データ記憶装置のデータ変換器に使用するための三次元（３Ｄ）微細構造コイルを含むがこれに限定されない、多次元微細構造を形成するための方法を提供する。いくつかの実施例に従って、本方法は概して、第１の誘電材料に埋込まれた第１の導電性経路を有するベース領域を設けるステップと、各々が、埋込まれた第１の導電性経路に接触する第１のシード層で部分的に充填された複数のビア領域を、第１の誘電材料にエッチングするステップと、複数のビア領域の各々に導電性支柱を形成するように第１のシード層を使用するステップとを含み、各導電性支柱は、ベース領域の上方の第１の距離まで延在する実質的に垂直の側壁を有する。
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【課題】研削加工によるだれの発生及び耐久性の低下を抑制することができる微小構造体、ドナー基板、及び微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微小構造体１０は、第１の硬度を有する第１の導電膜からなるＮｉ膜パターン２Ａ〜２Ｅと、第１の硬度よりも低い第２の硬度を有する第２の導電膜からなるＡｕ薄膜パターン６ａとを交互に積層してなるとともに、第２の硬度よりも低くない第３の導電膜からなるＮｉ薄膜パターン４ａをＡｕ薄膜パターン６ａの外側に配置してなる。 （もっと読む）

【課題】小型化および低背化が可能であり、ウェハレベルパッケージ構造とすること。
【解決手段】基板１１と、基板の上方に設けられた固定コンタクト電極１３と、固定コンタクト電極１３に対向して設けられた可動コンタクト電極１２と、基板上においてそれらを囲むように設けられた壁部１７と、壁部１７に固定されて設けられ、可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３を含む空間を封止するための膜部材２０と、基板上において壁部１７の内側に設けられ、膜部材２０を空間の内側から支持するために可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３とは別に設けられた支持部１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に開口を有する高周波デバイスを精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極下部１４Ｄ、開口１６および突起１７を設ける。基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。基板１１には、開口１６および突起１７を同時に形成したのち、基板１１を貫通すると共に貫通電極上部１４Ａと接する貫通電極下部１４Ｄを形成する。開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細機械加工可能な基体材料よりも良好な減摩特性の材料で減摩特性が必要な部分を被覆した複合マイクロ機械要素と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】複合マイクロ機械要素４１を製造する方法であって、ａ）ＳＯＩ基板を準備するステップを備え、ｂ）ＳＯＩ基板の中間層２２まで貫通するように少なくとも１つのパターンをエッチングして、基板に少なくとも１つの空所を形成するステップを備え、ｃ）外周部に、減摩の性質を有する二酸化ケイ素をコーティングし、さらにそれをエッチングして、減摩特性が必要な部分である垂直壁５２を形成するステップを備え、ｄ）電鋳で前記空所を含む領域に段差を有する第２のレベル４５を形成するステップとを備える。 （もっと読む）

赤外線放射マイクロデバイス、このようなデバイス用の被覆材、及びその製造方法であって、該デバイスが、基板及び被覆材及び赤外線放射線検出、放射または反射赤外線マイクロユニットを有し、赤外線マイクロユニットが、基板と被覆材との間に画定されたキャビティ内に配置され、被覆材が、赤外線放射線の透過率を高める反射防止表面テクスチャを有し、付加的なプロセスにおいて、被覆材の基板側及び／または基板の被覆材側上に形成された分離フレームが、基板と被覆材との間に配置される。
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本発明は、複数の金属微小構造体を製造する方法であって、
ａ）導電基板、または導電シード層で被覆された絶縁基板を用意する工程と、
ｂ）基板表面の導電部分の上に感光性樹脂の層を塗布する工程と、
ｃ）感光性樹脂層の表面を平坦化して、望みの厚さおよび／または表面状態にする工程と、
