【課題】研磨作業の期間を延ばすことなくトレンチまたはトラフ中の金属のディッシングを減らす方法の提供。
【解決手段】金属を含有する半導体ウェーハのＣＭＰに有用な水性組成物であって、酸化剤、非鉄金属のインヒビター、非鉄金属の錯化剤、改質セルロース、第一のコポリマーと第二のコポリマーとのコポリマーブレンド０．００１〜１０重量％及び残余としての水を含む組成物を使って研磨する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルム押出成形に用いるＴ−ダイを構成する金属メッキブロック材の継ぎ目面となる研削面を砥石車縞跡のないより優れた鏡面光沢を有する面に機械加工する。
【解決手段】 フレ−ム２上に設けられたワ−クテ−ブルに固定された金属メッキブロック材（ワ−ク）表面に、スピンドル軸５１の下端に軸承された研磨工具保持板５５に貼付されたピッチ研磨工具５０のピッチ面を押圧し、ワ−ク表面とこれに対向する前記ピッチ研磨工具面５０間に研磨剤を供給しながらピッチ研磨工具を回転させながら一方向に移動させ、ワ−クの一方向ピッチ研磨を行い、ワ−クに残っていた砥石車縞跡を消滅させるとともに、精密研削ワ−クと比較して表面粗さの値が１／４〜１／６倍と小さくなったより優れた研磨鏡面を呈現させる。 （もっと読む）

【課題】平滑性の高い情報記録媒体用基板の製造方法及びこれを用いた情報記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法において、研磨工程における研磨液は１μｍ以上の粒子を除去した水又は超純水と研磨剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒方式の超砥粒ワイヤソーにおいて、砥粒の集中度を最適化することにより、切れ味を向上させることである。
【解決手段】芯線の表面に超砥粒が結合材で固着された超砥粒ワイヤソーにおいて、超砥粒の平均粒径の３０％〜９０％の粒子を含有させる。粒子は、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素、ガラスビーズおよび超硬合金からなる群より選ばれた少なくとも１種の粒子を含有させる。 （もっと読む）

【課題】平坦度が０．２５μｍ以内の高平坦度を有するマスクブランク用基板、マスクブランクおよびこの基板を用いたときのパターン位置精度や、転写精度が良好な転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、該基板の上下両面に研磨パッドを貼った上下定盤に挟持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、キャリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をすることにより、前記基板を両面研磨して、前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になるようにした後、前記基板の少なくとも一主表面の平坦度を測定し、測定したデータに基づき基板の平坦度が所望の値となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正する。 （もっと読む）

【課題】被研磨表面の表面平滑性の向上と両立させながら、被研磨基板の研磨速度を向上させる方法及び該方法用いてなる表面平滑性に優れ、生産性の高い基板の製造方法、並びに表面平滑性に優れたガラスメモリーハードディスク基板を高い研磨速度で得ることができる研磨液組成物を提供すること。
【解決手段】水系媒体とシリカ粒子を含有してなる研磨液組成物中におけるシリカ粒子のゼータ電位を−１５〜４０ｍＶに調整し、該研磨液組成物を用いて被研磨基板の研磨速度を向上させる方法、該方法を用いてなる基板の製造方法、並びに水系媒体とシリカ粒子を含有してなる研磨液組成物であって、該研磨液組成物中のシリカ粒子のゼータ電位が−１５〜４０ｍＶであるガラスメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＰフリー領域や酸素析出物フリー領域が十分に確保されており、またウエーハ表面にヘイズや異物の焼き付きが無く、さらにウエーハ裏面に治具との接触痕も無い高品質のシリコンウエーハを製造することのできるシリコンウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からシリコンウエーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶から切り出されたウエーハに、少なくとも、ウエーハの両面を鏡面研磨する両面研磨工程と、該鏡面研磨されたウエーハを熱処理する熱処理工程と、該熱処理されたウエーハの表面または両面を再度研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。 （もっと読む）

Ｃ−Ｓｉ結合とＳｉ−Ｏ結合とを有する有機ケイ素材料から構成された絶縁膜を半導体集積回路に使用し、その表面の研磨に、水と、希土類水酸化物、希土類フッ化物、希土類オキシフッ化物、酸化セリウム以外の希土類酸化物およびこれらの複合化合物からなる群から選ばれる１種以上の特定希土類化合物の粒子とを含む研磨剤組成物または、上記組成に更に酸化セリウム粒子を含む研磨剤組成物を使用する。クラック、スクラッチ、膜剥がれ等の欠陥のない、あるいは少ない高品質な研磨表面を与えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】加工の終点を決定する為に、形成された窓を有する研磨パッドが開示されているが、窓とプラテンとの間に「空隙」又は空間が出来てしまう。これにより、研磨中、空隙中で発生する圧力から過度な応力が窓に加わり、望まれない残留応力変形を窓の中に生じさせることがある。要望されているものは、ＣＭＰ中での広い範囲の波長での確固とした終点検出又は計測のための、応力が軽減した窓を有する研磨パッドである。
【解決手段】本発明は、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、研磨パッド中に形成された窓を含み、窓が、その側面にあてがわれた空隙を有するものである研磨パッドを提供する。研磨パッドはさらに、空隙から研磨パッドの周辺部まで研磨パッド中に設けられた空隙−圧力逃がし通路を含む。 （もっと読む）

