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Fターム[3C069BC03]の内容

石材又は石材類似材料の加工 (12,048) | 加工手段の駆動又は移送 (498) | 加工手段自体の駆動装置 (359) | 制御装置(ON、OFF含む) (85)

Fターム[3C069BC03]に分類される特許

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【課題】ワークの切断精度を良くするとともにワイヤの使用量を少なくしてランニングコストを低く抑え、生産性の良いワイヤソーを提供する。
【解決手段】互いに横並びに配置され水平軸心回りに回転する一対のローラ2に1本のワイヤ3がローラ2の水平軸心方向に所定のピッチで螺旋状に巻き掛けられている。ローラ2を回転駆動させるローラ駆動モータ20と、ワークWをワイヤ3に押し付けるワーク押付手段5とを備える。制御装置8は、ワークW切断時にワイヤ3にかかる切断負荷の基準値を記憶する基準負荷記憶部8aと、切断負荷値を検出する切断負荷検出部8bと、検出値と基準値とを比較判定する判定部8cとを備える。制御装置8は、検出値が基準値に満たない場合には、ローラ駆動モータ20を制御して新線供給速度を下げ、検出値が基準値を超えた場合には、ローラ駆動モータ20を制御してワイヤ走行速度を上げる。 (もっと読む)


【課題】被加工物の分割がより確実化される被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】パルス幅がpsecオーダーのパルスレーザー光を出射する光源からステージに至る光路を途中で第1と第2の光路に部分分岐させ、個々の単位パルス光について、前者を進む第1の半パルス光に対し後者を進む第2の半パルス光が遅延するように第2の光路の光路長を設定し、第1の半パルス光と第2の半パルス光の被照射領域が同一となり、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レーザーを用いたガラス基材の異形抜き加工において、採算ベースの加工速度を実現することのできる新規なレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基材を所定温度まで昇温した後、当該ガラス基材に対してNd:YAGレーザーの3倍波を集光照射する。300〜800℃まで昇温されたガラス基材は、レーザースクライビングに最適なレーザー光吸収率(10〜50%)を示すため、採算の取れる加工速度での異形抜き加工が可能となる。 (もっと読む)


【課題】脆性材料基板を切断するに際し、スクライブ開始時のかかりがよく、交点飛びを防止し、脆性材料の分断面の品質が良好なスクライブ方法とスクライビングホイールを提供すること。
【解決手段】スクライビングホイール10の円周稜線11に沿って互いに隣接する溝21,22を設け、その間隔を、脆性材料基板に圧接したときに2つの溝が同時に接することがない間隔とする。スクライビングホイール10を用いて円周の長さだけテストスクライブし、基板と接触した点からスクライブラインが形成されるまでの距離d1を検出する。スクライビングホイールをテストスクライブの終了時と同一の回転角度を保ちつつ判別された距離d1分だけダミースクライブを行い、スクライビングホイールについてダミースクライブの直後の回転角度を保ちつつスクライブする。これによってかかり性能が良く、端面強度を保持したスクライブ方法が実現できる。 (もっと読む)


【課題】マルチスクライブ装置において、スクライブヘッドの刃先の位置ずれによってい脆性材料基板に乗り上げのずれが生じたときに基板のエッジの欠けを防止できるようにする。
【解決手段】各スクライブヘッドにホイールチップが脆性材料基板上に達したかどうかを検知する乗り上げ検知手段を設け、夫々の乗り上げ検知手段から乗り上げの検知がなされたときにそのスクライブヘッドについてスクライブ荷重を大きくすると共に、全ての乗り上げ検知手段から乗り上げの検知がなされたときにスクライブ速度を上昇させる。これにより短冊形の薄い脆性材料基板であってもスクライブ開始時の脆性材料基板の欠けを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】従来の金属検知装置では、遮断された電動ドリルへの通電を復帰させるために、作業者がリセットスイッチを押すという煩雑な操作を行わなければならなかった。
【解決手段】商用コンセント40に接続される電源プラグ11、電動ドリル30のプラグ35が接続される電源コンセント12、電源プラグ及び電源コンセントを接続する給電回路、その途中に設けられたスイッチ20を有する電力供給部と、電源プラグのアース端子Eと電源コンセントのアース端子Eとを接続した回路であって、電動ドリルが金属51に当接及び離隔したことを検出する金属検出部15、16と、その検出結果に基づいて、電動ドリルが金属に当接したことを検出した際には、スイッチ20を切って電源プラグから電源コンセントへの給電を遮断し、離隔したことを検出した際には、スイッチ20を入れて電源プラグから電源コンセントへの給電を復帰させる給電制御部19とを備える。 (もっと読む)


