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Fターム[3C081DA27]の内容

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Fターム[3C081DA27]に分類される特許

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【課題】圧電アクチュエータを用いた光偏向器において、ミラーの駆動状態を迅速に精度良く検出して制御可能な光偏向器を提供する。
【解決手段】光偏向器A,A’は、反射面1bを有するミラー部1と、一端がトーションバー2a,2bに連結され他端が支持部10に連結されて支持された第1の圧電アクチュエータ8a〜8dとを備え、第1の圧電アクチュエータ8a〜8dの圧電駆動によりトーションバー2a,2bを介してミラー部1を回転駆動させる。光偏向器は、一端がトーションバー2a,2bに連結され他端がミラー部1に連結されて支持された第2の圧電アクチュエータ9a〜9dを備える。 (もっと読む)


【課題】 小型化が可能であり、複数の共振周波数を得ることができること。
【解決手段】 X方向に延びるように形成され、X方向に直交するY方向に振動する振動片34と、振動片34の両端を支持する振動子アイランド33a,33bとを有する振動子32と、振動片34に対して所定距離を空けた状態で振動片34を間に挟むように配置され、電圧が印加された時に静電引力を発生させて振動片34を振動させる電極部31a,31bと、を備え、さらに、振動片34の上方(Z軸方向)に薄膜50を備える発振子100を提供する。 (もっと読む)


【課題】圧電アクチュエータを用いた光偏向器において、小型で簡単な構造で、高い駆動周波数と大きい最大偏向角とを両立可能な光偏向器を提供する。
【解決手段】光偏向器A1のミラー部1と、ミラー部1を駆動する圧電アクチュエータ8a〜8d,10a,10bの圧電カンチレバーの支持体4a〜4hは、複数の層から構成される半導体基板SOIを形状加工して一体的に形成される。圧電カンチレバーの支持体4a〜4hは、複数の層のうち少なくとも1つの層からなる第1の支持層31aを形状加工して形成され、ミラー部1は、複数の層のうち第1の支持層31aと厚さが異なる少なくとも1つの層からなる第2の支持層31cを形状加工して形成される。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で小型化し得るマイクロデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロモータ1では、エレクトロウェッティングを利用して、疎水性膜7と液体との接触角を円周方向に沿って周期的に変化させるようにした。その結果、表面張力を利用して液体膨出部3上に浮かせて載置させた回転板6を所定回転速度で回転させることができ、当該回転板6を固定するための固定部材や、従来のモータのような固定子等の複雑な機械的構成が不要となり、その分だけ簡易な構成にできると共に、小型化を図ることができるマイクロモータ1を提供し得る。 (もっと読む)


【課題】MEMSトランスデューサの機械的な機能を阻害することなくMEMSトランスデューサの電極を保護することを目的とする。
【解決手段】導電性を有するダイヤフラムと、導電性を有するプレートと、前記ダイヤフラムと前記プレートとの間に空隙層を挟んで前記ダイヤフラムと前記プレートとを支持し、前記空隙層を囲む内壁を備える支持部と、前記支持部に形成されているコンタクトホールを覆う導電性の電極膜と、前記内壁より外側において前記支持部の上に形成され前記電極膜の側面を覆う保護膜と、を備え、前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量に対応する電気信号が前記電極膜を通じて出力される、MEMSトランスデューサ。 (もっと読む)


【課題】表面マイクロマシン技術により形成されるマイクロマシン(MEMS構造体)において、配線細りや配線の断切れを防止する構造を提供することを目的とする。
【解決手段】犠牲層上に形成された配線(上部補助配線)が、犠牲層上において新たな配線(上部接続配線)と電気的に接続される構造とすることにより、犠牲層上に形成された配線の犠牲層の段差部分における配線細りや配線の断切れ等を防ぐことができる。また、犠牲層上に形成された配線は、可動電極である上部駆動電極と同一の導電膜で形成される為、薄膜化されているが、上述した新たな配線は、CVD膜によって丸みを帯びた段差を有する構造層上に形成され、かつその膜厚は、200nm〜1μmで形成されるため、配線細りや配線の断切れ等をさらに防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】MEMSデバイスの構造を考慮することなく、且つMEMSモジュールがMSデバイスが直接緩衝材に触れることのない構造でありながら、外部から振動、衝撃等の機械的応力から保護されて常時良好な諸特性を発揮することが可能なMEMSモジュールを提供することにある。
【解決手段】MEMSデバイス2を実装するパッケージ3の台座部19に設けられたリードピン挿通孔17に隙間を設けてリードピン20を挿通し、該隙間に柔軟性及び絶縁性を有する緩衝材22を充填して台座部19にリードピン20を固定するようにした。 (もっと読む)


