【課題】矩形の基板上に、変換体と矩形の半導体基板と有し、小型化と低コスト化可能な変換体モジュールを提供する。
【解決手段】矩形の形状を有する基板２と、鋭角の頂点を１つ以上含む多角形の形状を有する変換体３と、矩形の形状を有する半導体基板４とを備え、変換体３は、基板２の第１側辺と変換体３の一つの側辺とが実質的に平行となるように、基板２上に配置され、半導体基板４は、基板２の第１側辺と半導体基板４の１つの側辺とが実質的に平行となるように基板２に配置される。 （もっと読む）

【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ基板に支持されており、加速度の印加に応じてＳＯＩ基板の基板面と平行に変位する可動部２と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片４ａ〜４ｉと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片６ａ〜６ｉと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Ｅに並列接続された複数のスイッチＳ１〜Ｓ７が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の慣性力を検出できる容量式慣性力センサを、可動電極の下面（又は上面）に沿う方向の体格増大を抑制しつつ、検出精度劣化を抑制して提供する。
【解決手段】可動電極に対向配置された固定電極として、可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第１固定電極と、可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第１固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第２固定電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】 容量素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第１支持層１００と、該第１支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第１可動梁８００ａと、を有する第１基板ＢＳ１と、第２支持層２００と、該第２支持層に形成された第１固定電極９００ａと、を有し、且つ、前記第１基板に対向して配置された第２基板ＢＳ２と、を含み、前記第１可動梁８０ａには、第１可動電極が形成され、前記第１固定電極と前記第１可動電極とが間隙を介して対向して配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳスイッチ１０-1の第１固定端子ＦＴ１１及び第２固定端子ＦＴ１２は各々の端縁が可動端子ＭＴに最も近づき、且つ、端縁を除く部分が該端縁よりも可動端子ＭＴから離れた断面形状を成していて、導通状態において可動端子ＭＴは第１固定端子ＦＴ１１及び第２固定端子ＦＴ１２の端縁に線接触する。 （もっと読む）

【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳ素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、キャップ基板５０の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ３００を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くすることなく、放電耐圧を向上させ、デバイスの特性の安定化や性能の向上を図る。
【解決手段】高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。絶縁膜１０４の厚さＴは、配線層１０３と上層配線１０５，１０６との間に与えられる最大の電位差Ｖ_maxよりも絶縁膜１０４の耐圧が大きくなるように設定され、絶縁膜１０４の露出量Ｘは、溝の幅Ｗと距離ｄとが等しいときの絶縁膜１０４に沿った沿面放電開始電圧をＶ₀（Ｖ₀＝ｂ×ｌｎＴ＋ｃ、ｂ，ｃは定数）としたとき、Ｖ_max＜ａＸ＋Ｖ₀（ａは定数）となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】熱応力や外部応力によって、力学量の検出精度が低下することが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプを介して、センサチップと基体とが接続された半導体装置であって、センサチップは、基板と、絶縁層と、半導体層と、が順次積層されて成る半導体基板を有し、半導体基板に形成されたセンシング部は、絶縁層と半導体層から成る、基板に固定されたアンカ部と、絶縁層が除去されて、半導体層から成る、基板に対して浮いた遊動部と、を有し、アンカ部は、固定アンカ部と、可動アンカ部と、を有し、遊動部は、固定アンカ部に支持された固定電極と、可動アンカ部に支持された可動部と、該可動部に設けられた可動電極と、バンプが接続される接続部と、を有し、接続部は、固定アンカ部を介して、固定電極と接続された固定接続部と、可動アンカ部を介して、可動部と接続された可動接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】構造体の平面サイズの大型化を抑制しつつ伝送損失の低減を図ることが可能で且つ信号線を囲む接地導体の形成が容易な配線構造を備えた構造体およびＭＥＭＳリレーを提供する。
