【課題】微小電子機械デバイスと、微小電子機械デバイスを作成する方法を提供する。
【解決手段】プレート間にスペーサを備えた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイス。一実施形態では、MEMSデバイスは、事前形成された構成要素を各々が有する、前面基板と保持体を積層することによって製作される。前面基板には、その上に重ねて形成された静止電極が提供される。その上に重ねて形成された可動電極を含む保持体は、前面基板に結合される。いくつかの実施形態の保持体は、可動電極を前面基板に移転させた後で除去される。他の実施形態では、保持体は、前面基板上に留まり、MEMSデバイスのための背面板として機能する。フィーチャは、付着およびパターン形成、型押し、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。スペーサは前面基板と背面板の間に提供されてそれらの間隙を維持する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板から延びる第１の支持体を含む前面基板と、
前記第１の支持体が前記前面基板と背面板の面の間に置かれるように、前記前面基板と実質的に対向する面を有する背面板と、
前記前面基板と背面板の間に置かれた移動電極であって、前記第１の支持体上に支持された部分を含む移動電極と、
前記前面基板の前記第１の支持体および前記背面板の前記面の一方から延びる第２の支持体であって、前記前面基板の前記第１の支持体と前記背面板の前記面の間に配置される第２の支持体と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２】
前記第１の支持体が、支柱およびレールの少なくとも一方を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第２の支持体が、支柱を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記移動電極の前記部分が、前記第１の支持体と前記第２の支持体の間に置かれる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記移動電極の前記部分が、開口を含み、前記第２の支持体が、前記移動電極の前記部分の前記開口を通って延びる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の支持体が、前記移動電極の前記部分から横方向に離れて配置される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ＭＥＭＳデバイスが、干渉変調器を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
第１の面を有する前面基板であって、前記第１の面上に重ねて形成された光学スタックを含む前面基板と、
前記前面基板と対向し、前記第１の面に面する第２の面を有する背面板であって、支柱の高さが前記第１の面と前記第２の面の間の距離を定めるような、前記第２の面から前記第１の面に向かって延びる支柱を含む背面板と、
互いに実質的に平行に延びる複数の可動電極ストリップであって、前記第１の面と前記第２の面の間に置かれる可動電極ストリップと
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項９】
前記前面基板の前記第１の面が、前記可動電極ストリップがその内に配置されるアレイ領域を含み、前記前面基板が、前記第１の面の前記アレイ領域上に支柱を含まない、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前面基板と、
前記前面基板に対向し、前記前面基板に面する面を有する背面板と、
互いに実質的に平行に延びる複数の可動電極ストリップであって、前記ストリップが、前記前面基板と前記背面板の間に置かれ、前記ストリップの一部が、前記前面基板の方向に動くことができる、複数の可動電極ストリップと、
前記背面板の前記面から延びる複数の支柱であって、前記面の方向への前記ストリップの前記一部の運動を制限するように並べられる支柱と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１１】
前記複数の可動電極ストリップが、前記複数の支柱から吊り下げられる、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作成する方法であって、
前面基板から延びる第１の支持体を含む前面基板を提供するステップと、
面を有する背面板を提供するステップと、
前記第１の支持体が前記前面基板と前記背面板の前記面の間に置かれるように、前記前面基板を前記背面板に結合するステップと、
前記第２の支持体が前記前面基板の前記第１の支持体および前記背面板の前記面の一方から延びるように、前記前面基板の前記第１の支持体と前記背面板の前記面の間に第２の支持体を形成するステップと
を含む方法。
【請求項１３】
前記第１の支持体が、支柱およびレールの少なくとも一方を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の支持体が、支柱を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