ｄ）望みの微小構造体の外形に合ったマスクを通して樹脂層にＵＶ照射する工程と、
ｅ）感光性樹脂層の重合されていない領域を溶解して、基板の導電面が所々見えるようにする工程と、
ｆ）上記導電層の上に少なくとも１層の金属層をガルバニック堆積して、ほぼ感光性樹脂の上面の高さまで達するユニットを形成する工程と、
ｇ）樹脂と電鋳ユニットが同じ高さになるように樹脂および電鋳金属を平坦化し、それにより電鋳部品または微小構造体を形成する工程と、
ｈ）樹脂層および電気めっき部品を基板から分離する工程と、
ｉ）工程ｇ）の最後に出来上がった構造から感光性樹脂の層を除去して、上記のようにして形成された微小構造体を取り出す工程と
を含むことを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 従来の欠陥及び制限を克服する、垂直型集積ＭＥＭＳスイッチ、設計構造体、及びそのような垂直型スイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳスイッチを製造する方法は、ウェハ内に少なくとも２つの垂直方向に延びるビアを形成することと、少なくとも２つの垂直方向に延びるビアを金属で充填して少なくとも２つの垂直方向に延びるワイヤを形成することとを含む。この方法は、垂直方向に延びるワイヤの少なくとも１つがボイド内で移動可能であるように、下部側からウェハ内にボイドを開口することをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程において損傷を受けにくい金属構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に第１金属薄膜４が形成される。第１金属薄膜４の一部の上に第１ポジレジストパターン５が形成される。第１ポジレジストパターン５の上に空隙７が設けられ、かつ空隙７から離れた位置に開口部が設けられるように、ネガレジストパターン６が形成される。ネガレジストパターン６の開口部を充填するように第１金属薄膜４の上にめっきを行なうことによって第１めっき膜８が形成される。ネガレジストパターン６および第１めっき膜８を覆う第２金属薄膜９が形成される。第２金属薄膜９の上に、開口部を有する第２ポジレジストパターン１０が形成される。第２ポジレジストパターン１０の開口部を充填するように第２金属薄膜９の上にめっきを行なうことによって、第２めっき膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】磁束を導いてＭＥＭＳデバイスを通過させるための磁極片の使用を提供すること。
【解決手段】磁性材料で充填された１つまたは複数の凹部（１２２、１３０）をそれぞれが有する、２つの対向する基板層（１２８、１２４）が、閉ループ動作をもたらすために、磁束の流れを導いてＭＥＭＳデバイス層（６０）内のコイル（４４）を通過させる。磁束は、１つの磁極片からコイルを通過して第２の磁極片へ流れる。また、リソグラフィ・エッチング技術を用いた製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】密封状態とすることによって電気部品の信頼性を確保するとともに、密封状態となる完成前に検査を行うことを可能とすること。
【解決手段】肉薄部２１と、肉薄部を画定する肉厚部２２と、を含む固定部１２０と、肉薄部に形成されたスリット１４１により画定される可動部１１０と、肉厚部上に設けられる配線電極１３２ｂと、肉薄部上に設けられる接点電極１３２ａと、可動部の上方に延在する第１駆動電極１３１と、を含む金属電極と、肉厚部上に設けられ、可動部および金属電極を包囲する側壁２３と、側壁上に固定され、可動部および金属電極を封止する平板部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機樹脂からなる犠牲層を用いて構造体を形成する場合に発生する残渣を、より容易に除去できるようにする。
【解決手段】犠牲層１０５を除去した後、下部電極１４１および上部電極構造体１７１が形成されている基板１０１を、フッ化水素ガス中に所定の時間配置する。例えば、密閉可能な所定の容器内に基板１０１を配置し、この容器にフッ化水素ガスを導入すれば、基板１０１の上に形成された下部電極１４１および上部電極構造体１７１などに付着している残渣１１１を、フッ化水素ガスに晒すことができる。これにより、フッ化水素を残渣１１１に作用させ、残渣１１１をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】電鋳用の型および電鋳用の型を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、型（３９、３９’）を製造する方法（３）であって、
