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Fターム[3C081CA28]の内容

マイクロマシン (28,028) | プロセス (6,263) | 加工方法、手段 (4,742) | 付加加工 (2,027) | 成膜 (1,166) | PVD (329) | スパッタリング (222)

Fターム[3C081CA28]に分類される特許

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【課題】基板上の空洞部内に機能素子を配置した電子装置において、基板のダイシング工程による帯電の影響を低減することのできる構造及び製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子装置10は、基板11と、該基板上に配置された機能素子10Xと、前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部10Cを包囲し画成する素子周囲構造10Pとを備えた電子機器において、前記素子周囲構造の少なくとも一部が導電体17、19で構成され、該導電体を電気的に接続するための配線構造17、19が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】可動子の大変位が可能なムービングマグネット型の電磁駆動型アクチュエータの提供。
【解決手段】固定部2と、可動子1と、可動子1を固定部2に連結して支持する1又は複数の可撓性の支持部3と、可動子1に形成された永久磁石4と、永久磁石4の周囲に磁界を発生させるコイル5とを備え、コイル5が発生させた磁界により可動子1を変位させる電磁駆動型アクチュエータ。可動子1及び支持部3は、シリコン窒化膜により一体形成されており、永久磁石4は、RE2 Fe14BとMとを交互に堆積させた多層膜構造を有する膜状の永久磁石である。但し、REは希土類金属元素の何れか1つ、MはTa,Ti,Nb,Zr及びMoの内の少なくとも1つ。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な低コストの方法で、抵抗値を充分に低くでき、貫通穴に充填される金属の熱応力による基板などの破壊が発生しない貫通電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第1の基板に形成された貫通穴の一端を塞ぐように第2の基板が接合され、前記貫通穴に金属層を設けることにより貫通電極が形成される半導体装置において、前記貫通電極は、前記貫通穴の底面および内壁の表面に形成される第1の金属層と、この第1の金属層の上面に前記貫通穴を充填するように形成される第1の金属層よりも融点の低い第2の金属層、で構成されたことを特徴とするもの。 (もっと読む)


【課題】プラズモニック材料またはメタマテリアルとしての機能を発現する微小構造体と、これを基板上に担持した光制御素子、及びそれらの簡易で安価な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に,硫黄化合物および酸化ケイ素(SiO2)を含む混合材料からなる薄膜層を形成し(工程1a),薄膜層上にレーザ光を照射して微細孔を形成すると共に,該微細孔を囲う外壁を構成する領域を変質させ(1b),微細孔内に,Au、Ag,Cu,Al,Ti,Cr,Si,Geもしくは前記金属の合金から選ばれる1種の材料を充填し(1c),選択的なエッチング処理により微細孔を囲う外壁を残し,凸状構造体に形成(1d)して、ナノメートル乃至マイクロメートルサイズの微小構造体及び光制御素子を作製する。 (もっと読む)


【課題】隣り合う素子における揺動部について近接配置するのに適した二軸型のマイクロ揺動素子、並びに、そのようなマイクロ揺動素子を備えるマイクロ揺動素子アレイおよび光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子X1は、揺動部10と、フレーム20と、揺動部およびフレーム20を連結して揺動部10の揺動動作の軸心A1を規定する一対の連結部40と、支持基部30Aおよびこれから揺動部10の側に延出するアーム部30Bを有するフレーム30と、フレーム20,30を連結してフレーム20の揺動動作の軸心A2を規定する一対の連結部50A,50Bとを備える。連結部50Aは、揺動部10および支持基部30Aの間においてフレーム20とアーム部30Bとに接続し、連結部50Bは、揺動部10および支持基部30Aの間においてフレーム20と支持基部30Aまたはアーム部30Bとに接続している。 (もっと読む)


【課題】基体上に形成され密閉空間内に封止された封止対象物を有するデバイスを製造する際に、犠牲層除去のための開口の配置の自由度を高める。
【解決手段】基体11上に形成され密閉空間内に封止された封止対象物を有するデバイスを製造する。基体11上に形成された封止対象物を覆うように第1の犠牲層102を形成する。第1の犠牲層102上に、複数の第1の開口51aを有する第1の板状部51を形成する。第1の板状部51を覆うように第2の犠牲層103形成する。第2の犠牲層103上に、複数の第1の開口51aからずれた位置に複数の第2の開口52aを有する第2の板状部52を形成する。第1及び第2の開口51a,52aを通じて第1の犠牲層102を除去するとともに、第2の開口52aを通じて第2の犠牲層103を除去する。その後、複数の第2の開口52aを封止する。 (もっと読む)