移動電極の部分が、前記第１の支持体上に支持されるように、前記前面基板と前記背面板の間に移動電極を提供するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記移動電極の前記部分が、前記第１の支持体と前記第２の支持体の間に置かれるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記第２の支持体が前記移動電極の前記部分を貫通するように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記第２の支持体が前記移動電極の前記部分から横方向に離れて配置されるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記前面基板の前記第１の支持体上に前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記第２の支持体が前記第１の支持体と同じ材料から、前記第１の支持体と一体形成されるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記背面板の前記面上に前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記第２の支持体が前記背面板と同じ材料から、前記背面板と一体形成されるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２３】
第１の面を有し、前記第１の面上にアレイ領域と周辺領域とを含む前面基板と、
前記第１の面に面する第２の面を有する背面板であって、前記第１の面と前記第２の面がその間にギャップを有し、前記第２の面の上にアレイ領域と周辺領域とを含む背面板と、
前記前面基板の前記周辺領域上を延びる導電ラインと、
前記前面基板の前記周辺領域と前記背面板の前記周辺領域の間を延びる導電構造であって、前記導電ラインに接触する導電構造と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２４】
前記導電構造が、前記導電ラインの上に配置される、請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記導電構造が、前記導電ラインを通って貫通する、請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２６】
干渉変調器表示デバイスを作成するための保持体アセンブリであって、前記干渉変調器表示デバイスが、前面基板と、前記前面基板上に重ねて形成された複数の実質的に透明な電極と、前記透明な電極上に重ねて形成された複数の可動電極とを含み、前記透明な電極と前記可動電極が、表示領域内にピクセルのアレイを定め、前記保持体アセンブリが、
面を有する除去可能な構造と、
前記面上に重ねて形成された複数の細長い導電ストリップであって、前記細長い導電ストリップが、互いに実質的に平行な方向に延びて、前記可動電極を定め、前記細長い導電ストリップの各々が、前記表示領域をまたぐ長さを有して、前記アレイの列内に多数のピクセルを定める、複数の細長い導電ストリップと
を含む保持体アセンブリ。
【請求項２７】
前記除去可能な構造が、基板を含む、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項２８】
前記除去可能な構造が、フィルムを含む、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項２９】
前記細長い導電ストリップの各々が、長さと幅を有し、前記長さと前記幅の比が、約１０：１から約１，０００，０００：１の間である、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３０】
前記除去可能な構造が、モリブデンから形成される、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３１】
前記除去可能な構造が、基板と前記複数の導電ストリップの間に置かれるように、前記除去可能な構造を支持する基板をさらに含む、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３２】
前記除去可能な構造が、実質的に前記基板の全部分上に形成される除去層である、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３３】
前記基板が、スルーホールを含む、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３４】
前記基板が、多孔性の材料から形成される、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３５】
前記基板が、エッチング、灰化、および前記前面基板を損傷することのない前記前面基板からの物理的な引きはがしの１つによって除去可能な材料から形成される、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３６】
前記基板が、前記基板の面上に形成された少なくとも１つの支柱をさらに含み、前記支柱が、前記導電ストリップを支持し、前記少なくとも１つの支柱が、前記基板と同じ材料から、前記基板と一体形成される、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３７】
前記除去可能な構造が、前記少なくとも１つの支柱を横方向に囲う犠牲層であり、前記犠牲層が、前記導電ストリップを部分的に支持する、請求項３６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３８】
請求項２６に記載の保持体アセンブリと、
複数の支持体と実質的に透明な電極とを含む前面基板であって、前記導電ストリップが前記支持体によって支持されるように、前記保持体アセンブリに結合される前面基板と
を含む干渉変調器。
【請求項３９】
前面基板と、前記前面基板上に重ねて形成された複数の実質的に透明な電極と、前記透明な電極上に重ねて形成された複数の可動電極とを含む、干渉変調器表示デバイスを作成する方法であって、前記透明な電極と前記可動電極が、表示領域内にピクセルのアレイを定め、前記前面基板が、前記前面基板上にキャビティを定める複数の支持体を含み、前記方法が、
面を有する除去可能な構造を提供するステップと、
前記面上に重ねて可動電極材料を付着するステップと、
前記可動電極材料の部分を選択的に露出するために、前記可動電極材料上に重ねてマスクを提供するステップと、