【解決手段】接地導体５は、ベース基板１の一表面側で信号線１３の幅方向の両側に形成された第１のグランド配線５１，５１と、ベース基板１に形成されて各第１のグランド配線５１，５１に電気的に接続されたビアからなる第２のグランド配線５２，５２と、ベース基板１の他表面側において第２のグランド配線５２，５２同士を電気的に接続し信号線１３に並行する第３のグランド配線５３と、カバー基板３におけるベース基板１との対向面側に形成された第４のグランド配線５４と、中間基板２において空洞部２７の両側に形成され各第１のグランド配線５１，５１と第４のグランド配線５４とを電気的に接続する貫通スリット配線からなる第５のグランド配線５５，５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の低減を図れ、かつ配線信頼性の高い光フィルター素子、光フィルターモジュール、および分析機器を提供する。
【解決手段】光フィルター素子は、第一基板５１と、前記第一基板５１と対向する第二基板５２と、前記第一基板５１に設けられた第一反射膜と、前記第二基板５２に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜５７と、前記第一基板５１に設けられた第一電極と、前記第二基板５２に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極５４２と、前記第一基板５１に設けられ、前記第一電極に接続された一対の第一引出電極５４１Ａと、前記第二基板５２に設けられ、前記第二電極５４２に接続された一対の第二引出電極５４２Ａと、を具備した。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００の製造方法は、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う絶縁層３０，３２，３４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４をエッチングして、機能素子２０の周囲に空洞部１を形成する工程と、空洞部１を封止するように、空洞部１の上方に封止層５０，５４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４の上方に樹脂層６０を形成する工程と、基板１０の下方側から基板１０をエッチングして、空洞部１と連通する開口部３を形成する工程と、空洞部１を封止するように、気相成長法によって、開口部３の内面に被覆層８０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの体格の増大が抑制され、加速度センサにおける電気的な接続部材の配置やその形状が変更されない加速度センサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度を電気信号に変換するセンシング部が形成されたセンサ基板と、センシング部を気密封止するための凹部が形成されたパッケージ基板と、が接合されて成るセンサ部を有し、センサ基板におけるパッケージ基板との対向面側に、配線パターンを介してセンシング部と電気的に接続された内部電極が複数形成され、パッケージ基板の内部に、内部電極と同数の貫通電極が形成され、パッケージ基板におけるセンサ基板との対向面の裏面に、外部電極と補助配線が複数形成されている。そして、外部電極は、内部電極と同数の電極が一方向に並んで成る第１外部電極群及び第２外部電極群を有し、これら電極群の並ぶ方向が直交している。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板内で高さの均一な複数の微小構造体を作製し、安定した接着性を実現する。
【解決手段】第１の基板１２Ａ上に、第１の高さｈ１を有する第１の構造体１４Ａと、これよりも高い第２の高さｈ２を有する第２の構造体１６Ａとが設けられ、第２の基板１２Ｂを第１の基板１２Ａに重ね、第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを高さ方向に収縮させ、当該第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを第１の構造体１４Ａ，１４Ｂにより規定される高さの構造体18に変形させた状態で、基板同士を接着する。第２の構造体１６Ａ，１６Ｂは、例えば、金属粒子を材料とするポーラス構造体である。第１の構造体１４Ａ，１４Ｂは、同じ押し圧による変形量が第２の構造体１６Ａ，１６Ｂよりも小さい材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の厚みを薄くすることができ、しかもＣｕ電極の厚みを薄くしてもＣｕ電極にクラックやボイド、剥がれなどが生じにくく、接合強度の高い電極構造を提供する。
【解決手段】カバー基板７１に設けた貫通孔７２にＣｕの貫通配線７５を設ける。カバー基板７１の表面において、貫通配線７５の端部にはＣｕ電極８２を設ける。Ｃｕ電極８２の表面は、Ｓｎの拡散係数が３×１０^−２３ｃｍ^２／sec以下である材料、例えばＴｉやＮｉからなる拡散防止膜８３でＣｕ電極８２の全体を覆う。さらに、拡散防止膜８３の上にＡｕからなる濡れ性改善層８４を設け、その上にＡｕ−Ｓｎ系はんだからなる接合用のはんだ層８５を設ける。 （もっと読む）