【課題】素子面積を小さくしたＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ本体の両面に可動部材が露出するようにして面積を小さくしたＭＥＭＳ素子を接合に伴って有機化合物を放散する接合手段を用いてフリップチップ実装するに際し、ＭＥＭＳ本体に実装用基板を接合してＭＥＭＳ素子を形成して実装する。その有機化合物の放散からＭＥＭＳ素子の可動部が影響を受け難くなる。 （もっと読む）

本発明は、保持部（１６）と、少なくともバネ（１２）を介して保持部（１６）と接続された調節可能なエレメント（１４）と、第１のセンサ装置（２２）と、第２のセンサ装置（２４）とを有するマイクロメカニカル構成素子であって、
前記第１のセンサ装置（２２）は、少なくとも１つの第１の圧電抵抗センサ素子（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、７６ｂ〜８２ｂ、７６ｃ〜８２ｃ）を有し、
前記第１のセンサ装置（２２）は、少なくとも１つの第１の圧電抵抗センサ素子（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、７６ｂ〜８２ｂ、７６ｃ〜８２ｃ）に作用する第１の機械的応力に関する第１のセンサ信号（Ｕ、Ｒ）を生成するように構成されており、
第１の圧電抵抗センサ素子（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、７６ｂ〜８２ｂ、７６ｃ〜８２ｃ）は、バネ（１２）の上もしくは中に、または前記保持部（１６）に隣接するバネ（１２）の第１の係留領域の上もしくは中に、および／または調節可能なエレメント（１４）に隣接するバネ（１２）の第２の係留領域の上もしくは中に配置されており、
前記第２のセンサ装置（２４）は、少なくとも１つの第２の圧電抵抗センサ素子（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、９６ｂ〜１０２ｂ、９６ｃ〜１０２ｃ）を有し、
前記第２のセンサ装置（２４）は、少なくとも１つの第２の圧電抵抗センサ素子（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、９６ｂ〜１０２ｂ、９６ｃ〜１０２ｃ）に作用する第２の機械的応力に関する第２のセンサ信号（Ｕ、Ｒ）を生成するように構成されており、
第２の圧電抵抗センサ素子（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、９６ｂ〜１０２ｂ、９６ｃ〜１０２ｃ）は、バネ（１２）の上もしくは中に、またはバネ（１２）の前記第１の係留領域の上もしくは中に、および／またはバネ（１２）の第２の係留領域の上もしくは中に配置されているマイクロメカニカル構成素子に関する。さらに本発明は、マイクロメカニカル構成素子の製造方法に関する。
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【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサーの感度の検出に影響を与える可動錘の質量と、容量電極のダンピング係数、弾性変形部のバネ特性等の設計の自由度を向上させる。
【解決手段】多層配線構造を加工して形成されるＭＥＭＳセンサーは、弾性変形部１３０によって固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成されている可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定された固定電極部１５０と、可動錘部１２０に接続され、固定電極部１５０に対向して配置される可動電極部１４０とを含む容量電極部１４５と、可動錘部１２０の質量、可動電極部１４０のダンピング係数および弾性変形部１３０におけるバネ特性の少なくとも一つを調整するための調整層ＣＢＬ（ＣＢＬ１〜ＣＢＬ３）とを含み、調整層ＣＢＬは、多層配線構造の構成要素である、少なくとも一層の絶縁層を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を製造する際に行う封止工程を各半導体装置に対して同時に行えるようにする。
