【課題】マイクロミラーチップと電極基板の間隔のばらつきの発生や可動ミラー部の光学特性の低下が防止されたマイクロミラーデバイスを提供する。
【解決手段】マイクロミラーデバイス１００は、マイクロミラーチップ１１０と、マイクロミラーチップ１１０に対向して配置される電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０との間に配置されてマイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０の間隔を規定するスペーサー１５０とを有している。マイクロミラーチップ１１０は、電極基板１３０に対向する面に設けられた４つの電極１２２を有し、電極基板１３０は、マイクロミラーチップ１１０に対向する面に設けられた４つの電極１３４を有している。これらの電極１２２，１３４は、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０の相対位置を一定に保つための静電引力を発生させるためのものであり、互いに対向している。 （もっと読む）

【課題】駆動部の反りに起因する構造のバラツキの抑制が可能で、安定した電気特性を有するとともに、低消費電力化にも有効な圧電駆動型ＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】圧電駆動型ＭＥＭＳスイッチ１０は、圧電体層１６の表裏にグランド（下部電極）１４及び上部電極１８が形成された対向する一対のカンチレバー２０，２２が、基板１２に片持ち梁状に支持された構造である。短いカンチレバー２２上には、信号線３６と接点電極２４が形成される。長いカンチレバー２０上に形成された信号線３４は、接点電極２４と接触可能な長さに延設される。信号線３４は、第１のカンチレバー２０の反りに従うため、無電圧負荷状態において接点電極２４を押さえつけてスイッチＯＮ状態を維持し、電圧印加状態では初期状態と反対方向に反るカンチレバー２０に追随するため、接点電極２４から離れてスイッチＯＦＦ状態となる。 （もっと読む）

【課題】微小電子機械デバイスと、微小電子機械デバイスを作成する方法を提供する。
【解決手段】プレート間にスペーサを備えた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイス。一実施形態では、MEMSデバイスは、事前形成された構成要素を各々が有する、前面基板と保持体を積層することによって製作される。前面基板には、その上に重ねて形成された静止電極が提供される。その上に重ねて形成された可動電極を含む保持体は、前面基板に結合される。いくつかの実施形態の保持体は、可動電極を前面基板に移転させた後で除去される。他の実施形態では、保持体は、前面基板上に留まり、MEMSデバイスのための背面板として機能する。フィーチャは、付着およびパターン形成、型押し、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。スペーサは前面基板と背面板の間に提供されてそれらの間隙を維持する。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送ロスを低減でき、しかも容易に作製できる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供する。
【解決手段】配線構造は、基板よりなるベース２０と、ベース２０の一表面側に形成された伝送線路１０と、伝送線路１０の周囲に配置され且つ伝送線路１０から電気的に絶縁された接地線路１１と、伝送線路１０を挟み込むように伝送線路１０の幅方向の一端側および他端側にそれぞれ設けられ且つベース２０を厚み方向に貫通した第１孔部２４および第２孔部２５とを備える。接地線路１１は、第１孔部２４の内側に形成された第１導電部１１０と、第２孔部２５の内側に形成された第２導電部１１１と、ベース２０の他表面側に形成され第１導電部１１０および第２導電部１１１に接続された第３導電部１１２とを有する。各孔部２４，２５は、伝送線路１０の幅方向に沿った長さが、他表面側の方が一表面側よりも大きくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップを一体にしかも機密封止も確保した上で、貫通電極とか側面電極を形成することなくウエハ処理工程の中で、容易に一体化形成する手段を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップとが電気的及び物理的な接続を行い、ＭＥＭＳデバイス或いはＩＣチップの表面の配線層の上に、ポスト電極及びそれに接続された配線を有する配線付ポスト電極部品を接続する。配線付ポスト電極部品は、支持板上にポスト電極及びそれに接続された配線を形成して構成する。樹脂封止後、支持板を剥離することにより配線を露出させ、ポスト電極に接続された配線の他方の端部に、外部接続用電極を接続する。 （もっと読む）

