【課題】
ＭＥＭＳ分野に適したＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の一主面上に配置されたＳｉＯ_２層と、前記ＳｉＯ_２層上に配置され、前記Ｓｉ基板と前記ＳｉＯ_２層との密着強度に比べ、前記ＳｉＯ_２層との密着強度が小さいと共に、前記Ｓｉ基板に比べて厚みの小さいＳｉ層と、を含むＳＯＩ基板である。これにより、ＭＥＭＳ分野に適応したときに生産性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れるＭＥＭＳ光スキャナを提供する。
【解決手段】外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、ミラー形成基板１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。外側フレーム部１０に形成された固定電極１２と可動部２０に形成された可動電極２２とで、可動部２０を駆動する駆動手段を構成している。第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側に、第１のカバー基板２を通して入射し１つのミラー面２１で反射した光を当該ミラー面２１側へ反射する複数の固定ミラー６が並設されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、シリコン基板を良好な寸法精度で加工することのできるシリコン基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるシリコン基板の加工方法は、シリコン基板１０の主面をスパッタリングする表面処理工程と、シリコン基板１０の主面にマスク層２０を形成するマスク層形成工程と、マスク層２０をパターニングしてマスクパターン２２を形成するパターニング工程と、マスクパターン２２の形状に従ってシリコン基板１０をウエットエッチングするエッチング工程と、を含み、マスク層２０は、クロムを含有し、表面処理工程およびマスク層形成工程は、同一のチャンバーＣ内で行われる。 （もっと読む）

本発明は、蛍光アッセイに適したシリコン微小担体並びにかかる微小担体の製造方法を開示している。本方法は、単結晶シリコンの下層、絶縁層及び単結晶シリコンの上層を含むＳＯＩウェーハを提供する工程、微小粒子を描画する工程、絶縁層をエッチング除去する工程、次に最終的に微小粒子をリフトオフする前に微小粒子を保持し続けるウェーハ上に酸化物層を堆積させる工程を含む。
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【課題】ＭＥＭＳセンサーなどの物理量センサー、および、物理量センサーを比較的容易に製造できる物理量センサーの製造方法、および、物理量センサーを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量型加速度センサー１００は、固定部としての固定枠部１１０と、可動錘部１２０と、固定電極を有する固定電極部（固定腕部）１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動電極を有する少なくとも一つの可動電極部（可動腕部）１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有し、固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）は、第１積層構造体ＡＩＳの側面に形成された、固定電極としての第１側面導体膜ＣＱ１（ＣＱ１ａ，ＣＱ１ｂ）および第１接続電極部Ｌ４（Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ）と、を有し、可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）は、第２積層構造体層構造体ＢＩＳの側面に形成された、可動電極としての第２側面導体膜ＣＱ２（ＣＱ２ａ，ＣＱ２ｂ）および第２接続電極部Ｌ５（Ｌ５ａ，Ｌ５ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体デバイスの基板材料によらず強誘電体膜の結晶性および性能の向上が可能な強誘電体デバイス（発電デバイスまたは焦電デバイス）の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電層（強誘電体膜）２４ｂを素子形成基板（第１の基板）２０ａに比べて当該圧電層２４ｂとの格子整合性の良い圧電層形成用基板（第２の基板）４０の一表面側に形成し、その後、圧電層２４ｂ上に下部電極２４ａを形成し、続いて、圧電層形成基板４０の上記一表面側の下部電極２４ａと素子形成基板２０とを接合層５１を介して接合してから圧電層形成基板４０を除去することで下部電極２４ａおよび圧電層２４ｂを素子形成基板２０ａに転写する。その後、素子形成基板２０ａの上記一表面側に上部電極２４ｃを形成することで発電部２４を形成してから、素子形成基板２０ａを加工してフレーム部２１、カンチレバー部２２および錘部２３を有するカンチレバー形成基板２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストな方法で、基板表面に選択的に撥水性を有する微細流路を形成する手段を提供する。
【解決手段】基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】迷光の発生を防止することができる光偏向器、光偏向器の製造方法および画像表示装置を提供する。
【解決手段】可動板１１と、一端が可動板１１と連結され、回転軸Ｘの周りに可動板１１を回動可能に支持する弾性支持部１２と、弾性支持部１２の他端と連結された支持部材１３とを備え、弾性支持部１２、支持部材１３は、上面、下面、及び側面を有し、側面は、上面又は下面よりも外側に存在する１つ又は複数の斜面によって形成され、弾性支持部１２、支持部材１３の上面、下面、及び側面に、光吸収膜３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く変位量の大きいアクチュエータ素子を低コストで提供する。
【解決手段】シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物により形成される変位部と、前記変位部の一部または全部に電界を印加するために設けられた複数の電極と、を有し、前記電極間に電圧を印加することにより、前記変位部が変形することを特徴とするアクチュエータ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて圧電定数ｅ_３１を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて、比誘電率を小さくできるとともに、より圧電定数ｅ_３１を大きくすることが可能な発電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板２０ａを用いて形成した振動子形成基板２０と、振動子形成基板２０の撓み部２２に形成され下部電極２４ａ、圧電層２４ｂ、上部電極２４ｃを有する発電部２４とを備え、圧電層２４ｂを、ＰＺＴとリラクサーペロブスカイトとからなる多成分ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜（ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜）により構成してある。製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳデバイスは、基板１上に設けられる第１の下部電極１２と、第１の下部電極１２上に設けられ、第１の厚さｔ１を有する第１の絶縁体２０と、第１の下部電極１２上方にアンカーによって中空に支持される可動な第１の上部電極１６とを有するＭＥＭＳ素子１０と、基板１上に設けられる第２の下部電極５２と、第２の下部電極５２上に設けられ、第２の厚さｔ２を有する第２の絶縁体２５と、第２の絶縁体２５上に設けられる第２の上部電極５４とを有する容量素子５０と、を具備し、第２の厚さｔ２は、第１の厚さｔ１よりも薄いことを備える。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ部に張力を与えることによってブリッジ部をたわむことなく形成し、動作の安定したＭＥＭＳデバイスを得ること。
【解決手段】基板１１上にブリッジ部を有するＭＥＭＳデバイス１の製造方法において、ブリッジ部１６の材料として、その熱膨張率αｍが基板１１の熱膨張率αｋよりも大きい材料を用い、基板１１上にブリッジ部１６の形成を、当該ＭＥＭＳデバイス１を構成する構造体の耐熱温度よりも低くかつ当該ＭＥＭＳデバイス１の使用温度よりも高い温度で行う。 （もっと読む）

