【課題】 切断中における切断用ワイヤーの最大たわみ量の変化の程度を小さくして、被加工物の良好な平坦な切断面を得ることができるワイヤーソー加工方法の提供。
【解決手段】 この方法が適用されるワイヤーソー装置は、一対のローラ１１，１２間に張架されて張架方向に走行せしめられる複数の切断用ワイヤーＷと、被加工物２０を載置するテーブル１４とを備え、テーブル１４を上昇させて被加工物２０を走行させられている切断用ワイヤーＷに押し付けることで被加工物２０を切断する。このワイヤーソー加工方法では、被加工物２０の中央位置が切断用ワイヤーＷの中央位置に対して張架方向にずれるように被加工物２０がテーブル１４上に載置される。これにより、切断用ワイヤーＷの最大たわみ量が小さくなり、この結果、切断中における切断用ワイヤーの最大たわみ量の変化の程度も小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハなどを表面精度よく研磨することが可能な研磨装置を提供すること。
【解決手段】 ワークとしてのウエハＷを挟持可能に対向配置された上定盤１および下定盤２と、上定盤１を吊り下げ可能であり、かつ上定盤１に回転駆動力を伝達する回転支持軸３と、を備えており、上定盤１がウエハＷに対して相対回転させられることにより、ウエハＷを研磨する、両面研磨装置Ａであって、上定盤１は、回転支持軸３の軸方向において回転支持軸３に対して相対動可能であり、かつ回転支持軸３に対して傾動可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に各段の研磨プロセス間での基板の表面状態の計測を可能な限り省略してスループットを高め、しかも研磨条件（研磨レシピ）を改善させた多段研磨プロセスを行うことができるようにする。
【解決手段】 複数の被研磨物が保管されたカセットから被研磨物を取出し、表面に複数段の研磨を行ってカセットに戻す操作を順次繰返す研磨方法であって、カセットから取出した被研磨物に対し、予め設定した研磨条件での複数段の研磨と各段の研磨前後における被研磨物表面の測定をそれぞれ行う第１の研磨処理と、前記測定結果を基に修正した研磨条件で所定の段における研磨を行う第２の研磨処理の一方を行う。 （もっと読む）

本発明は、比表面積が５ｍ^２／ｇ以上であり、且つ、３ｎｍ以上の直径を有する気孔と３ｎｍ未満の直径を有する気孔との体積分率が８：２〜２：８の範囲であることを特徴とする一液型ＣＭＰスラリー用の酸化セリウム粉末、その製法、これを研磨材として含む一液型ＣＭＰスラリー組成物、及び前記一液型ＣＭＰスラリー組成物を用いる浅いトレンチ素子の分離方法を提供する。本発明は、か焼、選択的に粉砕、及び焼成段階を経て得られた、気孔分率が高く、強度の低い酸化セリウム粉末を研磨材として用いることにより、一液型ＣＭＰスラリーにしても酸化セリウム粉末の沈殿現象がなく、且つ、酸化ケイ素膜に対する十分な研磨速度を有するとともに、窒化ケイ素膜の研磨速度を格段に落として酸化ケイ素膜との除去選択比を高めることができ、バランスのとれた諸研磨特性が得られる一液型ＣＭＰスラリー用の組成物を製造することができる。
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【課題】被研磨面上での面内分布の悪化を回避して、研磨後における被研磨面の高平坦化を可能にしつつ、高い研磨レートを確保して十分な削り込み量を得ることが可能な研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】ウエハ基板Ｗの凹凸を有する被研磨面Ｗａに、界面活性剤２１ｂを含有した研磨用スラリー２１を供給して、被研磨面Ｗａを研磨する研磨方法において、被研磨面Ｗａが界面活性剤２１ｂにより保護される温度で、研磨用スラリー２１を供給して被研磨面Ｗａの研磨を行うことで、凹凸を構成する凸部１４ａを除去し、被研磨面Ｗａを平坦化した後、界面活性剤２１ｂによる被研磨面Ｗａの保護作用が低下するように、第１研磨工程よりも高い温度で研磨用スラリー２１を供給し、平坦な状態を維持したまま被研磨面Ｗａを削り込むことを特徴とする研磨方法およびこの研磨方法に用いる研磨装置である。 （もっと読む）