前記マスクを使用して前記可動電極材料を選択的にエッチングし、それによって、複数の可動電極ストリップを形成するステップであって、前記可動電極ストリップが、互いに実質的に平行な方向に延びる、ステップと、
前記可動電極ストリップが前記前面基板の前記キャビティに面するように、前記除去可能な構造を前記前面基板上に重ねて配置するステップであって、前記可動電極ストリップの各々が、前記表示領域をまたぐ長さを有して、前記アレイの列内に多数のピクセルを定める、ステップと
を含む方法。
【請求項４０】
前記除去可能な構造が、基板を含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記除去可能な構造が、実質的に平坦な面であり、前記可動電極材料が、前記実質的に平坦な面上に付着される、請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】
前記除去可能な構造を配置した後で、前記除去可能な構造を除去するステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】
前記除去可能な構造が、モリブデンから形成される、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記除去可能な構造を除去するステップが、前記除去可能層を灰化するステップ、エッチングするステップ、および物理的に引きはがすステップの少なくとも１つを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
前記除去可能な構造が、高分子材料から形成される、請求項４２に記載の方法
【請求項４６】
前記除去可能な構造を提供する前に、基板を提供するステップをさらに含み、前記除去可能な構造を提供するステップが、前記基板上に前記除去可能な構造を形成するステップを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】
前記除去可能な構造を提供する前に、前記基板上に支柱を形成するステップをさらに含み、
前記除去可能な構造を提供するステップが、除去可能層が前記支柱を横方向に囲い、前記支柱および除去可能層が一緒に実質的に平坦な面を形成するように、除去可能層を形成するステップを含み、
前記可動電極材料が、前記実質的に平坦な面上に付着される
請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記基板が、多孔性の材料から形成され、前記方法が、前記基板を通してエッチング剤を提供し、それによって、前記除去可能な構造を配置した後で、前記除去可能な構造を除去するステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】
前記基板が、スルーホールを含み、前記方法が、前記基板の前記スルーホールを通してエッチング剤を提供し、それによって、前記除去可能な構造を配置した後で、前記除去可能な構造を除去するステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５０】
アレイ領域と周辺領域とを含む前面基板であって、前記アレイ領域内に複数の下側領域をその間に定める複数の支持体を含み、前記周辺領域内にランドをさらに含み、前記ランドの少なくとも一部が、前記アレイ領域内の前記支持体と実質的に同じ高さを有する、前面基板と、
前記周辺領域内の前記ランド上に重ねて形成された複数の導体であって、前記導体が互いに電気的に絶縁される、複数の導体と、
前記前面基板の前記下側領域上に形成された導電層と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項５１】
前記導体が、ルーティングトレースおよび可動電極ストリップの少なくとも一方を含む、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５２】
前記複数の支持体が、前記前面基板の材料とは異なる材料から形成され、前記ランドが、前記前面基板の材料とは異なる材料から形成される、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５３】
前記複数の支持体が、前記前面基板と同じ材料から、前記前面基板と一体形成され、前記ランドが、前記前面基板と同じ材料から、前記前面基板と一体形成される、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５４】
前記前面基板が、前記周辺領域内に複数のトレンチをさらに含み、前記トレンチが、導電トレースを互いに電気的に絶縁する、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５５】
前記複数の支持体が、前記アレイ領域内に複数のキャビティを定め、前記導電層が、前記キャビティ内に固定電極を形成する、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５６】
前記キャビティ内の前記導電層が、前記導電トレースの材料と同じ材料を含む、請求項５５に記載のデバイス。
【請求項５７】
前記複数の支持体上に導電層をさらに含み、前記複数の支持体上の前記導電層が、前記キャビティ内の前記導電層の材料と同じ材料を含む、請求項５５に記載のデバイス。
【請求項５８】
前記複数の支持体が、レールを含む、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５９】
複数の導電トレースが、前記ランド上に形成され、前記前面基板が、前記複数の導電トレースの部分上に形成された絶縁層をさらに含み、前記導電トレースが、前記前面基板の前記下側領域上に形成された前記導電層と実質的に同じ厚さを有し、前記導電トレースが、前記導電層の材料と同じ材料から形成される、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項６０】
