【課題】MEMS素子を搭載した半導体パッケージを確実にかつ効率的に製造することができ、MEMS素子を搭載した信頼性の高い半導体パッケージを提供する。
【解決手段】（ａ）シリコンウエハ１０に、厚さ方向に貫通するビア１３と、MEMS素子搭載面とは反対面側にビア１３と電気的に接続する配線パターン１６を形成する工程と、（ｂ）シリコンウエハ１０のMEMS素子搭載面に、ビア１３とMEMS素子２０とを電気的に接続してMEMS素子ウエハ１８を接合する工程と、（ｃ）シリコンウエハ１０に接合されたMEMS素子ウエハ１８のMEMS素子２０を個別に分離する工程と、（ｄ）シリコンウエハ１０のMEMS素子搭載面に、個別に分離されたMEMS素子２０が搭載された領域ごとに、MEMS素子２０を収容する凹部２５を備えたリッド２５を接合する工程と、（ｅ）シリコンウエハ１０とリッド２４との接合体を個片化して半導体パッケージを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ、外部物体との接触によるボンディングワイヤの破損を防止することが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され複数のパッド１３を一表面側に備えたデバイス本体１、デバイス本体１の上記一表面側に接合された表面側保護基板２、デバイス本体１の他表面側に接合された裏面側保護基板３を有するＭＥＭＳチップＣと、ＭＥＭＳチップＣが実装された実装基板５とを備える。表面側保護基板２は、デバイス本体１の各パッド１３それぞれを全周に亘って露出させる複数の貫通孔２０２が形成され、且つ、各貫通孔２０２それぞれに各別に連通するととともに貫通孔２０２側とは反対側が開放されデバイス本体１のパッド１３と実装基板５の導体パターン５０２とを電気的に接続するボンディングワイヤを通す複数の溝部２０３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流を抑制し、漏れ電流による電力消費を低減すること。
【解決手段】活性層１１ｃを含む基板１１と、活性層の表面に形成される信号電極ＳＬと、活性層の表面に形成され、グランド接続される第１の駆動電極１４と、活性層の表面に形成される第１の部分１５ａ，１５ｃと、第１の部分に接続され、第１の駆動電極の上方に位置する第２の部分１５ｂと、を含む第２の駆動電極１５と、を備え、基板１１には、活性層１１ｃを貫通し且つ第１の部分１５ａ，１５ｃを包囲する環状の溝部２２，２３が形成される。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械（ＭＥＭＳ）を封止するに当たり小型化したパッケージを提供する。
【解決手段】微小電気機械（ＭＥＭＳ）３０は、第１のガラス層２４と第２のガラス層２６に挟まれて封止される。電気的接続３４，３６をＭＥＭＳのエッジより引き出し、ガラス層の側面に設けた端子４２−１、４２−２と接続する。第１のガラス層２４と第２のガラス層２６はシール３２でシールされる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスにおける可動電極の駆動のための駆動電極の面積をさらに大きくすることができ、駆動の安定性を一層向上させること。
【解決手段】基板１１と、基板上に設けられ、互いに対向する第１の線路部１２ａおよび第２の線路部１２ｂを含む信号線路１２と、基板の上方に設けられ、第１の線路部および第２の線路部の両者を跨いで対向する可動電極３３と、基板上に可動電極３３に対向して設けられ、可動電極３３との間に印加される電圧によって可動電極３３を引き付けて信号線路１２と可動電極３３との距離を変化させるための駆動電極３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサーなどの物理量センサー、および、物理量センサーを比較的容易に製造できる物理量センサーの製造方法、および、物理量センサーを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量型加速度センサー１００は、固定部としての固定枠部１１０と、可動錘部１２０と、固定電極を有する固定電極部（固定腕部）１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動電極を有する少なくとも一つの可動電極部（可動腕部）１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