【課題】 静電駆動式の光偏向装置において、可動部を支持する支持部材の剛性を低下させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明は基部に設けられた固定電極と可動部に設けられた可動電極の間に電圧を印加することで可動部を揺動させて、可動部に設けられたミラーを揺動させる光偏向装置として具現化される。可動部は第１支持部材と第２支持部材によって支持されている。第１支持部材は絶縁体のみから構成されている。第２支持部材は導体とその周囲を覆う絶縁体から構成されている。その光偏向装置は、第２支持部材が第１支持部材に比べて長く形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】パッドから取り出す電気信号のＳ／Ｎ比を向上させることが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１００を用いて形成されたミラー形成基板（デバイス本体）１を備える。ミラー形成基板１は、第１のシリコン層１００ａに形成され電気信号を生成する可動電極（機能部）２２と、第１のシリコン層１００ａ上に形成され電気信号を取り出すためのパッド１３ａと、第１のシリコン層１００ａにおいてパッド１３ａが形成された島状の導電部１１ａｃとを有する。導電部１１ａｃと第１のシリコン層１００ａにおける導電部１１ａｃの周辺部位とを絶縁分離するように第１のシリコン層１００ａに第１の分離部１０ａａが形成され、第２のシリコン層１００ｂのうち導電部１１ａｃおよび絶縁層１００ｃとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第２のシリコン層１００ｂに第２の分離部１０ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】実装時の素子の破損を回避し、素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】マイクロミラー素子は、ミラー基板１００と、ミラー基板１００と対向して配置される電極基板２００と、ミラー基板１００に変位可能に形成された可動電極である板ばね１０３ｂと、電極基板２００上に、板ばね１０３ｂとの間に空隙を設けた状態で対向して配置された断面略Ｕ字形状の駆動用固定電極２０１ｂと、駆動用固定電極２０１ｂの壁電極部の上に形成された絶縁層２０５ｂと、絶縁層２０５ｂの上に形成されたシールド電極２０６ｂとを備える。板ばね１０３ｂは、駆動用固定電極２０１ｂの底部と壁電極部と絶縁層２０５ｂとシールド電極２０６ｂとによって囲まれる空間の中に入るように配置される。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い封止構造で密閉空隙を封止して信頼性を向上させた電気機械変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。封止部は、常温で流動性を持たない第１の封止材１６の上に、硬化された常温で流動性を持つ第２の封止材１７を重ねることで形成される。 （もっと読む）

【課題】ギャップが形成される空間の内圧の上昇を抑制し、ギャップの精度を向上させることができる波長可変干渉フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】波長可変干渉フィルターの製造方法は、第一基板１００のチップ領域１０１に、静電ギャップ形成溝１１１と、静電ギャップ形成溝１１１からチップ領域１０１の外周縁に延びる配線形成溝１１３、１１４と、これらの配線用形成溝と第一基板１００の外部とを連通する空気連通溝１２０、１３０と、を形成する第一基板溝形成工程と、前述の各種溝に固定ミラー１６、第一電極１４１、および第一配線部１４１Ａを形成する第一基板配線形成工程と、可動ミラー、第二電極、および第二配線部と、を備えた第二基板を形成する第二基板形成工程と、第一基板１００および第二基板を貼り合わせる貼合工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００の製造方法は、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う絶縁層３０，３２，３４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４をエッチングして、機能素子２０の周囲に空洞部１を形成する工程と、空洞部１を封止するように、空洞部１の上方に封止層５０，５４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４の上方に樹脂層６０を形成する工程と、基板１０の下方側から基板１０をエッチングして、空洞部１と連通する開口部３を形成する工程と、空洞部１を封止するように、気相成長法によって、開口部３の内面に被覆層８０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】引出電極間の短絡による圧電アクチュエーターの駆動不良の減少した圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。したがって、引出電極９０間の短絡によって生じる圧電アクチュエーターの駆動不良が減少した圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに低コスト化を図れ、しかも、製造工程の簡略化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜２４ｂとの格子整合性の良い第２の基板４０の一表面側に所定パターンのシード層１２４ｃを形成し、第２の基板４０の一表面側に強誘電体層１２４ｂを形成する。強誘電体層１２４ｃ上に下部電極２４ａを形成し、下部電極２４ａと第１の基板４０とを接合層５１を介して接合する。所定波長のレーザ光ＬＢを第２の基板４０の他表面側から照射し強誘電体層１２４ｂのうちシード層１２４ｃに重なる強誘電体膜２４ｂおよびシード層１２４ｃを第１の基板２０の一表面側に転写する。