【課題】大型基板の研磨時の大きな研磨抵抗が小さくなるよう改善してより高い荷重で効
率よく研磨できるようにする。
【解決手段】研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、一定荷重をかけた
状態で相対的に移動させ、その際研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に
供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方
法であって、
前記研磨布を貼り付けた定盤は、
定盤１の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁
部において曲線状又は曲面状に形成されてなる定盤と、
前記定盤１の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿
って貼り付けられた研磨布２と、で構成され、
この「研磨布を貼り付けた所定の定盤」３を用い、マスクブランク用基板４の研磨を行
うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】切削加工された金型の加工凹部内のラップ処理を自動的に行えるラップ処理方法と当該ラップ処理方法の実施に活用できるラップ用工具を提供する。
【解決手段】数値制御工作機械にセットされた金型１の加工凹部２内にラップ剤８を充填し、数値制御工作機械の主軸４に取り付けたラップ用工具３を前記ラップ剤８内で自転させながら前記加工凹部２の被ラップ処理面２ａに沿って移動させることにより、当該ラップ用工具３でラップ剤８を被ラップ処理面２ａに作用させてラップ処理を行うことを特徴とする。又、このラップ処理方法の実施に活用できる工具として、工具本体６の周面に、この周面に接するラップ剤８を工具本体６の自転により遠心方向に飛散させるための凹凸加工（突条７など）が施されているラップ用工具などを提供する。 （もっと読む）

化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッドを含む。スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッドの頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】磨耗等を少なくでき、研磨パッドの平坦度ならびに面粗さを維持できるＣＭＰパッドコンディショナーの提供。
【解決手段】ＣＭＰパッドコンディショナーは、人為的に加工によって形成された突起状切刃によって行われ、その個々の突起状切刃の切刃高さが任意に設定でき、またＣＭＰスラリーに対して耐久性のある物質、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、ＴｉＯ₂、安定化ジルコニア、ＺｒＮ、ＺｒＣ、ＷＣ、ＷＣ−Ｃｏ、ＴｉＣ、ＴｉＡｌＮ、Ｔｉｎ−Ｎｉ、ＬｉＮｂＯ₃、ＮｂＣ、ＬｉＴａＯ₃、ＴａＣあるいはＨｆＣに被覆された突起状切刃である。 （もっと読む）

【課題】スラリーの保持性に優れ、研磨速度が大きい研磨パッド及びこのような研磨パッドを形成できる研磨パッド用組成物を提供する。
【解決手段】架橋重合体を含有するマトリックス材として１，２−ポリブタジエン１００重量部と、水溶性粒子としてポリペプチドをコーティングしたβ−サイクロデキストリン２３０重量部とを加熱されたニーダーにて混練し、その後、有機過酸化物０．３重量部を添加して更に混練した後、金型内にて１９０℃で１０分間架橋反応させて研磨パッドを得る。得られた研磨パッドを構成するマトリックス材は、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準じて８０℃において行った引張試験において、破断後の標線間合計距離が破断前の標線間距離に等しく弾性回復性を有する。このため研磨パッドはポアを塞ぐことなくドレッシングすることができる。 （もっと読む）

【課題】ワークの切断精度を低下させることなく切断代が減少でき、しかも繰り返し使用を可能にするソーワイヤを提供することを課題とする。
【解決手段】ソーワイヤ１は、長径側両端部２がＲ形状のトラック形状で、厚さＴが０．０８〜０．１６ｍｍで、幅Ｈと前記厚さＴとの比が、１．２≦Ｈ／Ｔ≦３．０で、さらに、幅Ｈに対する平坦部幅ｈの割合は、０．２０≦ｈ／Ｈ≦０．７である。
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【課題】インゴットから切り出されたウェーハの両面を確実かつ効率良く研削してうねりを除去できるようにする。
【解決手段】第一の面及び第二の面を有するウェーハの両面を研削する場合において、凝固した水溶性樹脂２を介してウェーハＷａを支持基板１に固定し、水溶性樹脂２の凝固点より温度が低い研削水４をウェーハＷａに供給しながら第一の面Ｗ１０を研削し、ウェーハＷａを支持基板１から剥離した後にウェーハの第二の面Ｗ２０を研削する。研削水４の温度が水溶性樹脂２の凝固点より低いため、水溶性樹脂２が溶融することなく、ウェーハＷａが強い保持力で保持された状態で第一の面Ｗ１０が研削され、ウェーハＷａが支持基板１から脱落して飛散することなく、ウェーハの両面に形成されたソーマーク及びうねりを除去することができる。 （もっと読む）

基板表面のＣＭＰの方法は、実質的に研磨粒子を含まず、官能基（３０）が化学的に（共有またはイオン）結合された研磨層（２６）を有する研磨パッド（２０）を提供する。官能基（３０）は研磨スラリ（２４）の化合物に対する活性化物質または触媒として作用して、実質的に同一の研磨スラリ（２４）および実質的に同一の研磨層（２６）が官能基（３０）を有さない研磨パッド（２０）の存在下での実質的に同一の基板（１０）のＣＭＰで示されるよりも高い、基板（１０）表面の選択された部を除去するための物質除去率を示す。官能基（３０）は、ポリアミン、高分子電解質、および／またはアミノ酸を含む化合物に由来しうる。ＣＭＰパッド（２０）の作製方法およびそれにより形成されたＣＭＰパッド（２０）も開示される。
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【課題】 ２０〜５０μｍと極薄の半導体基板とするための基板裏面を平面研削・研磨する生産性の高いインライン方式の平坦化装置の提供。
【解決手段】 基板収納ステ−ジ１０１を室外に、基板エッヂ把持型第一搬送ステ−ジ１０３、室内に時計廻り方向に基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジｓ_１、粗研削ステ−ジｓ₂、中仕上研削ステ−ジｓ₃および精密研削ステ−ジｓ₄の４つのステ−ジを１台のインデックス回転テ−ブル２に同心円上に配置した研削加工ステ−ジ１０４、一対の基板仮置台１０５ａ，１０５ｂ、２枚の基板を同時に研磨できる研磨加工ステ−ジ１０６、基板エッジ把持型第二搬送ステ−ジ１０８、および洗浄ステ−ジ１０９を備える平坦化装置１００。 （もっと読む）