【課題】要求される品質に応じて分割力を高めることができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】半値幅と裾幅とが互いに等しいパルス波形を有するレーザ光Lを加工対象物に照射することで、切断予定ラインに沿って改質スポットを加工対象物内に複数形成し、複数の改質スポットによって改質領域を形成する。ここで、レーザ光源101は、レーザ光源制御部102によって駆動電源51を制御し、レーザ光LのPE値に応じてパルス波形を第1〜第3パルス波形の間で切り替える。低PE値の場合、その前半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第1パルス波形をパルス波形として設定すると共に、高PE値の場合、その後半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第2パルス波形をパルス波形として設定する。 (もっと読む)


【課題】切削ブレードの磨耗を少なくしてサファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した切刃を備えた切削ブレードをサファイア基板の分割予定ラインに位置付け、切削ブレードを回転しつつ切削ブレードとサファイア基板を相対的に加工送りし、サファイア基板に分割予定ラインに沿って破断起点となる切削溝を形成する切削溝形成工程と、切削溝形成工程が実施されたサファイア基板に外力を付与し、切削溝が形成された分割予定ラインに沿って破断する破断工程とを含み、切削溝形成工程は切削ブレードの回転速度が20000〜35000rpm、切削ブレードの切り込み深さが5〜15μm、加工送り速度が50〜150mm/秒に設定されている。 (もっと読む)


【課題】加工効率を低下させることなく高精度にワークに形成される溝の深さを制御できる切削加工装置を提供する。
【解決手段】分割予定ラインLに形成された加工溝9の断面形状をワークWの外周側面側から撮像する撮像手段8を備え、撮像手段8で撮像した加工溝9の断面形状から取得したワークWへの切削ブレード30の切り込み量に基づいて、後に加工する分割予定ラインへの切り込み量を制御することにより、所望深さの加工溝を高精度に形成する。また、一本の分割予定ラインLを加工して加工溝9を形成した後、後の分割予定ラインの切削開始位置に切削ブレード30を位置づけるまでの間に加工溝の深さを認識して切削ブレードの切り込み量を調整しなおすことができるため、加工効率を低下させることがない。 (もっと読む)


【課題】加工手段の可動範囲を維持した状態で装置幅を従来よりも小さくできる切削加工装置を提供すること。
【解決手段】第1の切削ブレード4と第2の切削ブレード5とがY方向において最も離間した状態において、第1のナット18と第1のモータ16とが最も離間した状態に配置され、第2のナット21と第2のモータ19とがY方向において最も離間した状態に配置されるように設定されており、第1の切削ブレード4と第2の切削ブレード5の可動範囲を維持した状態で装置幅を小さくすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化を抑えながら、停電等の発生時により確実かつ正常に切断用ワイヤの走行を停止させる。
【解決手段】ワイヤソーは、切断用ワイヤを駆動するための駆動モータ25、これを制御するサーボアンプ42等を含む。サーボアンプ42は、電源40から供給される交流電力を直流電力に変換するコンバータ部44と、直流電力を平滑化するとともに蓄積する平滑部46と、直流電力を交流電力に変換して駆動モータ25に供給するインバータ部48と、停電時等に平滑部46に蓄積された電力を用いて駆動モータ25を減速動作に移行すべくインバータ部48を制御する制御部50を含む。平滑部46は、電気二重層キャパシタ46a及び電解コンデンサ46bからなり、停電時には、この電気二重層キャパシタ46a等に蓄積された電力が駆動モータ25に供給される。 (もっと読む)


【課題】加工痕における光吸収が低減され、しかもサファイアからの光の取り出し効率が高められるとともに高速処理が可能な、被加工物に分割起点を形成する加工方法およびこれを実現するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】超短パルスのパルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工物において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を被加工物に照射し、個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 (もっと読む)


【課題】マルチワイヤソーにおいて、多数のワイヤに部分的に付着した冷却液の表面張力に起因するワイヤ寄りを防止する。
【解決手段】所定のピッチで平行な多数の固定砥粒付きのワイヤ3に冷却液7を供給しながら、走行する多数のワイヤ3にワーク4を接触させ、ワーク4を多数の薄いウェーハ5として切断するマルチワイヤソー1において、切断の開始時に、冷却液7を供給しないまま、ワイヤ3を低速度で走行させて、ワイヤ3をワーク4に食い込ませ、ワーク4の切断開始位置に切り込みを形成した後に、冷却液7の供給を開始すると共に、ワイヤ速度を上昇させ、定常時の速度としてワーク4の切断を継続する。 (もっと読む)


【課題】材料の高精度自動切断方法を提供する。
【解決手段】脆弱なゾーン200cを介してソース基板20bと一体化された材料層20aを自動的に高精度で切断する装置に係わり、ソース基板20bと切断対象の層は切断対象の組立体20を一体的に形成し、この装置は、切断手段101,102と、切断対象の組立体を保持する手段100a,100bとを含む。保持する手段100a,100bが、切断対象の組立体20の各部分の拡散及び/又は変形に積極的に追従し、前記開き及び/又は変形を修正するために、制御された移動を設計されることを特徴とする。 (もっと読む)