レーザ光ＬＢを、第２の基板４０を透過し、且つ、シード層１２４ｃにより反射され、且つ、強誘電体層１２４ｂのうちシード層１２４ｃに重ならない第２の部分２４ｂ_２に吸収される波長の光とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに製造工程の簡略化を図れ、且つ、製造歩留まりの向上による低コスト化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第２の基板４０の一表面側にシード層１２４ｃ、強誘電体層１２４ｂを順次形成する。強誘電体層１２４ｃ上に下部電極２４ａを形成し、下部電極２４ａと第１の基板４０とを接合層５１を介して接合する。その後、レーザ光ＬＢを第２の基板４０の他表面側から照射し強誘電体層１２４ｂおよびシード層１２４ｃを第１の基板２０の上記一表面側に転写する転写工程を行う。転写工程では、強誘電体層１２４ｃのうち強誘電体膜２４ｂの所定パターンに対応する部分のみを転写するように設定した光強度分布ＰＩのレーザ光ＬＢを第２の基板４０の上記他表面側から照射することにより、それぞれ強誘電体層１２４ｃの一部からなる強誘電体膜２４ｂを転写する。 （もっと読む）

【課題】密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ｓｉ基板１１上方に、酸化シリコンの絶縁膜１２、Ｔｉ層１４、その上にＰｔ層１６を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層１４、Ｐｔ層１６を堆積した基板１１をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、基板１１を不活性ガス雰囲気中で、圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した基板１１上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜１８を堆積する。さらに圧電体膜１８上にＰｔ等の上部電極２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】電界シールド基板と板ばねとの衝突を防止し、素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】ＭＥＭＳ素子は、ミラー基板１００と、ミラー基板１００と対向して配置される電極基板２００と、ミラー基板１００に接合される電界シールド基板３００ａと、ミラー基板１００に対して変位可能に形成された可動電極である板ばね１０５ａと、電極基板２００上に形成された固定電極である板ばね駆動電極２０１ａと、電界シールド基板３００ａのミラー基板１００と対向する側の面上に形成され、ミラー基板１００の開口部１０１に嵌挿されるシールド電極３０２とを備える。電界シールド基板３００ａの水平方向の大きさは、開口部１０１の水平方向の大きさよりも大きく、シールド電極３０２の厚さは、開口部１０１の深さと同じかあるいは開口部１０１の深さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を形成したときの可動部の反りをできるだけ少なくし、電極間ギャップなどの精度の向上を図ること。
【解決手段】キャビティ２１が形成された第１の基板１１ａと、第１の基板におけるキャビティが形成された面側に接合され、キャビティに対応する位置に可動部ＫＢを画定するスリット１６が形成された第２の基板１１ｃと、を備え、第２の基板における第１の基板に対向する表面には、可動部に対応する位置に選択的に熱酸化膜２２が形成された、基板１１を準備する工程と、可動部における熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第１の電極層１２ａを形成する工程と、第１の電極層および第２の基板上に犠牲層３１を形成する工程と、犠牲層上に第２の電極層を形成する工程と、第２の電極層を形成した後に、犠牲層３１および熱酸化膜２２を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】圧電素子のヒステリシス特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】上電極８０とリード電極との密着性を高めるスパッタエッチングにおいて、上電極８０の表面を、Ａｒガス流量を６０ｓｃｃｍ以上で導入しながらスパッタエッチングすることにより、Ａｒガスの導入によるＡｒガスの流れによって、Ａｒイオンの上電極８０表面での滞留時間を短くできる。したがって、イオン化したＡｒガスが表面に滞留することによる上電極８０のチャージアップを抑えることができ、チャージアップによる圧電素子３００への影響を少なくでき、圧電素子３００の圧電体層７０のヒステリシス特性のばらつきおよび変位特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基準圧室としての空洞を基板の内部に設けることにより、低コスト化かつ小型化を実現可能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】この圧力センサ１は、シリコン基板２を備えている。シリコン基板２の内部には、シリコン基板２の主面に平行な方向に平たい扁平空間４が形成されており、この扁平空間４とシリコン基板２の表面２１との間には貫通孔６が形成されている。貫通孔６にアルミニウム充填体８が充填されて埋め込まれることにより、扁平空間４は、基準圧室として密閉されている。そして、扁平空間４に対してシリコン基板２の表面２１側には、シリコン基板２におけるその表面２１と扁平空間４との間の部分（ダイヤフラム５）の歪み変形により電気抵抗が変化するピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。 （もっと読む）