【課題】異物の侵入などによって弁体部に開閉不良が生じた場合、確実にこれを検出することが可能なマイクロバルブを提供する。
【解決手段】ダイアフラム12は、開閉検出手段26を構成する第1の電極(可動電極)を兼ねている。また、第2の基板20の溝部22において、ダイアフラム12と対面する位置に、開閉検出手段26を構成する第2の電極(固定電極)28が形成される。 (もっと読む)


【課題】ベース基板の素子上に密封キャップが配置されてなる半導体装置およびその製造方法であって、小型で安価に製造することができ、フェースダウンボンディングも可能で実装面での制約が少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁分離された複数個のベース半導体領域Bsが表層部に形成されてなるベース基板B1と、ベース基板B1に貼り合わされる導電性を有したキャップ基板C1であって、当該キャップ基板C1を貫通する絶縁分離トレンチ31により、複数個のキャップ導電領域Ceが形成されてなるキャップ基板とを有してなり、ベース基板B1における所定領域R1とキャップ基板C1における凹部32とで構成される空間23,32が密封されると共に、所定のキャップ導電領域Ce1,Ce2が、所定のベース半導体領域Bs1,Bs2に電気的に接続されてなる半導体装置100とする。 (もっと読む)


【課題】支持基板の小型化が可能な圧電薄膜デバイス、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】矩形板状の単結晶基板からなる支持基板1と、支持基板1の一表面側に形成された可動部10とを備え、可動部10が、支持基板1の一表面側に立設され、支持基板1の厚み方向に直交する規定方向において離間した一対の短冊状の電極12,12と、支持基板1の一表面側に形成した圧電薄膜を用いて形成され、規定方向において一対の電極12,12間に介在する短冊状の圧電層11とを有する。また、可動部10は、一対の電極12,12および圧電層11を覆う形で支持基板1の厚み方向に板状の変位量増大部14が立設されている。一対の電極12,12間に電圧を印加していない状態で、発光デバイス(例えば、半導体レーザなど)からの光を阻止し、一対の電極12,12間に電圧を印加した状態で光を通過させることができる光スイッチを構成できる。 (もっと読む)


【課題】容量型機械電気変換素子において、電極間に設けられる犠牲層のエッチング速度を比較的高速且つ安定にできて、素子の生産性を向上する。
【解決手段】容量型機械電気変換素子の製造方法において、基板4に第1の電極8を形成し、第1の電極8上に、第1の電極へ通じる開口部6が設けられた絶縁層9を形成し、絶縁層上に犠牲層を形成する。犠牲層上に、第2の電極1を備える振動膜3を形成し、振動膜に開口をエッチング液の入口として設ける。犠牲層をエッチングしてキャビティ10を形成し、エッチング液の入口としての開口を封止する。開口部6と犠牲層と振動膜の開口を介して、第1の電極8と外部に設けた対向電極との間で通電する電解エッチングを行なってエッチングを実行する。 (もっと読む)


【課題】材料の応力による反りを抑制し、電気特性のばらつきを小さくすることが可能なMEMSスイッチを提供する。
【解決手段】スイッチは、一端又は両端が基板に固定された板状の弾性体と、弾性体の上面に形成される下部電極と、下部電極の上面に形成される圧電体と、圧電体の上面に形成される上部電極とを有する駆動部8a,8bと、駆動部の一部に形成された接点8cと、少なくとも一端が基板に固定され且つ接点上に延伸している信号線3bと、駆動部8a,8bを支持するように基板に接合され且つ絶縁体で構成された係止部9とを有する。駆動部8a,8bが接点8cを介して信号線3bと接することができるようになっており、係止部9が信号線3bと反対の側から駆動部8a,8bを支持するようになって。例えば穴、切り欠き部などにおいて、係止部9が駆動部8a,8bを支持するような構成となれば、材料の応力による反りを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】基板とキャップとの対向方向の物理量を検出するために必要な配線の接続を表面側で達成することができながら、製造工程の簡素化を図ることができる、MEMSセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板2上には、壁部6および分離部7により、第2絶縁層9を介して、ドープトポリシリコンからなる平板状のキャップ12がシリコン基板2に対向した状態で支持されている。シリコン基板2とキャップ12との間には、ドープトポリシリコンからなるZ可動電極5が設けられている。Z可動電極5は、その表面を壁部6および分離部7の表面よりもシリコン基板2側に下がった位置に有し、シリコン基板2およびキャップ12から離間し、シリコン基板2およびキャップ12の対向方向に変位可能である。これにより、キャップ12およびZ可動電極5は、それらの間隔の変化により静電容量が変化するコンデンサを構成する。 (もっと読む)


