自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させた研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置１は、研磨工具１０により複数の半導体ウェハＷを連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前のアジャスト工程において、研磨制御部６０により、ドレッサ３０のドレスポジション制御におけるゲイン値および研磨パッド１３のドレス時間をドレスレートに応じて設定するようになっている。 （もっと読む）

【課題】薄刃砥石の側面をもドレッシングすることができる薄刃砥石のドレッシング装置、ドレッシング方法、半導体の製造方法、および精密部品の製造方法を提供する。
【解決手段】薄刃砥石１０１を回転させる砥石回転手段２と、所定の間隔に離間し、互いに異なる磁極が対向するように設けられた一対の磁力発生手段４、５と、前記対向する磁極の間の空間に磁力により保持された磁性砥粒７と、前記薄刃砥石の側面を前記空間に挿入可能とした移動手段と、を備えたこと、を特徴とする薄刃砥石のドレッシング装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの形状変化状況を的確且つ早期に検出して不良の有無判断を行う。
【解決手段】ＣＭＰ研磨装置は、円盤状の研磨面を有する研磨パッド１５を回転させながら研磨対象となる半導体ウエハＷに接触させてその表面研磨を行うウエハ研磨装置１０と、研磨パッド１５の研磨面の形状測定を行うパッド形状測定器５０とを備え、パッド形状測定器５０により研磨パッド１５の円周方向の面振れを測定し、測定面振れ値が基準値以上となるときに、研磨パッドが不良であると判断する。なお、パッド形状測定器５０による測定は、ドレス工具３５を用いて研磨パッドの研磨面を所望のプロファイルに仕上げるアジャスト工程を行ったときに行われる。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどを、割れや欠けなく、真球度や表面粗さ、外形精度の高い球体へ研磨するための研磨装置を提供する。
【解決手段】下定盤と、下方より、球体１２を回動可能に保持するキャリア１３と、上定盤と、この上定盤を加圧するウエイトとを有し、前記下定盤上に回動可能に支持された研磨治具と、前記キャリア１３を介して球体１２に研磨剤を供給する供給部とからなり、研磨剤を供給しながら、前記下定盤および上定盤とで球体１２を挟持、加圧するとともに、これら下定盤、上定盤とを相対的に移動させて前記球体１２を研磨する研磨装置であって、前記キャリア１３は、その表面に有底の溝部２０と、この溝部２０の経路に設けた開口部１３ａ内に嵌合した、球体１２を回動可能に保持するサブキャリア１９とからなり、このサブキャリア１９に前記溝部２０を介して研磨剤を供給した。 （もっと読む）

【課題】CMP装置のスループットの改善とダウンタイムの低減を図る。
【解決手段】回転する研磨パッド５にウェハを研磨ヘッド１で押し付けて研磨加工する前後にて研磨パッド５の再生処理の為、底面にダイヤモンド砥粒が底面に固定された第１ドレッサ８および第２ドレッサ９を研磨パッド５上でそれぞれ自転させ、かつ同時に揺動させる構成である。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨装置の研磨ヘッドのコンディショナーのハード的不具合を精度良く判定する方法を提供する。
【解決手段】同一のプラテンで使用した研磨処理後の複数枚の研磨パッドのパッドプロファイルを測定し、前記パッドプロファイルが予め定めた基準を満たしている場合には、コンディショナの機械的な状態を良と判定して研磨工程を継続し、前記パッドプロファイルが予め定めた基準を満たしておらず、不良と判定した場合には、コンディショナの機械的な不具合を修復する。 （もっと読む）

【課題】従来からの研磨剤を用いることも出来、かつ、研磨圧力を低く出来、即ち、圧力に対する耐性が脆弱なＬｏｗ−ｋ膜を有する基板に対してＣＭＰが行われても、そのような脆弱な膜を損傷せしめることが無く、しかも研磨速度が速いＣＭＰ技術を提供することである。
【解決手段】 基板に設けられた膜の表面を研磨パッドによってＣＭＰするＣＭＰ方法であって、表面の中心線平均粗さＲａが７〜１１μｍの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、前記研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を３〜７ｋＰａに制御する工程とを具備する。 （もっと読む）