有し、固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）は、第１積層構造体ＡＩＳの側面に形成された、固定電極としての第１側面導体膜ＣＱ１（ＣＱ１ａ，ＣＱ１ｂ）および第１接続電極部Ｌ４（Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ）と、を有し、可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）は、第２積層構造体層構造体ＢＩＳの側面に形成された、可動電極としての第２側面導体膜ＣＱ２（ＣＱ２ａ，ＣＱ２ｂ）および第２接続電極部Ｌ５（Ｌ５ａ，Ｌ５ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】電極膜の導電性が不足して十分な特性が出せない場合があった。
【解決手段】一対の電極膜と電解質膜を有する高分子アクチュエータの製造方法において、カーボンナノチューブとイオン液体を含む膜を形成後に、カーボンナノチューブに対してドーピング作用を有する有機分子を含む溶液を滴下、乾燥することによって電極膜の導電性が向上し、高分子アクチュエータの特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサデバイスは、複数のピエゾ素子２３１，２３２と、複数の接続パッド２６１〜２６５と、ピエゾ素子２３１，２３２と電気的に接続された上層配線２４０、２４１と、上層配線２４０及び２４１に接続された下層配線２５１及び２５２と、下層配線２５１及び２５２に対して垂直方向に交差する上層配線２４２〜２４４と、上層配線２４２〜２４４の下層の下層配線２５３〜２５７があり、下層配線２５３〜２５７の他端部の上層には、絶縁層を介して接続パッド２６１〜２６５が形成される。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コスト、且つ、高い機能を有するＭＥＭＳ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】微細構造体からなるデバイス層６１と、基材９１とにより構成されるＭＥＭＳ１０１の製造方法であって、成形可能な材料を型５１により成形することにより、デバイス層６１、及び基材９１を成形する成形工程Ｓ４２と、成形工程により成形されたデバイス層６１と、基材９１とを接合する接合工程Ｓ４４と、成形工程で生じた残膜６１ａを、デバイス層６１より除去する除去工程Ｓ４５と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路素子と機能素子とが同一基板上に絶縁膜を介して積層して形成される電気部品において、２つの素子間を結ぶ接続配線の信頼性を従来に比して高められる電気部品を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタ１１に接続され、第１の絶縁膜２０上に形成される第１の配線２２Ａと、第１の配線２２Ａ上に形成される第２の絶縁膜３０を介して形成され、ＭＥＭＳ素子５０に接続される第２の配線３１と、第２の配線３１上を覆う第３と第４の絶縁膜４０，６０と、第２の配線３１と第１の配線２２Ａとを接続する接続配線７０とを備え、接続配線７０は、第２の配線３１の形成位置内で第４と第３の絶縁膜６０，４０を貫通する第１のビア７１と、第１の配線２２Ａの形成位置内で第４〜第２の絶縁膜６０，４０，２０を貫通するビア７０２と、第４の絶縁膜６０上で第１と第２のビア７０１，７０２とを結ぶ接続用配線７０３とが同一材料で一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】可動部の揺動を検出するためのピエゾ抵抗素子によってトーションバーの幅が制約されることがなく、かつ、可動部の揺動に伴ってピエゾ抵抗素子の抵抗値を大きく変化させて、高い検出精度が得られるプレーナ型アクチュエータを提供する。
【解決手段】アクチュエータ１は、枠状の固定部２と、一対のトーションバー３ａ，３ｂと、可動部４とを備え、前記可動部４は、前記一対のトーションバー３ａ，３ｂを介して前記固定部２の開口部に揺動可能に支持される。前記固定部２のトーションバー３ａが接続される部分、及び、固定部２のトーションバー３ｂが接続される部分に、トーションバー３ａ，３ｂの軸を挟んで、ピエゾ抵抗素子１０ａ〜１０ｄを配置する。そして、ピエゾ抵抗素子１０ａ〜１０ｄの抵抗値変化によって出力電圧が変化するブリッジ回路を構成し、ブリッジ出力から前記可動部４の揺動を検出する。 （もっと読む）