【課題】製造に要する時間の短縮を図ることができる、MEMSセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板2の表面2a上に、平面視四角環状の壁部6が設けられている。壁部6上には、平面視四角環状の第2絶縁層9が設けられており、この第2絶縁層9を介して、平面視四角形状のキャップ10の周縁部が支持されている。シリコン基板2の表面2a上には、第1絶縁層8、壁部6、第2絶縁層9およびキャップ10により、X/Y可動部3、X/Y固定部4、Z可動部5および分離部7を収容する中空部分20が形成されている。そして、キャップ10は、ポリシリコンからなり、シリコン基板2上にドープトポリシリコン層を形成し、ドープトポリシリコン層に分離溝12,14を形成して、ドープトポリシリコン層を分割することにより形成される。 (もっと読む)


【課題】ピエゾ抵抗部とそのコンタクトホールとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層に複数のコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールが形成された前記絶縁層の表面に通孔を有する保護膜を形成し、前記通孔から露出している前記絶縁層を貫通させて前記半導体層に不純物を注入することにより複数の前記コンタクトホールの間にピエゾ抵抗部を形成する、ことを含むMEMS製造方法。 (もっと読む)


【課題】圧電膜が製造プロセス中の損傷および/または汚染から十分に保護されうる、MEMS素子用圧電膜構造を製造するための方法および装置を提供すること
【解決手段】例示的実施形態によれば、第1の面、前記第1の面と反対側の第2の面、および前記第1の面と前記第2の面との間に形成された空隙とを備える基板と、前記基板の前記第1の面に形成された第1の圧電薄膜構造と、前記基板の前記第2の面に形成された第2の圧電薄膜構造とを有するMEMS素子が提供される。 (もっと読む)


【課題】コンタクト電極対間におけるエアギャップ形成を制御しやすく且つ接触抵抗を低減するのに適したスイッチング素子製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、当接可能なコンタクト電極対を有するスイッチング素子を製造するためのものであり、基板101上のコンタクト電極13を覆う犠牲層107を形成する工程、犠牲層107をパターニングして、コンタクト電極13を部分的に露出させる開口部を形成する工程、当該工程にて露出した箇所上および犠牲層107上にわたって、少なくとも2層108a,108bからなるシード層108を形成する工程、犠牲層107を介してコンタクト電極13に対向し且つ開口部を充たす突起部14aを含む部位を有するコンタクト電極14を形成する工程、犠牲層107を除去する工程、及び、少なくとも、突起部14aにおけるシード層108の最下端層108aを除去する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】ピエゾ抵抗部の上に圧電層を備えるMEMSの電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体層に不純物を注入することにより前記半導体層にピエゾ抵抗部を形成し、前記半導体層の表面に結合している絶縁層の表面の平坦な領域に下層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層の表面の平坦な領域に圧電層を形成し、前記圧電層の表面に上層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層と前記圧電層と前記上層電極となる導電層とをエッチングすることにより圧電素子を形成する、ことを含むMEMS製造方法。
(もっと読む)


【課題】容易に周波数を調整することができるMEMS振動子を得る。
【解決手段】固定電極24に対してビーム部30を挟んで反対側には、放電電極36が設けられている。例えば、MEMS振動子16の周波数を振動素子28の質量を増やすことで調整する場合は、振動素子28を正電極にし、放電電極36を負電極にして、アーク放電が起きるまで直流電圧を印加する。振動素子28と放電電極36との間にアーク放電が起きると、不活性ガスがイオン化して正イオンになる。この正イオンが負電極とされた放電電極36に衝突し、放電電極36の材料をスパッタするか、又は放電電極36の材料を蒸発させる。そして、放電電極36から放出された物質の一部は振動素子28に付着する。このように、放出された物質の一部を振動素子28に付着させることで、振動素子28の質量を増やし、MEMS振動子16の共振周波数を低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】 マイクロマシンの振動を抑えることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 マイクロマシン装置1は、その主面上に信号線15が設けられた基板11と、前記基板11の前記主面上に前記信号線15を跨いで設けられ、前記信号線15を中心として一方側と他方側との構造が非対称な両持の梁形状部分16aが、電界の作用により梁形状部分16aが前記信号線に対して接離する方向に弾性変形可能に保持されるマイクロマシン16と、前記基板11の主面上に設けられ、中空部17を介して前記マイクロマシンを覆う封止体21と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マイクロマシンの振動を収まりやすくすることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置を提供する。
【解決手段】マイクロマシン装置1は、主面上に信号線が設けられた基板11と、前記基板11の前記主面上に前記信号線15を跨いで設けられ、梁形状部分を構成し、前記信号線15側の寸法が前記信号線15と反対側の寸法よりも大きい開口16bが形成され、電界の作用により前記梁形状部分が前記信号線15に対して接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシン16と、前記基板11の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体21,22と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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