【課題】プロセス数を増大させることなく、応力を緩和できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に埋め込み酸化層と半導体層がこの順で積層される半導体基板１０を加工して作製され、前記一方の面側で他の基板に接合される半導体装置であって、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成される半導体素子２０と、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成され、前記半導体素子に接続される配線部と、前記配線部の端部に連続する前記半導体層によって構成され、当該半導体層の下側の埋め込み酸化層が除去されて前記半導体基板との間に空隙が形成されるパッド部４０と、前記パッド部と前記他の基板を接合する接合部とを含む。 （もっと読む）

【課題】テーパ縁を実現するために、ＭＥＭＳデバイス内に層を形成するための方法が提供される。
【解決手段】特定のＭＥＭＳデバイスは、テーパ縁を有するようにパターン形成された層を含む。テーパ縁を有する層を形成するための１つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、複数の反復エッチングを使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、リフトオフマスクの上に層が堆積され、そのマスク層が除去された後、テーパ縁を有する構造が残されるように、負の角度を含む開口を有するリフトオフマスクを使用することを含む。 （もっと読む）

【課題】部品を合わせて封止するための冷間圧接法、ジョイント構造、及び気密封止された封じ込め装置を提供する。
【解決手段】第１の金属を含む第１の接合面１８を含む少なくとも１つの第１のジョイント構造１６を有する第１の基材１２を提供すること、第２の金属を含む第２の接合面２２を含む少なくとも１つの第２のジョイント構造を有する第２の基材１４を提供すること、及び前記接合面を、一以上の界面で、前記接合面の前記第１の金属と前記第２の金属の間に金属−金属結合を形成するのに有効な量だけ、局所的に変形させ、剪断するために、前記少なくとも１つの第１のジョイント構造と前記少なくとも１つの第２のジョイント構造とを合わせて圧縮することを含む。接合面のオーバラップ部分は、表面汚染物を置換し、接合面間の密接を入熱なしに促進するのに有効である。気密封止された装置は、薬物製剤、バイオセンサ又はＭＥＭＳ装置を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素を用いたＭＥＭＳの一層の小型化を実現する。
【解決手段】半導体素子１は、半絶縁性の支持基板１１と、支持基板１１の表面における一部の領域に形成されたドープ層１２と、支持基板１１の表面を覆うとともにドープ層１２の一部が露呈されるようにドープ層１２を覆うグラフィン層１３と、グラフィン層１３の支持基板１１が配置される表面の反対の表面に形成された電極層２１，２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板２０の上に下地膜２１を形成する工程と、下地膜２１の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体２５ｂを形成する工程と、封止体２５ｂを加熱することにより、該封止体２５ｂをキュアする工程と、基板１に形成されたスイッチ素子１９に封止体２５ｂを貼付することにより、封止体２５ｂでスイッチ素子１９を封止する工程と、封止の後、下地膜２１を境にして封止体２５ｂから基板１を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３２、および支持部３２に支持されており第１電極２０の上方に配置された梁部３４を有する第２電極３０と、を含み、平面視において、梁部３４は、前記第１電極２０と重なる領域で支持部３２から梁部３４の先端３４ａに向かう方向において、幅Ｗが単調減少する形状である。 （もっと読む）

【課題】微細機械的装置の光学的性質の操作により入射光を変調させ、優れた融通性をもたらすカラー方式を実現するため干渉変調装置及び干渉変調器のアレーを制御する方法を提供すること。
【解決手段】複数の干渉変調器を有し、該複数の干渉変調器が、着色光を射出するようになった少なくとも一つの干渉変調器と、白色光を射出するようになった少なくとも一つの干渉変調器とを有する干渉変調装置である。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の包囲壁２６及び第１封止層３３に覆われた空洞部３６内に位置する可動部７ｂと、可動部７ｂと対向する場所に位置する第１封止層３３と、を備え、可動部７ｂは基板２と第１封止層３３との間に位置し、可動部７ｂと第１封止層３３とは少なくとも一部が導電体である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の空洞部３３内に位置し電気駆動される振動素子５と、空洞部３３の周囲を取り巻く絶縁層２９と空洞部３３とを画成する電気伝導性の包囲壁２５と、振動素子５と接続し包囲壁２５を貫通する第１配線８及び第２配線９と、を有し、第１配線８及び第２配線９が包囲壁２５を貫通する場所には絶縁層２９を溶解するエッチング液が空洞部３３から絶縁層２９に流動することを防止し包囲壁２５と第１配線８及び第２配線９とを絶縁する第１耐食絶縁膜１９及び第２耐食絶縁膜２０を備える。 （もっと読む）

【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】デバイス上の少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面の間のギャップをチューニングする方法を提供する。
【解決手段】デバイスの上部層における少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの輪郭をエッチングし、該輪郭が、少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面を規定しており、エピタキシャルリアクタにおいて複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面にギャップ狭め層を堆積させ、複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面の間のギャップが、ギャップ狭め層によって狭められるようになっている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、ＭＥＭＳ構造体２０が配置された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１を上方から覆い、空洞部１に連通する貫通孔３７を有する第１被覆層３６と、第１被覆層３６の上方に形成され、貫通孔３７を閉鎖する第２被覆層３８と、を有し、第１被覆層３６は、少なくともＭＥＭＳ構造体２０の上方に位置する第１領域１３６と、第１領域１３６の周囲に位置する第２領域２３６と、を有し、第１領域１３６の第１被覆層３６は、第２領域２３６の第１被覆層３６より薄く、第１領域１３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ１は、第２領域２３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ２より長い。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】ＩＭＯＤの非アクティブ領域は、光吸収性であるよう作られることが必要であり、一方所望の光学的応答を向上させるためにＩＭＯＤの或る特定の非アクティブ領域からの反射周辺光の影響を減少させて、光デバイスを覆い隠し又は光デバイス中に光吸収性非アクティブ領域を作ること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、膜スタックを包含して光を吸収するように形成された静的光コンポーネントと、前記基板の上の動的光コンポーネントとを有することを特徴とする光デバイス及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）