【課題】レーザ照射によって生じる脆性基板内の熱拡散による基板の変形を防止する。
【解決手段】脆性基板加工装置は、レーザ光を脆性基板表面上の加工予定ラインに従って所定速度で移動させながら照射し、レーザ光移動後の加熱位置に冷却媒体を吹き付ける。このレーザ加工中に脆性基板の加工予定ラインの両側を押圧手段で押圧することによって、加工時のレーザ照射による発熱を割断ライン付近で吸収すると共に拡散する熱による脆性基板の変形を防止する。ヘッド位置調整手段によって移動時における加工ヘッドの基板に対する間隔をほぼ同一高さに制御する。脆性基板をエアの吹き出しと吸引によりバランスさせて浮上させるエア浮上ステージ手段にて保持する。冷却手段は、液体である冷却媒体とキャリアガスを混合したものを脆性基板表面に適量吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤソーを用いた半導体インゴットの切断効率を向上するのに好適な半導体インゴットの切断方法及び固定砥粒ワイヤソーを提供する。
【解決手段】固定砥粒ワイヤ１０を、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに複数回巻き掛けて構成したワイヤ列２０をその長手方向に走行させて、走行するワイヤ列２０に半導体インゴット５０を押し当てることで、半導体インゴット５０を複数箇所で同時に切断して複数枚のウエハへと加工するに際して、切断時のワイヤ走行速度Ｖｗを、１００[ｍ／ｍｉｎ]＜Ｖｗ＜４００[ｍ／ｍｉｎ]の範囲内の速度とした。 （もっと読む）

【課題】 被加工物に発生するクラックを低減することのできる被加工物の切断方法を提供すること。
【解決手段】 第１メインローラ５ａと、これから所定距離を隔てて配置された第２メインローラ５ｂと、これらメインローラ間で複数列に平面状に張られた、表面に砥粒が固着されているワイヤー３とを備えており、第１メインローラ５ａにワイヤー３を供給しながら、第２メインローラ５ｂからワイヤー３を送出するワイヤーソー装置Ｓを用いて、被加工物１の切断開始時に、無負荷状態における複数列のワイヤー３を含む仮想平面１２に対して、被加工物１の第１メインローラ５ａ側に位置する第１面１ａの第１端部２１が仮想平面１２から上方へ離れる方向に第１面１ａを傾斜させるとともに、被加工物１の第２メインローラ５ｂ側に位置する第１面１ａの第２端部２２をワイヤー３に最初に接触させて切断を行なう被加工物の切断方法とする。 （もっと読む）

【課題】 複雑な機構を必要とせず、製造コストの増加を招くことなく、クラックなどの欠陥を低減することが可能な優れたワイヤーソー装置およびそれを用いた切断方法ならびに半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 一方向または双方向に走行させながら被加工物を切断するためのワイヤー５と、被加工物１を固定させる台座２と、台座２において、被加工物１を切断する際にワイヤー５が入る側の台座側面２ａに固定されている被切断用の側板６とを備えており、側板６における被加工物１が位置する側の側板端面６ａが、台座側面２ａにおける被加工物１が位置する側の台座端面２ｂと面一であるか、または側板端面６ａが台座端面２ｂから被加工物１の側面１ｃに沿って突出しているワイヤーソー装置Ｓとする。また、台座２に被加工物１を固定した後に、ワイヤー５を走行させながら被加工物１を切断し始め、しかる後、ワイヤー５を走行させながら被加工物１および側板６を切断する方法とする。 （もっと読む）

【課題】スクライブ装置等において基板までの距離を検出する場合にスクライブヘッドの上部位置を原点とすると、スクライブ装置毎に原点位置が異なり、共通したレシピテーブルを作成できないという欠点があった。
【解決手段】非接触センサを用いてテーブルまでの距離ｄ１を算出し、基準ブロックまでの距離ｄ２を算出し、その差Δｄを保持すると共に、スクライブヘッドを降下し基準ブロックに当接させて刃先とテーブルとの差を検出し、テーブルの上面を零点の位置としてスクライブヘッドの位置を表現できるようにする。これによってテーブルの上面を零点として基板の厚さを含むスクライブ方法を記述したレシピテーブルを作成しておくことで、スクライブ装置の種類にかかわらず同一種類の脆性材料基板に対してスクライブ加工を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】切込み末期のみならず切込み初期における切断面のうねり成分をも低減し、結果として切断終了後のウェーハの表面のうねり成分を十分に低減することが可能なワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤーソー装置１０のワーク保持機構１８は、スライス台２２と、ワークプレート２４と、ワークプレート保持部２６と、を有する。ワークプレート２４は、本体部２８の側面からワイヤー延在方向Ｚの両側に突出し、両側それぞれに開口部３２Ａ，３２Ｂを有する一対の突出プレート３０Ａ，３０Ｂを有し、突出プレート３０Ａ，３０Ｂの両外側のうち、少なくともノズル２０が位置する側に溝部材３４Ａ，３４Ｂを有し、ワイヤー群１６からワークプレート保持部２６に向けて舞い上がるスラリーを、開口部３２Ａ，３２Ｂを通過させて３４Ａ，３４Ｂ溝部材で捕集可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を格子状にスクライブ及びブレイクによって分断する場合に、割断面の突起や割れを小さくすること。
【解決手段】半導体基板１０に対してスクライブ及びブレイクしてチップに分断する場合に、あらかじめスクライブ予定ラインの下方にＶ字形の溝１２を形成する。そしてスクライブ予定ラインに沿ってスクライブライン１４を形成し、ブレイク装置によって分断する。こうすれば半導体チップの裏面に突起や割れが生じにくく、垂直断面性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハを切断するためのワイヤソーの円筒形ワイヤガイドに連結するための、クランプアセンブリを開示すること。
【解決手段】シャフト側コネクタが開示され、シャフト側コネクタは、ワイヤソーのシャフトに連結するようになされ、シャフトが回転軸を有する。シャフト側コネクタは、軸に直角でワイヤガイドの相補的なコネクタの相補的な外側表面に当接するようになされる外側表面を備える。円錐表面が外側表面と軸との間に位置し、円錐表面は、軸の周りに対称的に配設され、ワイヤガイドの相補的な表面に当接するようになされる。 （もっと読む）