【解決手段】信号処理回路部２３が複数形成された回路チップ用ウェハ５０を用意し、物理量センサ１０を用意する。次に、物理量センサ１０と信号処理回路部２３とが電気的に接続されるように回路チップ用ウェハ５０の表面５１に物理量センサ１０を複数実装する（図４（ａ））。この後、回路チップ用ウェハ５０の表面５１にモールド樹脂３０を形成することにより、ウェハレベルで物理量センサ１０それぞれをモールド樹脂３０により封止する（図４（ｃ））。さらに、回路チップ用ウェハ５０およびモールド樹脂３０を回路チップ２０ごとにダイシングカットする（図４（ｄ））。これにより、複数の物理量センサ１０に対してモールド樹脂３０の形成を同時に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】第１の基板と第２の基板との体積が違っていても、第１の基板と第２の基板との接合部において、所望な機械的強度を確保することができるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１０は、第１の接合パッド４を有する第１の基板１と、第２の接合パッド５を有し、第１の基板１に積層する第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２との間に介在し、第１の接合パッド４と第２の接合パッド５接合することで、第１の基板と第２の基板２とを接合させる接合部材３と、第１の基板１と第２の基板２との少なくとも一方に配設され、第１の基板１と第２の基板２との熱容量差を均一にする温度変化急峻領域６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 圧電駆動型ＭＥＭＳ素子の、バリキャップのＱ値の増加、又はスイッチの通過損失の低減を目的とする。
【解決手段】 圧電駆動型ＭＥＭＳ素子は基板と前記基板上に梁の一方の端部を固定して、梁の少なくとも一部を中空状に保持する固定部と、下部電極膜と，前記下部電極膜上に形成された下部圧電膜と，前記下部圧電膜上に形成された中間電極膜と，前記中間電極膜上に形成された上部圧電膜と，前記上部圧電膜上に形成された上部電極膜とを有する梁と，前記梁の下部電極膜及び上部電極膜と，中間電極膜との間に電圧を印加する電源部と，前記梁の固定部とは反対側の端部と電気回路を構成する基板上に配置された固定電極とを備え，前記下部電極膜，前記中間電極膜，前記上部電極膜のうちいずれか１つ又は２つの電極膜が他の前記電極膜より厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、センサ部材とキャップ部材間の応力を効果的に緩和できるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 センサ部材４とキャップ部材５とが接合層６を介して接合されている。前記センサ部材４は、前記接合層６側からセンサ領域を備える第１シリコン部材１、第１酸化絶縁３層及び第２シリコン部材２の順に積層されている。前記キャップ部材５は、前記接合層６側から第３シリコン部材７、第２酸化絶縁層８及び第４シリコン部材９の順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】傾斜磁場に感応しないようにする。
【解決手段】音叉式ジャイロスコープ１００は、導電性サスペンション１３３、１３４を介して基板１２９に連結されたアンカー１４４、１４５と接続される第１導電性プルーフマス１１０及び第２導電性プルーフマス１２０を備えている。第１の導電性プルーフマスの対向する２つの端１１１、１１２及び第２の導電性プルーフマスの対向する２つの端１２１、１２２に電気抵抗中間ポイント１７１が電気的に接続されており、該中間ポイントを介して、音叉式ジャイロスコープから感知電荷増幅器１３０に信号を提供し、感知電荷増幅器から、音叉式ジャイロスコープの回転を示す出力信号V_outを発生する。中間ポイントでは傾斜磁場の影響がキャンセルされるので、出力信号には、傾斜磁場によるノイズが含まれていない。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを形成する方法を提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを形成する方法は、予め形成された伝導性経路を有するデバイス層ウエハを製造し、その後、このデバイス層ウエハを、ハンドルウエハと結合させる。この目的で、この方法は、１）材料層を提供すること、２）導体をこの材料層に結合すること、および３）少なくとも２つの伝導性パスを、材料層の少なくとも一部分を通して導体へと形成することによって、記載されたデバイス層ウエハを製造する。次いで、この方法は、記載されたハンドルウエハを提供し、そしてこのデバイス層ウエハを、このハンドルウエハに結合する。これらのウエハは、導体が材料層とハンドルウエハとの間に含まれるように、結合される。 （もっと読む）

【課題】 静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積、可動電極部のダンピング係数、可動錘部の質量、バネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】 