【課題】異方性及び形状復元性を有する複数のＣＮＴからなり、所望の位置に所望の形状で形成することのできる集合体及びそれを備える２端子スイッチを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ該基板の表面と平行な一方向に配向する複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層を備え、前記カーボンナノチューブ層は、純度；９８質量％以上、本数密度；1.0×10¹²〜4.0×10¹³本/cm²を備え、かつ形状復元性を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体。前記カーボンナノチューブ集合体を備える２端子スイッチ。 （もっと読む）

【課題】優れた素子特性を得ることができるＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】基板１０上に下部電極１２Ａを形成する工程と、下部電極１２Ａに隣接するように電気的にフローティング状態になる補助構造体１３Ａを基板１０上に形成する工程と、下部電極１２Ａ上、補助構造体１３Ａ上、及び基板１０上に犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜上に上部電極１６を形成する工程と、犠牲層を除去し、上部電極１６を下部電極１２Ａの上方に空洞２１Ａを介して配置する工程とを具備する。下部電極１２Ａ上及び補助構造体１３Ａ上に形成された犠牲膜は上面が平坦であり、犠牲膜上に形成された上部電極１６は下面が平坦である。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第１の基板１１の一方の主面１１ａ側に可動部１４ａを形成する工程と、シリコンを含む第２の基板２０の一方の主面２０ｃ側にキャビティ２０ｂを形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板２０の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ２０ｂを可動部１４ａに対向させた状態で、第１の基板１１と第２の基板２０の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ２０ｂ内を真空に保ちつつ、可動部１４ａを第２の基板２０で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第１の基板１１と第２の基板２０をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】様々なタイプのモジュールへマイクロチップをインターフェースするための方法およびデバイスの提供。
【解決手段】開示したテクノロジーは、ＤＮＡシーケンシングおよびゲノタイピング、プロテオミクス、病原体検出、診断ならびに生物兵器防衛などの様々な用途のためのサンプル調製および分析システムとして使用できる。本発明は、標的分析物を捕捉および精製するための手段および該標的分析物をマイクロ流体デバイス内へ導入するための手段を備える第１モジュールと、該マイクロ流体デバイスを備える第２モジュールと、を備え、ここで該マイクロ流体デバイスは該標的分析物を検出もしくは分析するために適合する、モジュラーシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】 積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 本明細書が開示するＭＥＭＳデバイスは、基板と、第１導電領域に第１絶縁領域を介して第２導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第１導電補強領域に絶縁補強領域を介して第２導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】イオン交換膜を用いた比較的大きな力を発生するアクチュエーターを提供する。
【解決手段】第１の可動部と、第２の可動部と、絶縁膜と、を含み、前記第１の可動部は、第１のイオン交換膜と、前記第１のイオン交換膜の一方の面である第１の面に形成された第１の電極と、前記第１のイオン交換膜の前記一方の面に対向する他の一方の面である第２の面に形成された第２の電極と、を有し、前記第２の可動部は、第２のイオン交換膜と、前記第２のイオン交換膜の一方の面である第３の面に形成された第３の電極と、前記第２のイオン交換膜の前記一方の面に対向する他の一方の面である第４の面に形成された第４の電極と、を有し、前記絶縁膜の一方の面である第５の面が前記第２の面に接し、前記絶縁膜の前記一方の面に対向する他の一方の面である第６の面が前記第３の面に接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】基板から半導体素子への応力を十分に吸収することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置１０は、基板１１と、基板１１の表面に形成された第１弾性体１４と、第１弾性体１４の表面に形成された第２弾性体１３であって、第１弾性体１４よりも弾性率が小さい第２弾性体１３と、第２弾性体１３により第１弾性体１４に固着された半導体素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造時の断線の発生を抑制可能であり且つ発電出力の向上を図ることが可能な発電デバイスを提供する。
【解決手段】発電デバイス１は、デバイス基板１０の一表面上に形成された第１導電層２２のうちカンチレバー部１２に重なる第１電極２２ａと、圧電材料層２３のうち第１電極２２ａに重なる部分からなる圧電体層２３ａと、第２導電層２４のうち圧電体層２３ａに重なる第２電極２４ａとで、発電部２０を構成する。第２導電層２４のうちデバイス基板１０の厚み方向において支持部１１に重なる部分の一部からなる第２パッド２４ｃと、第２導電層２４のうち第２電極２４ａと第２パッド２４ｃとを繋いでいる部分からなる第２配線２４ｂとを備える。第２導電層２４と圧電材料層２３との接触領域を規定する絶縁層２５の一部が、デバイス基板１０の厚み方向において第２パッド２４ｃと圧電材料層２３との間に介在している。 （もっと読む）