化学強化ガラス基板(110)からガラス品(172)を割断する方法はレーザ源(106)からパルスレーザビーム(108)を発生させる工程を含む。パルスレーザビーム(108)は約1000フェムト秒より短いパルス持続時間及び化学強化ガラス基板(110)がパルスレーザビーム(108)に対して実質的に透明であるような出力波長を有することができる。パルスレーザビーム(108)は化学強化ガラス基板(110)の内部伸張領域(124)と同じ水平面に配されるビームウエスト(109)を形成するように集束させることができる。ビームウエスト(109)は割断線(116)に沿う第1のパスにおいて平行移動させることができ、ビームウエスト(109)は化学強化ガラス基板のエッジ(111)を横切る。ビームウエスト(109)は次いで割断線(116)に沿う第2のパスにおいて、第2のパス中にクラック(119)がエッジ(113)から割断線(116)に沿い、平行移動するビームウエスト(109)に先行して伝搬するように、平行移動させることができる。
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本発明はガラス及び半導体ウェハなどの基板を加工する方法及び装置に関する。本方法は、基板を局所的に溶融し得る、所定の持続時間、パルス周波数及び焦点スポット径を有する複数の連続する集束レーザパルスをレーザ源から基板に照射するステップ、構造的に変化された領域が基板に形成されるように前記レーザ源と前記基板を所定の速度で相対的に移動させるステップを備える。本発明によれば、パルス持続時間は20〜100psの範囲内であり、パルス周波数は1MHz以上であり、移動速度は連続するパルスの間隔が焦点スポット径の1/5未満になるように調整される。本発明は、例えば通常透明である材料の効率的なダイシング、スクライビング及び溶接に使用できる。 (もっと読む)


ガラス8等の脆性材料内の特徴形状をレーザマシニングするための改善された方法を提供し、ここでは、特徴形状に関連するツール経路10を分析し、隣接しないレーザパルス12を用いて、特徴形状をレーザマシニングするために、何回の通過が必要であるかを判定する。後続する通過の間に適用されるレーザパルス12は、所定の重複量だけ前のレーザスポット箇所に重複するように位置決めされる。これによって、どの単一のスポットも、前のパルス箇所に隣接して適用される直後のレーザパルス12が引き起こす過度なレーザ放射を受けることがない。 (もっと読む)


【課題】サイズの小さい脆性材料基板を作業性よくスクライブできるようにすること。
【解決手段】テーブル106上に複数の脆性材料基板107a〜107iを夫々位置決めピン109によって位置決めして配置する。あらかじめ脆性材料基板毎にレシピデータテーブルを保持しておく。このレシピデータテーブルに基づいて脆性材料基板とスクライブヘッドとを相対的に移動させ、各基板毎に内切りスクライブ又は外切りスクライブを行う。こうすれば自動運転で複数枚のスクライブ作業を一括して行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ウェハ面内・長手方向の厚さばらつきが少ない高品位なGaAs結晶半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶インゴット11を、複数の溝付きローラに巻き付けられて走行されるワイヤに押し付けて、単結晶インゴット11をそのワイヤでスライスしてGaAs結晶半導体ウェハWを製造する方法において、単結晶インゴット11の切断位置を境に一対の内側溝付きローラ12,12を配置すると共にその内側溝付きローラ12,12の外側に一対の外側溝付きローラ13,13を配置し、内側及び外側溝付きローラ12,13の溝18,19同士を溝ピッチの1/2オフセットさせて配置し、その内側及び外側溝付きローラ12,13に巻き付けられた内側及び外側ワイヤ15,17を互いに逆方向に走行させ、その内側及び外側ワイヤ15,17で単結晶インゴット11をスライスする方法である。 (もっと読む)


切削用のワイヤウェブを形成するワイヤ(213)を有するワイヤソー装置(200;300;400;500)に対して適合されたワイヤマネージメントユニットが記載されている。このワイヤマネージメントユニットは、プーリ移動装置(240;440)と、ワイヤの方向を変化させる少なくとも1つのプーリ(220;520)であり、ワイヤをワイヤウェブまで誘導するように適合され、プーリ移動装置に接続され、プーリ軸を中心に回転するように適合された少なくとも1つのプーリ(220;520)と、それ自体からワイヤを繰り出している間、ワイヤウェブに向かってワイヤを供給するスプール(212)であり、回転軸(212a)と、回転軸の方向に沿った長さを有するワイヤ担持領域(213a)とを含むスプール(212)とを含み、プーリ移動装置は、前記少なくとも1つのプーリを、回転軸の方向に沿って移動させるように適合されている。
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