【課題】櫛歯のような複雑な構造を採用しなくても、可動部と駆動部の対向面積を広く確保することができる機能素子を提供する。
【解決手段】本発明の機能素子１は、可動部５と、可動部５を静電力により動作させる駆動部６と、駆動部６を支持する支持部７とを備え、可動部５、駆動部６及び支持部７は、第１導電層１１と第２導電層１２との間に絶縁層１３が設けられた基板２を用いて構成されている。駆動部６は、第１導電層１１、第２導電層１２及び絶縁層１３により形成されるとともに、導電層同士を導通させるコンタクト部１７を有する。可動部５は、駆動部６の内側にこれと電気的に分離された状態で、第１導電層１１、第２導電層１２及び絶縁層１３により形成されている。支持部７は、駆動部６の外側にこれと電気的に分離された状態で、第１導電層１１、第２導電層１２及び絶縁層１３により形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子装置の製造工程を効率的に実施し、製造コストを低減する。
【解決手段】本発明の電子装置１００は、基板１と、基板１上に形成された機能構造体（ＭＥＭＳ構造体）３Ｘと、機能構造体３Ｘが配置された空洞部Ｓを画成する被覆構造とが備えられる電子装置であって、前記被覆構造が、基板１上に設けられ、且つ空洞部Ｓを囲む層間絶縁層４，６と、下部包囲壁３Ｙ及び配線層５，７とからなる側壁１０Ｙと、空洞部Ｓの上方を覆うと共に、空洞部Ｓに貫通する開口７ａを有し耐食性層を含む積層構造からなる第１被覆層７Ｙと、開口７ａを閉鎖する第２被覆層９と、を備えている。耐食性層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔまたはそれぞれの合金より構成される。 （もっと読む）

【課題】電極パッド部の導電膜下部の絶縁膜表面に凹凸部があると、導電膜表面にも凹凸部が生じる。
【解決手段】シリコン基板表面に接するように形成された電極パッド部において、電極パッド部は、第１の絶縁膜とポリシリコンが、シリコン基板表面側から順に積層している構造である。このような電極パッド部を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層に対して良好にトレンチエッチングを行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に複数の方向のパターン１，２のトレンチが交差して形成されている半導体素子を製造する際に、複数の方向のパターン１，２のうち少なくとも１つの方向のパターン１に角度の変化点を１つ以上設けて、少なくとも１つの方向のパターン１を延長した箇所から複数の方向のパターン１，２の交差部をずらす（パターン３，４）ように、半導体層上にマスクパターンを形成する工程と、このマスクパターンを使用して、エッチングにより半導体層にトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスにおいて、構造の複雑化及び製造工数の増加を抑制しつつ、信頼性や性能を向上させることのできる構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、基板１０と、該基板１０上に形成され、配線１４、１６と絶縁膜１３、１５、１７とが積層されてなる配線構造部３０と、該配線構造部３０によって周囲を平面的に取り囲まれた空洞部２０Ｃと、該空洞部２０Ｃ内において前記基板１０上に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、を具備するＭＥＭＳデバイスであって、前記配線構造部３０の一部として、前記ＭＥＭＳ構造体２０の周囲を、少なくとも前記ＭＥＭＳ構造体２０が形成される高さ範囲において平面的に取り囲むように構成された導体壁３１と、前記導体壁３１の内側に配置され、前記ＭＥＭＳ構造体２０と前記導体壁３１とを導電接続する接続配線２５と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄型化を実現でき、安価に生産できるＭＥＭＳセンサパッケージ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ワイヤボンディングによりＭＥＭＳセンサの電極パッドとベース基板のボンディングパッドを接続し、このワイヤボンディング部とＭＥＭＳセンサを封止樹脂により封止してなるＭＥＭＳセンサパッケージにおいて、上記ベース基板にその表裏面を貫通するスルーホールを設け、このスルーホール内に、封止樹脂で位置固定されるＭＥＭＳセンサを埋設した。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供することにある。
【解決手段】配線構造は、ベース２０と、機能部３０と、カバー４０とを有するＭＥＭＳデバイスに設けられ、伝送線路１０を囲う接地線路１１を含む。接地線路１１は、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側の凹所２４及び他端側の凹所２５の内側に形成される第１の導電部１１０及び第２の導電部１１１と、カバー４０における伝送線路１０との対向面に形成される第３の導電部１１２と、機能部３０に設けられ第１の導電部１１０と第３の導電部１１２とを接続する第４の導電部１１３および第２の導電部１１１と第３の導電部１１２とを接続する第５の導電部１１４とで構成される。 （もっと読む）

【課題】圧電素子をＭＥＭＳに配置できる領域を拡大する。
【解決手段】複数のコンタクトホールが形成された絶縁層と前記絶縁層に接する半導体層とを含み可撓性を有する可撓部と、前記半導体層に形成された複数の不純物拡散領域からなり互いに分離している複数の導線と、前記絶縁層の表面に積層され前記コンタクトホールを通じて前記導線に接している下部電極層と前記下部電極層の表面に積層された圧電層と前記圧電層の表面に積層された上部電極層とを含み前記可撓部上に位置する圧電素子と、前記可撓部に形成された前記コンタクトホールを通じて前記上部電極層と前記導線とを接続する導電層からなる接続手段と、を備えるＭＥＭＳ。 （もっと読む）