【課題】基板側の電極表面と振動部材の下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、ねじり振動を利用するＭＥＭＳデバイスを容易に製造する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基材と、浮き構造体と、浮き構造体の一部の領域に対して離隔対向するかさ上げ対向部とを備える、ＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、ＳＯＩ基板を用意する工程Ｓ１と、第１シリコン層をパターニングすることによって、かさ上げ対向部、支持梁部などを形成する工程Ｓ２と、第１領域を厚み方向の途中までエッチング除去する工程Ｓ３と、中間絶縁層の少なくとも一部をエッチングしてかさ上げ対向部と第２シリコン層との間の接続を断つ工程Ｓ４と、基材を貼り付ける工程Ｓ５と、第２シリコン層をパターニングすることによって浮き構造体を形成するとともに、かさ上げ対向部を外枠部から分離させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板１にカンチレバー（可動部分）４ｘを形成する工程と、カンチレバー４ｘの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５を形成する工程と、電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５の上に第１の保護膜３１を形成する工程と、第１の保護膜３１の上に、該第１の保護膜３１よりも段差被覆性の良い第２の保護膜３２を形成することにより、第２の保護膜３２で隙間ｇを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域１７に対応する支持基板１１にレーザ光の焦点５４ａを合わせ、半導体層１３側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点５４ａからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成する。この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 （もっと読む）

【課題】スティッキングによる可変容量素子の動作不良を防ぎ、また、特性ばらつきを抑える。
【解決手段】可変容量素子１は、固定板２と可動板３と誘電体膜８と電極４Ａ，４Ｂ，５Ａ，５Ｂ，６，７Ａ，７Ｂとを備える。電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂは対向し、駆動電圧が印加される。誘電体膜８は、電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂに対向する領域８Ｃが周囲よりも薄肉で、領域８Ｃを挟むように周囲から突出する２列のストッパ８Ａを備える。ストッパ８Ａの間隔は狭く、可動板３のヤング率は高く、可動板３の厚みは厚く、駆動電圧は低く、ストッパ高さは高いことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】上方から見た平面積を小さくすることができ、しかも、音響センサのバックチャンバの容積をより大きくすることのできるマイクロフォンを提供する。
【解決手段】回路基板４３の上面にインターポーザ５２を実装し、その上面に音響センサ５１を実装する。信号処理回路５３は、インターポーザ５２に設けられた空間７０に納められて回路基板４３に実装される。音響センサ５１は、インターポーザ５２に設けた配線構造を通じて回路基板４３に接続される。音響センサ５１やインターポーザ５２などは、回路基板４３の上面に被せたカバー４２によって覆われる。カバー４２には、音響センサ５１のフロントチャンバと対向する位置に音導入孔４８が開口されている。インターポーザ５２には、音響センサ５１のダイアフラム５６よりも下方の空間を、カバー４２内でインターポーザ５２よりも外の空間とを音響的に連通させるための通気用切欠７１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】環境性および帯電除去性に優れた波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】エタロン５は、可動基板５２と、可動基板５２に対向する固定基板５１と、可動基板５２の固定基板５１に対向する面に設けられた可動反射膜５７と、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に設けられ、可動反射膜５７とギャップを介して対向する固定反射膜５６と、可動反射膜５７の固定基板５１に対向する面と端面とを被覆するとともに、エタロン５の外周部に延びる第一引出部を有する可動保護膜５９と、固定反射膜５６の可動基板５２に対向する面と端面とを被覆するとともに、エタロン５の外周部に延びる第二引出部を有する固定保護膜５８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】支持部材の上に半導体素子を実装した半導体装置において、半導体素子の高さを小さくでき、ひいては半導体装置を低背化することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハの上に複数個の音響センサ５１を設ける。Ｓｉウエハ７４を用いて空洞７０や貫通電極６５、６６などを有する複数個のインターポーザ５２を一体に形成する。複数個の音響センサ５１の、Ｓｉウエハと反対側の面を複数個のインターポーザ５２に接合一体化する。この後、音響センサ５１とインターポーザ５２が接合一体化された状態において、音響センサ５１のＳｉウエハを研磨してＳｉウエハの厚みを薄くする。この後、接合されたままで１個１個に分割された単体の音響センサ５１及びＳｉウエハを、信号処理回路とともにパッケージ内に実装する。 （もっと読む）

【課題】センサの小型化を妨げることなくセンサのＳ／Ｎ比を向上させることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板４２にバックチャンバ４５を上下に開口する。当該基板４２の上面には、バックチャンバ４５を覆うようにして、可動電極板となる薄膜状のダイアフラム４３を形成する。基板４２の上面には、ダイアフラム４３を覆うようにしてバックプレート４８を固定し、バックプレート４８の下面に固定電極板４９を設ける。さらに、スリット４７によってダイアフラム４３を複数領域に分割し、複数に分割された各ダイアフラム４３ａ、４３ｂと固定電極板４９によって複数個の並列に接続されたキャパシタ（音響センシング部６０ａ、６０ｂ）を構成している。 （もっと読む）

【課題】可動基板をエッチングする際の深さ寸法のばらつきを抑制し、保持部の厚み寸法の精度を向上できる干渉フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の干渉フィルターの製造方法は、固定基板と、可動部５２１および保持部５２２を備えた可動基板５２と、固定反射膜と、可動反射膜５７と、を備える干渉フィルターの製造方法であって、固定基板を製造する固定基板製造工程と、可動基板５２を製造する可動基板製造工程と、固定基板と可動基板５２とを接合する基板接合工程と、を備え、前記可動基板製造工程は、第一母材５２４Ａおよび第二母材５２５Ａを、プラズマ重合膜５２６Ｃを介して接合させる母材接合工程と、プラズマ重合膜５２６Ｃをエッチングストッパーとして、第二母材５２５Ａをエッチングして、保持部５２２を形成する保持部形成工程と、を備える。 （もっと読む）