【課題】基板に開口を有する高周波デバイスを精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極下部１４Ｄ、開口１６および突起１７を設ける。基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。基板１１には、開口１６および突起１７を同時に形成したのち、基板１１を貫通すると共に貫通電極上部１４Ａと接する貫通電極下部１４Ｄを形成する。開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】小型化および低背化が可能であり、ウェハレベルパッケージ構造とすること。
【解決手段】基板１１と、基板の上方に設けられた固定コンタクト電極１３と、固定コンタクト電極１３に対向して設けられた可動コンタクト電極１２と、基板上においてそれらを囲むように設けられた壁部１７と、壁部１７に固定されて設けられ、可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３を含む空間を封止するための膜部材２０と、基板上において壁部１７の内側に設けられ、膜部材２０を空間の内側から支持するために可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３とは別に設けられた支持部１８とを含む。 （もっと読む）

赤外線放射マイクロデバイス、このようなデバイス用の被覆材、及びその製造方法であって、該デバイスが、基板及び被覆材及び赤外線放射線検出、放射または反射赤外線マイクロユニットを有し、赤外線マイクロユニットが、基板と被覆材との間に画定されたキャビティ内に配置され、被覆材が、赤外線放射線の透過率を高める反射防止表面テクスチャを有し、付加的なプロセスにおいて、被覆材の基板側及び／または基板の被覆材側上に形成された分離フレームが、基板と被覆材との間に配置される。
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【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】中空のドーム構造内に可動素子が形成されたＭＥＭＳデバイスに、外部からの横揺れや衝撃が加えられた場合でも内部に配置された可動素子の破損を防止することができるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１０上にアンカー２２を介して形成され、第１の方向に伸長した振動子２１を有するＭＥＭＳ可動素子２０と、ＭＥＭＳ可動素子２０を覆うように基板１０上に設けられる、中空の薄膜ドーム構造の第２の絶縁膜４０と、基板１０上に設けられ、第２の絶縁膜４０の内側であって、ＭＥＭＳ可動素子２０の外側に設けられ、一部が振動子２１のON時の基板１０からの高さ位置とOFF時の基板１０からの高さ位置との間の高さ位置にある絶縁膜からなる立脚部３１と、備える。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有する誘電体構造体、及び、その誘電体構造の製造方法、圧着転写方法、保持構造を提供すること。
【解決手段】非耐熱性基板６０上に下部電極６１ｂを形成する工程と、耐熱性基板６６上に上部電極６４ｂを形成する工程と、上部電極６４ｂ上に誘電体６３ｂを形成する工程と、誘電体６３ｂと、下部電極６１ｂとを、導電性接着部６２ｂを介して、向き合わせて圧着する工程と、誘電体６３ｂと、下部電極６１ｂとを、導電性接着部６２ｂを介して、向き合わせて圧着した後、上部電極６４ｂを耐熱性基板６６から剥離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）