ａ）ケイ素ベース材料から作製されたウェーハ（２１）の上部（２０）および下部（２２）の上に導電性層を堆積するステップ（９）と、ｂ）接着層を使用して基板（２３）に前記ウェーハを固着するステップ（１３）と、ｃ）前記ウェーハ（２１）の上部から前記導電性層の一部（２６）を除去するステップ（１５）と、ｄ）前記型中に少なくとも１つの空洞部（２５）を形成するために、上部導電性層（２０）から除去された前記部分の形状（２６）で、前記ウェーハの下部導電性層（２２）に達するまで前記ウェーハをエッチングするステップ（１７）とを含む方法（３）に関する。本発明は、微小機械部品、とりわけ計時器のムーブメント用の微小機械部品の分野に関する。 （もっと読む）

【課題】転写加工成型において、好適に、針状体材料を転写版から剥離することの出来る針状体製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の針状体製造方法は、側壁に傾斜を有する台座部に微細凹部が形成された転写版を用いることから、針状体材料の硬化収縮にあたり、針状体材料の収縮に伴う応力が、転写版と充填された針状体材料とを剥離する方向に働く。このため、転写版と針状体材料を剥離する工程にあたり、好適に転写版と針状体材料とを剥離することが出来る。 （もっと読む）

【課題】サイズを小さくしかつ切換速度を速くしたマイクロメカニカル素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロメカニカル素子５は、２つの接触電極３a、３bを橋絡する可動電極である切替素子６と、この切替素子６を接触電極３a、３bに対して静電力により垂直方向に移動し、接触電極３a、３bに接触した状態と離れた状態の２つの安定した状態に保持するための切換電極２a、２bとを有し、切換電極２a、２bは接触電極３a、３bの間とその上方に配されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上とリードタイム及びコストの低減が可能なＭＥＭＳ接続ピンの製造方法、並びにＭＥＭＳ接続ピン構造を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）接続ピン５１は、導電層１２及び基板上１１に形成される犠牲層２３上に作られる。該ＭＥＭＳ接続ピンは、該導電層に直接接触しているフレーム３８に付着されたピンベース５８を有する。そして、該犠牲層は、少なくとも部分的に除去されて、該ＭＥＭＳ接続ピンが該基板から分離される。一実施形態において、該ＭＥＭＳ接続ピンは、ピンベースと、該ピンベースの２つの異なる面から伸びる２つのスプリングと、各スプリングに付着された先端部とを有する。該先端部は、導電性の対象物と接触する１つ以上のコンタクト先端部４５を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】可動部の運動範囲を規制するストッパ基板部と可動部との空隙の幅を精度よく調整することができなかった。
【解決手段】支持部と、前記支持部に支持され前記支持部に対して運動する可動部と、を有する構造体と、前記構造体の前記支持部の底面が接合される平坦な接合面と、前記可動部と対向する領域において底部が前記接合面より後退している凹部と、を有するストッパ基板部と、前記ストッパ基板部の材料に対してエッチング選択性を有する材料からなり、前記凹部を前記接合面よりも後退した位置まで満たすことによって前記可動部の底面と予め決められた所定距離で対向する距離調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳチップを半導体チップ上にフェースダウン実装した場合においても、半導体チップを経由することなくＭＥＭＳチップからパッケージの外部に結線できるようにする。
【解決手段】可動部１６が半導体ウェハ３１に対向するようにして、ＭＥＭＳチップを半導体ウェハ３１上にフェースダウン実装し、ＭＥＭＳチップと半導体ウェハ３１間の段差が解消されるように、ＭＥＭＳチップの周囲の半導体ウェハ３１上に樹脂層３７を形成し、樹脂層３７の表面および半導体基板の裏面の研削を行った後、半導体基板をウエットエッチングすることで、半導体基板を絶縁膜１２から除去し、パッド電極３３ａに接続されたランド電極４０ａおよび電極１５ｂの裏面に接続されたランド電極４０ｂを樹脂層３８上に形成する。 （もっと読む）