【課題】 磁気研磨法おいて、より精密な表面加工を可能にする磁性砥粒を提供する。
【解決手段】 磁性体粒子１２を含有する可撓性材料１１により形成された可撓性粒子の表面に、研磨粒子１３を分散させてなる磁性砥粒１０により、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】強度の低下を招かずに切断効率を向上することができ、また同時に切断精度も向上することができるソーワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤソーマシンに用いられるワイヤにおいて、ワイヤが円形断面の１個所以上に圧延された平坦面を有し、その平坦面がワイヤ長手方向でらせん状に連続している。 （もっと読む）

【課題】 接着工程や剥離工程を要することなく、切断対象物を安定に保持した状態で切断し得る切断装置及び切断方法を提供する。
【解決手段】 本発明の切断装置は、切断前の切断対象物（希土類焼結磁石１）及び切断後の切断片１ａをクランプするクランプ部２，３と、切断対象物をクランプ部２，３によるクランプ方向と直交する方向に切断する切断機構４（回転刃４ａ）を備えている。切断に際しては、希土類焼結磁石１をクランプ部２，３によりクランプするとともに、例えばクランプ方向に対して略直交する方向に回転刃４ａを移動して希土類焼結磁石１を切断するが、切断後においても各切断片１ａはクランプ部２，３によってクランプした状態が維持される。切断後には、クランプ部２，３を開放することで切断片１ａを下方に落下させ、収容容器５で回収する。 （もっと読む）

【課題】切削加工中に外周刃ブレードの刃面が折れたり欠けたりすることがなく、工具寿命が長いダイシング用工具を提供する。
【解決手段】ダイシング用工具１０は、超音波スピンドルユニットに固定されて軸線周りに回転するとともに、超音波スピンドルユニットにより発振された超音波変位により、ダイシング用工具１０のブレード部２の刃面を伸縮させて切削加工を行う。スピンドル軸部取り付け側の外側周縁部５であって、ブレード部２側に面した外周端面８に、外側周縁部５の半径よりも１ｍｍブレード部２側に延長して形成された部分が位相調整部６として機能しており、この位相調整部６が、フランジ部１内を伝播する超音波変位の位相のずれを調整して、半径方向のみに変位するように超音波変位をブレード部２へと伝達する。このようにして、ブレード部２の砥粒層２ａの刃厚方向への変位が抑えられ、加工物の切削側面をたたくような現象を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】案内台上でヘッドストックとテールストックを軸方向に移動可能に支持する直線駆動用玉軸受のボールの微小回転面にフレッチイング摩耗が発生することを防止したテープラップ装置のオシレーション機構を提供。
【解決手段】案内台 3上で軸方向に移動可能に直線駆動用玉軸受7、7を介して支持し、案内台 3上のオシレーション機構 8のカム軸 9が一体的に連結したヘッドストック 4とテールストック 5を、連結部材 6を介してオシレーション運動を与え、かつオシレーション機構 8のカム軸 9と連結部材 6との間にシリンダ10を設け、被加工物 1を取替えるとき、シリンダ10が一体的に連結したヘッドストック 4とテールストック 5を直線駆動用玉軸受の１個のボール71の１回転分以上のストロークだけ往復動させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 ２重の押圧力印加構造を有して部分的に押圧力を変えられる研磨装置を使用して膜厚分布に応じて研磨量を部分的に異ならせる時に、簡単な構成でより安定な研磨が行える研磨システムの実現。
【解決手段】 部分的に押圧力が可変の研磨装置70と、膜厚分布測定部80と、制御部70とを備える研磨システムであって、制御部70は、平均押圧力とそれに対する部分押圧力の比率の分布である押圧力分布との押圧力研磨量関係及び目標膜厚分布を記憶しており、制御部は、研磨前膜厚分布と目標膜厚分布から必要研磨量分布を算出する研磨量算出部63と、押圧力研磨量関係に基づいて、必要研磨量分布に応じた平均押圧力と押圧力分布を算出する押圧力分布算出部64とを備える。 （もっと読む）