基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーにおいて、可動錘部１２０は、積層構造体からなる第１可動錘部１２０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂを含み、可動電極部１４０は、積層構造体からなる第１可動電極部１４０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２可動電極部１４０Ｂを含み、弾性変形部１３０は、積層構造体からなる第１弾性変形部１３０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２弾性変形部１３０Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体に構造的な影響を与えにくく、デバイス特性を損なうことなく検査を行うことができるＭＥＭＳデバイスの構造を実現する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳデバイス１０は、基板１と、該基板上に設けられたＭＥＭＳ構造体１０Ｍと、前記基板に設けられた電子回路１０Ｅと、前記ＭＥＭＳ構造体と前記電子回路を導電接続する第１の配線Ｐ１ａ、Ｐ１ｂと、前記ＭＥＭＳ構造体に対して前記第１の配線と並列に導電接続されるとともに前記電子回路とは導電接続されていない第２の配線Ｐ２ａ、Ｐ２ｂと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インピーダンスの不整合を抑制する伝送線路を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体に用いられる伝送線路であって、伝送線路は、対向する第１の主表面Ｆ１及び第２の主表面Ｆ２を有し、且つ第１の主表面Ｆ１に第１の凹みＣａ１が形成された誘電体基板２１と、第１の主表面Ｆ１上及び第１の凹みＣａ１の内部に配置され、且つ高周波を伝送する信号配線１０とを備える。第１の凹みＣａ１の側面の少なくとも一部は、当該側面の法線が第１の主表面Ｆ１の法線に対して鋭角に交わる傾斜面ＷＡ１を成す。信号配線１０の一部１０ａは傾斜面ＷＡ１上に配置されている。傾斜面ＷＡ１上に配置された信号配線の一部１０ａは、第２の主表面Ｆ２上に配置された裏面電極１３に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】流路内にデッドスペースや流れを乱すことが無く、継ぎ手周りのリーク等の問題を解決し、かつ、ローコスト化を図ったマイクロリアクタを実現する。
【解決手段】第１基板と第２基板を貼り合わせ、いずれか一方の基板に複数の凹部を設けて形成された複数のダイアフラムと、流路が形成されると共に該流路中に少なくとも一つの突起を有する第３基板からなり、前記流路に前記複数のダイアフラムを配置して圧力計、差圧流量計、バルブのうちの少なくとも２つを形成した。 （もっと読む）

【課題】素子面積を小さくしたＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】機能素子本体の両面に機能部材が露出するようにして面積を小さくした機能素子をフリップチップ実装するに際し、機能素子本体に第１実装用基板を接合し、その第１実装用基板ごとボンディングツールで吸着して、回路基板へのフリップチップ実装する。また、機能素子本体の両面に空間部を形成する。 （もっと読む）

【課題】固定電極に対する可動電極（可動部）の形成位置に関わらず、所望の振動特性を発揮することができるアクチュエータおよび電子装置を提供すること。
【解決手段】アクチュエータ１は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３と、可動電極４とを有している。可動電極４は、可動部４２と、可動部４２を支持する支持部４１と、可動部４２と支持部４１とを連結する連結部４３を有している。また、可動部４２は、連結部４３を介して支持部４１に片持ち支持されるとともに、固定電極３と空隙を隔てて対向配置されている。このような可動電極４には、可動電極４から固定電極３の連結部４３側の縁部の少なくとも一部が露出するように、開口５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロミラーチップと電極基板の間隔のばらつきの発生や可動ミラー部の光学特性の低下が防止されたマイクロミラーデバイスを提供する。
【解決手段】マイクロミラーデバイス１００は、マイクロミラーチップ１１０と、マイクロミラーチップ１１０に対向して配置される電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０との間に配置されてマイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０の間隔を規定するスペーサー１５０とを有している。マイクロミラーチップ１１０は、電極基板１３０に対向する面に設けられた４つの電極１２２を有し、電極基板１３０は、マイクロミラーチップ１１０に対向する面に設けられた４つの電極１３４を有している。これらの電極１２２，１３４は、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０の相対位置を一定に保つための静電引力を発生させるためのものであり、互いに対向している。 （もっと読む）