説明

Fターム[3C081BA32]の内容

マイクロマシン (28,028) | 形状、構成 (11,743) | 構成要素 (3,421) | 周辺構成 (617) | 配線、電気接続 (317)

Fターム[3C081BA32]に分類される特許

21 - 40 / 317


【課題】MEMS構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の空洞部33内に位置し電気駆動される振動素子5と、空洞部33の周囲を取り巻く絶縁層29と空洞部33とを画成する電気伝導性の包囲壁25と、振動素子5と接続し包囲壁25を貫通する第1配線8及び第2配線9と、を有し、第1配線8及び第2配線9が包囲壁25を貫通する場所には絶縁層29を溶解するエッチング液が空洞部33から絶縁層29に流動することを防止し包囲壁25と第1配線8及び第2配線9とを絶縁する第1耐食絶縁膜19及び第2耐食絶縁膜20を備える。 (もっと読む)


【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の側壁部23及び第1封止層30に覆われた空洞部33内に位置する可動部7bと、空洞部33内に設置され空洞部33内の気体を吸着する第1ゲッター部34及び第2ゲッター部35と、基板2と対向する場所に位置する第1封止層30及び第2封止層32と、を備え、第1封止層30は第1孔30a及び第2孔30bを有し、第2封止層32は第1孔30a及び第2孔30bを封止する。 (もっと読む)


【課題】MEMS素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるMEMSデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するMEMS素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び/又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするMEMSデバイス。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子1は、絶縁基板2と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、絶縁基板2上に設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を含み、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382、384、386、388と、他方の側に配置された第2固定電極指381、383、385、387と、を含み、第1固定電極指と第2固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、MEMS素子をパッケージ化する際、パッケージ全体の厚さを小さくし、MEMS素子に及ぼされる基板とICとの熱膨張係数の違いによる反りによって生じる応力の影響を緩和するMEMSデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のMEMSデバイスは、開口を有する配線基板と、配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、制御素子の一方の面上に配置された少なくとも1つのMEMS素子と、を具備し、制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して配線基板に固定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】MEMS素子への応力を緩和しながらMEMSデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるMEMSデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面側に第1電極部を有する基板102と、基板の第1電極部108aが配置された側に配置された制御素子であるIC110と、可動部133と、基板の第1電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッド136とを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたMEMS素子と、基板の第1電極部とMEMS素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材142と、を具備し、可動部は、制御素子に覆われたMEMSデバイス。 (もっと読む)


【課題】製造コストの増加を抑制しながら、互いに絶縁すべき複数の配線を交差させることができ、しかも物理量検出を良好に維持することができるMEMSセンサを提供する。
【解決手段】表面21に一対のX−検出素子Dが設けられたSOI基板2上の第2層間膜20上に、これらX−検出素子D間を接続する素子間配線43を敷設する。一方、第2層間膜20上において、素子間配線43を横切る方向にX−ブリッジ配線31の主配線36およびZ−検出上部電極配線33の主配線36が敷設されている。これらの主配線36との接触を避けるために、X−検出素子Dの下部電極25と同一層に中継配線45を形成し、この中継配線45を利用して素子間配線43が構成する回路を第2層間膜20内に迂回させる。 (もっと読む)


【課題】筐体とケーブルとの間に発生する異音を低減することができる光スキャナと、その光スキャナを利用した画像投影装置とを提供すること。
【解決手段】ミラー部と一対の捩れ梁部と本体部とを有する平板状の構造体と、構造体が固定される筐体と、構造体に設けられた駆動部と、駆動部を駆動するための電力を伝達するケーブルとを備える光スキャナである。ケーブルは、第1固定部分と、第2固定部分とにおいて、筐体に対して固定される。第1固定部分では、筐体の一部である第1筐体部分と、ケーブルの一部であってケーブルの一端に存在する第1ケーブル部分とが固定される。第2固定部分では、筐体の一部であって第1筐体部分とは異なる位置に存在する第2筐体部分と、ケーブルの一部であって第1ケーブル部分よりも構造体から離間した位置に存在する第2ケーブル部分とが固定される。 (もっと読む)


【課題】寄生容量や入力容量の影響が低減された高感度なセンサを提供する。
【解決手段】センサは、可動部分を含む第1の電極101と、第1の電極101に対向して配置された第2の電極102とを有し、容量変化により物理量を検知する第1の容量変化検出部100と、反転入力端子121を有する増幅器120と、第1の容量素子20とを備えている。第1の容量変化検出部100と第1の容量素子20とは、増幅器120の反転入力端子121と出力端子123との間で互いに直列に接続されて増幅器120の帰還容量を構成する。 (もっと読む)