前記前面基板上に重ねて形成された複数の可動電極をさらに含み、前記可動電極の各々が、前記アレイ領域上から前記周辺領域上に延び、前記可動電極の各々の部分が、前記導電トレースの１つの部分に電気的に接触する、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項６１】
前記可動電極の各々の前記部分と前記導電トレースの１つの前記部分の間に置かれた導電接着材料をさらに含む、請求項６０に記載のデバイス。
【請求項６２】
干渉変調器の前面基板と組み合わせるための保持体であって、前記前面基板が、その上に形成された実質的に透明な電極を含み、
アレイ領域および周辺領域を含む基板と、
前記基板の前記アレイ領域上に重ねて形成された複数の可動電極ストリップであって、前記ストリップが、互いに実質的に平行に延びる、複数の可動電極ストリップと、
前記基板上に重ねて形成された複数のルーティングトレースであって、前記トレースの各々が、それぞれ１つの前記ストリップから前記周辺領域に延びる、複数のルーティングトレースと
を含む保持体。
【請求項６３】
アレイ領域と周辺領域とを含む前面基板であって、前記アレイ領域内に互いに平行に延びる複数のレールを含み、前記レールが前記アレイ領域内で複数のトラフを定め、前記周辺領域内にトレンチをさらに含み、前記トレンチの各々がそれぞれ１つの前記トラフから延びる、前面基板と、
前記トレンチ内に形成された行ルーティングトレースであって、前記アレイ領域内の前記トラフから前記周辺領域の少なくとも一部に延び、互いに電気的に絶縁される、行ルーティングトレースと
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項６４】
前記トレンチが、前記周辺領域内に下側領域を定め、前記下側領域が、前記アレイ領域から前記周辺領域の前記少なくとも一部に延びながら隆起する、請求項６３に記載のデバイス。
【請求項６５】
前記周辺領域の前記少なくとも一部上に配置された行ドライバをさらに含み、異法性導電フィルム（ＡＣＦ）が、前記行ドライバを前記行ルーティングトレースに電気的に接続する、請求項６３に記載のデバイス。
【請求項６６】
アレイ領域と、前記アレイ領域を囲む周辺領域とを含む、面を有する前面基板であって、
前記前面基板の前記面上の環状のシーリング領域であって、前記シーリング領域が、実質的に前記アレイ領域を囲み、前記アレイ領域に向かう方向に延びる第１の幅を有する、環状のシーリング領域と、
前記基板内に形成されたリセスであって、前記方向に延びる第２の幅を有し、前記第２の幅が前記第１の幅よりも大きく、前記シーリング領域の一部を横断して延び、前記前面基板の前記面の高さよりも低い高さを定めるリセスと、
前記前面基板の前記面上に形成された第１の導電層と、
前記リセス内に形成された第２の導電層であって、前記第１の導電層と前記第２の導電層が互いに途切れている、第２の導電層と
を含む前面基板
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項６７】
前記第１の導電層上に絶縁層をさらに含み、前記リセスが、側壁を含み、前記絶縁層が、前記リセスの前記側壁に延びる部分をさらに含む、請求項６６に記載のデバイス。
【請求項６８】
前記シーリング領域上の前記絶縁層上に形成された導電シール剤をさらに含み、前記シール剤が、前記リセスの前記側壁上の前記絶縁層の前記部分によって前記第１の導電層から電気的に絶縁されながら、前記第２の導電層に接触する、請求項６７に記載のデバイス。
【請求項６９】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作成する方法であって、
アレイ領域およびルーティング領域を含む面を有する前面基板を提供するステップと、
前記前面基板の前記面のルーティング領域内に絶縁トレンチを形成するステップであって、前記絶縁トレンチが、底面と、側壁とを含み、前記絶縁トレンチの底面が、前記前面基板の前記面の高さよりも低い高さを定める、ステップと、
導電層が前記基板の前記面と前記絶縁トレンチの間で途切れるように、前記基板の前記面上および前記絶縁トレンチの前記底面上に導電層を形成するステップと
を含む方法。
【請求項７０】
導体が前記絶縁トレンチ上を横断するように、前記基板の前記面上に導体を形成するステップをさらに含む、請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
前記導体を形成するステップが、前記絶縁トレンチの前記底面上の前記導電層と接触するように前記導体を形成するステップを含み、前記方法が、前記導体と前記基板の前記面上の前記導電層の間、および前記導体と前記絶縁トレンチの前記側壁の間に絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項７０に記載の方法。
【請求項７２】
前記前面基板が、前記ルーティング領域と少なくとも部分的にオーバラップする環状のシーリング領域をさらに含み、前記シーリング領域が、実質的に前記アレイ領域を囲み、前記アレイ領域に向かう方向に延びる第１の幅を有し、前記絶縁トレンチが、前記方向に延びる第２の幅を有し、前記第２の幅が前記第１の幅よりも大きく、前記絶縁トレンチが、前記シーリング領域の一部を横断して延びる、請求項７１に記載の方法。
【請求項７３】
前記導電層を形成した後、前記絶縁層を形成する前に、シャドウマスクを用いて前記面の少なくとも一部をマスキングするステップをさらに含み、前記シャドウマスクが、前記絶縁トレンチの部分上の前記シーリング領域を横断するコネクタを含み、前記絶縁層を形成するステップが、前記面上の前記シャドウマスクを用いて前記前面基板の前記面上に絶縁材料を付着するステップを含む、請求項７２に記載の方法。
【請求項７４】
前記導体を形成するステップが、前記シーリング領域上の前記絶縁層上に導電シール剤を形成するステップを含む、請求項７３に記載の方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５Ａ】