本発明は、電極層間に絶縁層を有する少なくとも３つの他の電気的な電極層を備える層状マイクロエレクトロニック及び／又はマイクロメカニック構造に関する。第１の外側層内にビアが提供され、前記ビアは前記層を介してウェハ固有の材料で作られる絶縁された電極、前記層を通して導電性を提供するために他の層を介して前記第１の外側層内の前記ビアに延びる電気的導電性のプラグと、前記選択された層にあって前記材料から前記プラグを絶縁するための前記他の層の少なくとも一つの選択層における前記導電性プラグを囲む絶縁エンクロージャとを備える。さらに、少なくとも一方向にて可動されるような、窪みのうえに提供された可動部材を備えるマイクロエレクトロニック及び／又はマイクロメカニックデバイスに関する。前記デバイスは、本発明に係る層状構造を有する。そのような層状ＭＥＭＳ構造を形成する方法も提供される。
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【課題】２つの基板を用いてその間に空洞部が構成された空洞部を有する回路基板およびその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明では、上基板１１の表面の導電箔２０ａから形成した第１の回路パターン１７と、上基板１１の裏面に設けた接着シート１３と、下基板１２の表面の導電箔２１ａから形成した第２の回路パターン１９と、下基板１２の裏面の導電箔２１ｂを除去して形成した空洞部１４とその周囲に設けた絶縁層３４とを備え、上基板１１の裏面の前記接着層１３と下基板１２の裏面の絶縁層３４とを接着して、上基板１１、下基板１２および絶縁層３４とで囲まれる空洞部１４を両基板間に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ部の可動電極と封止部の固定電極とを同電位とする共有導通配線の、陽極接合後における専用工程としての断線処理を省くことができるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】可動電極８を有するチップ部２Ａをマトリクス状に複数個形成したウェーハ２０と、固定電極７を有する封止部３Ａをマトリクス状に複数個形成した封止ガラス３０と、を重ね合わせて陽極接合する接合工程と、陽極接合したウェーハ２０および封止ガラス３０をスクライブライン４０に沿ってダイシングし、チップ部２Ａと封止部３Ａとを陽極接合して成る複数個のＭＥＭＳデバイス１を得るダイシング工程と、を備え、スクライブライン４０のライン幅Ｗ内には、チップ部２Ａの単位で、可動電極８と固定電極７とを導通する複数の共有導通配線１６が、パターン形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封止空間内の内部圧力を制御して錘部の振動周波数ｆｚを所望のピーク幅に調整可能にする封止型デバイス及び物理量センサを提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２基板と、第１基板上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２基板上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、第１基板上又は第２基板上に形成され、第１基板及び第２基板の接合により封止された半導体基板内の封止空間内部を所望の圧力に設定する内部圧力調整部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多軸方向に関する検出が可能な小型のセンサ装置の製造コストを低減することができる製造方法を提供する。
【解決手段】連結部１１０によって互いに連結された第１および第２のセンサ素子１０１、１０２が基板１００上に形成される。第１および第２のセンサ素子１０１、１０２のそれぞれを支持する第１および第２の部分Ｐ１、Ｐ２に基板１００が分割される。この分割の後に、連結部１１０を曲げながら第１のセンサ素子１０１に対して第２のセンサ素子１０２の向きが変えられる。 （もっと読む）

【課題】パッドとバンプとの接触端を起点にクラックが発生したとしても、該クラックによって半導体基板が受けるダメージを低減することができる構造を提供する。
【解決手段】第１半導体チップ１０において第１パッド部１２を貫通して第１絶縁層１１ｃに達する第１トレンチ１３を設け、第２半導体チップ２０において第２パッド部２２を貫通して第２半導体基板２１に達する第２トレンチ２３を設ける。そして、バンプ３０によって第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０とをフリップチップ接合する。このとき、各トレンチ１３、２３が、各パッド部１２、２２にバンプ３０が接触した接触面のうちの外縁部に配置されるようにする。これにより、該接触面において各トレンチ１３、２３よりも内側に進展するクラック１５、２５を阻止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳチップを半導体チップ上にフェースダウン実装した場合においても、半導体チップを経由することなくＭＥＭＳチップからパッケージの外部に結線できるようにする。
【解決手段】可動部１６が半導体ウェハ３１に対向するようにして、ＭＥＭＳチップを半導体ウェハ３１上にフェースダウン実装し、ＭＥＭＳチップと半導体ウェハ３１間の段差が解消されるように、ＭＥＭＳチップの周囲の半導体ウェハ３１上に樹脂層３７を形成し、樹脂層３７の表面および半導体基板の裏面の研削を行った後、半導体基板をウエットエッチングすることで、半導体基板を絶縁膜１２から除去し、パッド電極３３ａに接続されたランド電極４０ａおよび電極１５ｂの裏面に接続されたランド電極４０ｂを樹脂層３８上に形成する。 （もっと読む）