【課題】 新たに生じるパッド表面までも確実に加工・調整して、効率的に精度良くパッド表面の加工・調整を行うことができる軟質材加工用切削工具を提供する。
【解決手段】 基材１０の表面１１に、主台座２０を上方に突出させて形成するとともに、この主台座２０の上面２１に、主切刃稜線２５を有する主切刃凸部２３を上方に突出させて形成する。基材１０の表面１１に、補助台座３０を上方に突出させて形成するとともに、この補助台座３０の上面３１に、補助切刃稜線３５を有する補助切刃凸部３３を上方に突出させて形成する。 （もっと読む）

１００Åを超える異常突起がなく、ライン密度３０本／μｍのテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されるように磁気ハードディスク用のガラス基板をテクスチャ加工する方法及びこのテクスチャ加工に用いられるスラリーを提供する。回転するガラス基板１５にスラリーを供給し、加工テープ１４を押し付け、走行させる。スラリーが、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる砥粒を分散したものである。砥粒として、一次粒子の平均粒径が１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲にある人工ダイヤモンドの粒子、及びこの粒子からなる二次粒子の平均粒径が０．０５μｍ〜０．２０μｍの範囲にあるクラスター粒子が使用される。スラリーに、高級脂肪酸アマイド、及びグリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤から構成される添加剤が添加される。 （もっと読む）

略平坦な中央部（１２）から延在する複数の一体成形剛毛（１８）を有する成形ブラシセグメント（１０）。ブラシセグメントは、熱可塑性エラストマーなどの成形可能なポリマーから成形され、ブラシセグメントの少なくとも剛毛に存在する複数の研磨粒子を有する。

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導電性材料層が配置された基板を処理する方法であって、基板を処理装置に位置させるステップと、基板に第１の研磨組成物を供給するステップとを備えた方法が提供される。研磨組成物は、燐酸、少なくとも１つのキレート化剤、腐食防止剤、塩、酸化剤、磨き剤粒状物、約４から約７のｐＨを与えるための少なくとも１つのｐＨ調整剤、及び溶媒を含む。この方法は、更に、導電性材料層に不動態化層を形成するステップと、この不動態化層を除去して、導電性材料層の一部分を露出させるステップと、基板に第１バイアスを印加するステップと、導電性材料層の少なくとも約５０％を除去するステップとを備えている。この方法は、更に、第１研磨組成物から基板を分離するステップと、基板を第２研磨組成物及び第２バイアスに露出させるステップと、導電性材料層を除去し続けるステップとを備えている。 （もっと読む）

半導体の処理に使用する化学−機械的研磨剤組成物は非球形の形状をもった研磨剤粒子を使用する。 （もっと読む）

【課題】 ダスト等の異物の付着およびスクラッチ傷の発生を効果的に抑制できる研磨パッドを提供する。
【解決手段】 被研磨物の研磨に用いられる研磨パッドにおいて、研磨に用いられる研磨スラリー中の砥粒の研磨後の平均粒径を研磨前の平均粒径の１．５倍以下に調整可能で、かつ表面Ｄ硬度が６５度以上であることを特徴とする研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 研磨速度の向上及び金属汚染を防止（ウエーハ品質を向上）すると共に、低コストで研磨する研磨剤及び研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカ０．１〜３０ｗｔ％を含む研磨剤であって、アミノ基２個以上、Ｃ６個以上であるアミンが添加（例えば、１，６−ヘキサンジアミン０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ）されている研磨剤。またこの研磨剤を用い、ウエーハを保持した状態で研磨布表面に押しつけ、研磨剤を所定流量で研磨布上に供給し、研磨剤を介してウエーハの被研磨面を研磨布表面と摺擦させるウエーハの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 摩擦特性が良く耐久性に優れ、半導体ウェハの被削面に欠陥やスクラッチが生じない低コストのＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。
【解決手段】 基材と基材上に設けられた研磨層とを有し、上記研磨層が、規則的に複数配置された所定形状の立体要素で構成された立体構造を有し、上記研磨層が、構成成分としてＣＶＤ法により製造されたアドバンストアルミナ砥粒と結合剤とを含む研磨コンポジットで成る、ＣＭＰ用研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 切断面の平坦度を高めつつ、ローラの磨耗を抑制して長時間の連続運転を可能にした希土類合金の切断方法を提供する。
【解決手段】 砥粒を固着させたワイヤに１９．６Ｎ以上３９．２Ｎ以下の張力を与えながら希土類合金を切断する。エステル系ウレタンゴムから形成されたローラを用いてワイヤを駆動し、ローラ磨耗を抑制する。４０℃における粘度が４．０から４０．０［ミリパスカル秒］の範囲内にある切削油を供給しながら切断を行い、希土類合金の切断する際に生じた合金スラッジを切削油内から磁力によって分離する。 （もっと読む）