【図５Ｂ】

【図６Ａ】

【図６Ｂ】

【図７Ａ】

【図７Ｂ】

【図７Ｃ】

【図７Ｄ】

【図７Ｅ】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１Ａ】

【図１１Ｂ】

【図１２Ａ】

【図１２Ｂ】

【図１２Ｃ】

【図１２Ｄ】

【図１３】

【図１４Ａ】

【図１４Ｂ】

【図１４Ｃ】

【図１４Ｄ】

【図１５】

【図１６Ａ】

【図１６Ｂ】

【図１６Ｃ】

【図１６Ｄ】

【図１６Ｅ】

【図１６Ｆ】

【図１７Ａ】

【図１７Ｂ】

【図１７Ｃ】

【図１８Ａ】

【図１８Ｂ】

【図１８Ｃ】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２Ａ】

【図２２Ｂ】

【図２２Ｃ】

【図２３Ａ】

【図２３Ｂ】

【図２３Ｃ】

【図２４Ａ】

【図２４Ｂ】

【図２５】

【図２６Ａ】

【図２６Ｂ】

【図２６Ｃ】

【図２６Ｄ】

【図２６Ｅ】

【図２７Ａ】

【図２７Ｂ】

【図２７Ｃ】

【図２７Ｄ】

【図２８】

【図２９Ａ】

【図２９Ｂ】

【図２９Ｃ】

【図２９Ｄ】

【図３０Ａ】

【図３０Ｂ】

【図３０Ｃ】

【図３０Ｄ】

【図３１Ａ】

【図３１Ｂ】

【図３１Ｃ】

【図３１Ｄ】

【図３２Ａ】

【図３２Ｂ】

【図３２Ｃ】

【図３２Ｄ】

【図３２Ｅ】

【図３３Ａ】

【図３３Ｂ】

【図３３Ｃ】

【図３３Ｄ】

【図３４Ａ】

【図３４Ｂ】

【図３４Ｃ】

【図３４Ｄ】

【図３５Ａ】

【図３５Ｂ】

【図３５Ｃ】

【図３５Ｄ】

【図３６Ａ】

【図３６Ｂ】

【図３６Ｃ】

【図３６Ｄ】

【図３６Ｅ】

【図３７Ａ】

【図３７Ｂ】

【図３７Ｃ】

【図３７Ｄ】

【図３７Ｅ】

【図３８Ａ】

【図３８Ｂ】

【図３８Ｃ】

【図３８Ｄ】

【図３９Ａ】

【図３９Ｂ】

【図４０】

【図４１Ａ】

【図４１Ｂ】

【図４１Ｃ】

【図４２Ａ】

【図４２Ｂ】

【図４２Ｃ】

【図４３Ａ】

【図４３Ｂ】

【図４３Ｃ】

【図４４Ａ】

【図４４Ｂ】

【図４４Ｃ】

【図４４Ｄ】

【図４４Ｅ】

【図４５Ａ】

【図４５Ｂ】

【図４５Ｃ】

【図４５Ｄ】

【図４６Ａ】

【図４６Ｂ】

【図４７】

【図４８】

【図４９Ａ】

【図４９Ｂ】

【図４９Ｃ】

【図５０】

【図５１】

【図５２Ａ】

【図５２Ｂ】

【図５３Ａ】

【図５３Ｂ】

【図５３Ｃ】

【図５３Ｄ】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【公開番号】特開２０１０−１７６１４１（Ｐ２０１０−１７６１４１Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５６１０８（Ｐ２０１０−５６１０８）
【出願日】平成２２年３月１２日（２０１０．３．１２）
【分割の表示】特願２０１０−５０７５２５（Ｐ２０１０−５０７５２５）の分割
【原出願日】平成２０年４月２８日（２００８．４．２８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ
２．ＧＳＭ
【出願人】（５０８０９５３３７）クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド (133)
【Ｆターム（参考）】