【課題】フォースセンサの小型化に伴い、外部からの荷重により支持部に機械的強度を越える応力が発生し、支持部が破壊する問題が発生した。
【解決手段】センサ基板とベース基板との間にストッパを設け、センサ基板の撓みを制限し、支持部に機械的強度を越える応力が発生することを防止した。よって、前記ストッパを設けることで、支持部が破壊することなく荷重を計測できる小型なフォースセンサを提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄型化を実現すると共に、接合された2つの半導体基板の導通配線を簡単に行うことができる電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の電子デバイス1は、絶縁膜41を介して、接合突部42が突設された第1半導体基板2と、導電性接合材料を介して、第1半導体基板2の接合突部42に溶着接合された第2半導体基板3と、接合方向において、接合突部42および絶縁膜41に貫通形成されたスルーホール54と、溶着接合に伴ってスルーホール54に充填された導電性接合材料により構成され、第1半導体基板2と第2半導体基板3とが同電位となるように導通する導通配線部44と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層32、34、センサ層24、およびセンサ層24と基板層32、34との間に配置される絶縁層26、28を有し、基板層32、34の1つにV溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層32、34は100結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層32または34の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように3つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】表面側保護基板を通してデバイス本体のパッドと実装基板の導体パターンとを電気的に接続でき、且つ、デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ電気的な接続信頼性を高めることが可能なMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】SOI基板(半導体基板)100を用いて形成され複数のパッド13を一表面側に備えたミラー形成基板(デバイス本体)1、ミラー形成基板1の一表面側に接合された第1のカバー基板(表面側保護基板)2を有するMEMSチップ4と、MEMSチップ4が実装された実装基板5とを備える。第1のカバー基板2は、ミラー形成基板1の各パッド13それぞれと接合されて電気的に接続されたシリコンからなる複数の導電部202が、第1のカバー基板2の厚み寸法内で設けられている。各導電部202と実装基板5の各導体パターン502とが、両者に跨って形成された半田部6を介して電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板2と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部25と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部13とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部25および半導体基板側金属接触部13の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル14で被覆するようにした。 (もっと読む)


【課題】電気機械変換エレメント間の静電容量を低減して、エレメント間の信号のクロストークを低減することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置10では、絶縁部7を介して対向する位置に設けられた第1電極3と第2電極6とを含む電気機械変換エレメント2が半導体基板1の一方の面に形成された絶縁層5上に複数形成されている。第1電極3とは絶縁されて絶縁層5上のエレメント2間に配設された導体配線4と、導体配線4に電圧を印加する第1電圧印加部12と、導体配線4とは極性の異なる電圧を第1電極3に印加する第2電圧印加部13が設けられている。半導体基板1の他方の面の一部は接地されている。 (もっと読む)


【課題】使用する部材を最小限に抑え、高い信頼性を維持しつつ、チップのパッドとパッケージのパッドの結線組み合わせを自由に変更する。
【解決手段】パッケージは、通常パッドK01〜K48と、予備パッドK05”〜K10”,K15”〜K20”,K29”〜K34”,K39”〜K44”を有する。チップ1上に配置されたMEMSミラー素子M01〜M12の数をN、使用する素子の数をn、1個の素子あたりの電極数をNe、パッケージの1つの短辺の半分あたりの通常パッドに接続されると想定される素子の最大個数をhとしたとき、予備パッドを、パッケージの2つの短辺の両端にそれぞれNe/2×(N−n)/2個ずつ配置すると共に、(N−n)/2個とh−(N−n)/2個のうち小さい方の個数にNe/2を掛けた個数の予備パッドを、パッケージの2つの長辺の両端にそれぞれ配置する。 (もっと読む)


【課題】パッドから取り出す電気信号のS/N比を向上させることが可能なMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】SOI基板100を用いて形成されたミラー形成基板(デバイス本体)1を備える。ミラー形成基板1は、第1のシリコン層100aに形成され電気信号を生成する可動電極(機能部)22と、第1のシリコン層100a上に形成され電気信号を取り出すためのパッド13aと、第1のシリコン層100aにおいてパッド13aが形成された島状の導電部11acとを有する。導電部11acと第1のシリコン層100aにおける導電部11acの周辺部位とを絶縁分離するように第1のシリコン層100aに第1の分離部10aaが形成され、第2のシリコン層100bのうち導電部11acおよび絶縁層100cとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第2のシリコン層100bに第2の分離部10bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板とMEMS素子との間の寄生容量、および基板の反りを抑えたMEMS装置を提供する。
【解決手段】
実施の形態のMEMS装置は、表面に開口する凹部と凹部内に、絶縁物、エアギャップ、または絶縁物およびエアギャップが形成された基板と、基板上の絶縁層と、絶縁層上に形成された信号線を有するMEMS素子とを有し、上記基板の表面に平行な方向の信号線の位置と上記平行な方向の凹部の位置に重なりがある。 (もっと読む)


【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 (もっと読む)


【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるSOI基板から形成され、SOI基板の上面から下面へ貫通する窓部10を有するフレーム部11と、SOI基板から形成され、窓部10の内部に配置される可動電極4と、フレーム部11のシリコン活性層と可動電極4のシリコン活性層とを連結し、フレーム部11に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部41,42と、可動電極4と対向する面に可動電極4と離間して配置される固定電極21,22とを備え、可動電極4及びフレーム部11が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部61〜63を備える。 (もっと読む)


21 - 40 / 317