【課題】基板Ｗの裏面に傷が発生したり、コンタミが付着したりすることを十分に抑えて、基板Ｗの品質を維持する。
【解決手段】テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面に割断予定線ＰＬに沿ってレーザ光ＬＢを照射するレーザ光照射ユニット２５が設けられ、テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面にレーザ光ＬＢを照射した直後に冷媒Ｍを噴射する冷媒噴射ユニット３３が設けられ、テーブル１５は、支持フレームに配設されかつエアの圧力を利用して基板を浮上させる複数の浮上ユニット４５と、基板Ｗをテーブル１５の長手方向へ搬送する複数の搬送ローラユニット５９とを備えたこと。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワーク切断に起因するマイクロクラックを抑制してウエハ割れや欠けを抑える。
【解決手段】ワーク切断後のウエハ割れ発生頻度を抑制するべく、ウエハ表面のマイクロクラック深さおよびワーク切断後のウエハ厚さのうちの少なくとも該マイクロクラック深さが設定制御されている。具体的には、ウエハ厚さを、１００μｍ以上１３０μｍ以下の半導体基板に薄板化し、マイクロクラック深さを０μｍ以上２μｍ以下に設定制御して、ウエハ割れ発生頻度を０．５パーセント以上１パーセント以下に設定制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板を分断するときの「カケ」「ソゲ」「交点飛び」などの不具合を抑制するマザー基板のスクライブ方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）マザー基板の第１横スクライブ予定ラインに沿ってスクライブすることによって、これから切り出す短冊状基板の下辺を区分けする横方向の第１スクライブラインを形成する工程、（ｂ）短冊状基板の上辺をなす位置に設定される第２横スクライブ予定ラインまで、短冊状基板中の単位製品の数と同じ数だけ縦方向にスクライブすることによって、単位製品の実質的な右辺および左辺をそれぞれ形成する縦方向の第２、第３スクライブラインを形成する工程、（ｃ）第２横スクライブ予定ラインに沿ってスクライブすることによって、短冊状基板の上辺を区分けする横方向の第４スクライブラインを形成する工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ往復走行時やワイヤ往復切替に伴うワイヤ加減速時に発生するウエハのスクラッチを抑制または防止する。
【解決手段】ワイヤ減速開始時にワーク送り機構１８がワーク送り方向を反転させて、停止時にはワーク送り機構１８がワーク切断位置（切断底面）からワイヤ４を離間させる。好ましくは砥粒サイズ以上の距離を離す。その後、往復走行するためにワイヤ４を逆向きに加速させると共に、このワイヤ加速開始時に再び、ワーク送り方向を切断方向に反転させて、ワイヤ最大速度到達のタイミングで加工を再開する。 （もっと読む）

【課題】 スクライブ時における「カケ」「ソゲ」「交点飛び」などの不具合を抑制する脆性材料基板のスクライブ方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｗにカッターホイール６で縦方向のスクライブライン並びに横方向のスクライブラインを形成するスクライブ方法であって、基板Ｗを縦方向にスクライブすることによって、２本の縦方向のスクライブラインＳ１、Ｓ２によって形成された縦方向単位製品列を、端材となる縦の狭間Ｄ１をあけて複数形成し、次いで、縦方向単位製品列の片側辺を形成する縦方向のスクライブラインＳ１から、他方側辺を形成する縦方向スクライブラインＳ２まで横方向にスクライブすることによって、単位製品Ｗ１を区分けする横方向のスクライブラインＳ３を順次加工する。 （もっと読む）