【課題】薄膜構造部の膜強度の低下を防止することができると共に、薄膜構造部に覆われた空洞部への汚染物質等の侵入を防止する。
【解決手段】シリコン基板１０は、一面１１側に形成されると共に空洞部１４とシリコン基板１０の外部とを繋ぐための孔部１５を有している。この孔部１５は、一面１１において、薄膜構造部３１の上部を流れるであろう流体の向きに対して直交するように延設されている。これによると、空洞部１４を覆う薄膜構造部３１に開口部を設けていないので、薄膜構造部３１の膜強度の低下を防止することができる。また、孔部１５の開口部がシリコン基板１０の一側面１２に露出し、流体は孔部１５の開口部に直接当たらないので、当該一側面１２の面方向に流れる流体が孔部１５に入りにくくなる。したがって、孔部１５を通じて空洞部１４への汚染物質や水滴の侵入を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス中に、シリコンゲルマニウム層と、ＣＭＯＳ金属層や他のシリコンゲルマニウム層のようなこのシリコンゲルマニウム層に接続する層との間に、双方の層を分離する誘電体層スタック中の開口部を通る低抵抗コンタクトを形成する方法を提案する。
【解決手段】誘電体層６の開口部中に中間層である界面層１４を形成し、これによってこの開口部の底部と開口部の側壁を覆う。この中間層はシリコンゲルマニウムＭＥＭＳ電極８と、ＭＥＭＳ成分を含むシリコンゲルマニウム構造層４との界面となる。中間層、すなわち界面層１４は、ＴｉＮ層またはＴａＮ層より成る。 （もっと読む）

【課題】厚さの薄い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に、無線通信の機能を有する半導体素子層と、センサの機能を有する微小構造体と、半導体素子層及び微小構造体を電気的に接続する配線とを有する半導体装置、及び、第１の基板上に、互いに密着性の弱い第１の層及び第２の層を形成し、第２の層上に無線通信の機能を有する半導体素子層及び絶縁層を形成し、絶縁層上に半導体素子層と電気的に接続される第１の配線、犠牲層、第２の配線を形成し、第１の層と第２の層とを分離することにより、基板から半導体素子層、絶縁層、第１の配線、犠牲層、第２の配線を分離した後、第２のフレキシブル基板に貼り合わせ、犠牲層を除去して、第１の配線、第２の配線、第１の配線と第２の配線との間に空間を有し、センサの機能を有する微小構造体を作製する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ねじり振動モードを利用したＭＥＭＳ共振器において、振動部材の周辺への異物混入を容易に防止可能とする。
【解決手段】共振器パッケージ１０１は、平坦な上面３１ｕを有する基材３１と、上面３１ｕに固定されたアンカ部２ａ，２ｂと、上面３１ｕから離隔して梁状に延在する振動部材４と、振動部材４の周囲を取り囲む包囲部下部４５と、振動部材４と同じ材料で同じ高さで形成され、振動部材４の周囲を取り囲むように配置された包囲部上部４６と、アンカ部２ａ，２ｂの上面と包囲部下部４５の上面とに配置された絶縁膜パターン２２ｄ，２２ｅと、包囲部上部４６の上側に配置され、振動部材４からは離隔しつつ、内側の領域を完全に被覆するキャップ部材４３と、上面３１ｕに形成された配線とを備え、前記配線は、前記上面３１ｕに沿うように包囲部下部４５の下側を通過して外側にまで引き出されている。 （もっと読む）

【課題】小型化および低背化が可能であり、ウェハレベルパッケージ構造とすること。
【解決手段】基板１１と、基板の上方に設けられた固定コンタクト電極１３と、固定コンタクト電極１３に対向して設けられた可動コンタクト電極１２と、基板上においてそれらを囲むように設けられた壁部１７と、壁部１７に固定されて設けられ、可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３を含む空間を封止するための膜部材２０と、基板上において壁部１７の内側に設けられ、膜部材２０を空間の内側から支持するために可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３とは別に設けられた支持部１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。 （もっと読む）