【課題】可動する構造を有する微小電気機械式装置(MEMS)において、破損及び破壊を防止し、また電極間のスティッキングを防止し、さらに、作製工程において犠牲層を不要とすることで犠牲層の残存に起因する歩留まりの低下を防止することができ、歩留まりよく微小構造体を作製することができる微小電気機械式装置及びその製作方法を提供する。
【解決手段】従来は中空であった電極間に変形可能な材料を充填するものであって、微小電気機械式装置の微小構造体が、絶縁表面上に設けられた下部電極層101と、該下部電極層上に設けられ可逆変形可能な多孔質または弾性を有する誘電体層102と、該誘電体層上に設けられた下部電極と対向する上部電極層103と、を有する。下部電極層と上部電極層とが動作しこの間の距離が変化すると、誘電体層が変形する。 (もっと読む)


【課題】流路内の必要な箇所に簡便な方法で触媒を担持することができる流路構造体及び流路構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】流路構造体1は、ベース基板3の上側に流路用の溝22を有する流路基板2が積層されて流路100を形成する。ベース基板3には、流路100の壁面から流路100の外部に引き出され、第1及び第2の電位の電圧がそれぞれ印加される第1及び第2の金属パターン4A,4Bが形成され、第1及び第2の金属パターンの表面に触媒を担持する触媒担持部41A,41Bがそれぞれ形成されている。 (もっと読む)


【課題】上部のスイッチ電極と下部のスイッチ電極との接触が妨げられないことを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板に、少なくとも1端が固定されて梁構造を有する構造層と、前記構造層の下にあり、前記基板表面に設けられた下部駆動電極層、および下部スイッチ電極層と、前記構造層の前記基板に対向する面に、前記下部駆動電極層、および下部スイッチ電極層と向かい合う位置に設けられた上部駆動電極層、および上部スイッチ電極層とを有し、前記上部スイッチ電極層は、前記下部スイッチ電極層よりも大きい微小電気機械スイッチに関する。 (もっと読む)


【課題】製造を比較的簡単なものとしつつ、優れた振動特性を発揮することができるアクチュエータおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明のアクチュエータは、可動板22と、可動板22を回動可能とするように可動板22に連結された1対の連結部23,24とを備える振動部と、振動部を支持する支持部21と、可動板22を回動させる駆動手段とを有し、振動部は、可動板22の回動中心軸Xに沿った方向での1箇所で第1の部材2Aと第2の部材2Bとに分割され、第1の部材2Aと第2の部材2Bとが接合膜を介して接合されており、接合膜6は、シロキサン(Si−O)結合を含みランダムな原子構造を有するSi骨格と、該Si骨格に結合する脱離基とを含む。 (もっと読む)


【課題】耐久性に優れるとともに、所望の振動特性を有するアクチュエータを提供すること、かかるアクチュエータを備えた画像形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、枠状をなす支持部29と、この枠状をなす支持部29の内側に設けられた光反射部221を有する可動板22と、可動板22を回動可能に支持するように支持部29と可動板22とを連結する2組の連結部20、21とを有し、連結部20は一対の弾性部材25、26を有し、連結部21は一対の弾性部材27、28を有するものであって、弾性部材25〜28上には接合膜3を介して圧電素子51〜54が接合されている。この接合膜3は、エネルギー付与前において、シロキサン結合を含みランダムな原子構造を有するSi骨格と、このSi骨格に結合する脱離基とを含むものである。 (もっと読む)


【課題】構成の煩雑化を回避しつつ、SiマイクなどのMEMSセンサと半導体素子とを1チップに収めることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板2に形成されたソース領域3およびドレイン領域4と、半導体基板2上に形成されたゲート電極6とは、MOSFETを構成する。また、半導体基板2上には、下電極15および上電極16を備えるMEMSセンサ12が設けられている。そして、ゲート電極6と下電極15とが同一層に形成され、ソース配線8と上電極16とが同一層に形成されている。これにより、構成の煩雑化を回避しつつ、MEMSセンサ12とMOSFETとを1チップに収めることができる。 (もっと読む)


【課題】流路が詰まることなく、効率よく繰り返し利用が可能な流路構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この流路構造体1は、流路用溝20を有する流路基板2と、流路基板2の上面(第1の接合面)2aおよび流路用溝20の側面20a,20bおよび底面20cに成膜された光触媒膜(第1の光触媒膜)4Aと、流路基板2上に接合された蓋基板3と、蓋基板3の下面(第1の接合面)3aに成膜された光触媒膜(第2の光触媒膜)4Bとを備え、流路基板2の上面2aおよび蓋基板3の下面3aを常温接合により接合して形成したものである。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い液体金属リレーをマイクロマシン技術により形成するとともに、貫通電極を設けることによって高周波特性が良くかつ抵抗値が低いリレーを実現する。
【解決手段】 液体金属により複数の電極間のオン・オフ状態を切り替えるようにしたリレーにおいて、第1および第2の基板を張り合わせて形成された流路と、この流路の途中に形成された液体室と、この液体室に配置された複数の電極と、前記流路の両端に連通して配置された第1および第2の気体室と、これら第1および第2の気体室に封入された気体およびこの気体を加熱する加熱手段と、前記液体室に封入された液体金属と、前記複数の電極および前記加熱手段から前記第1の基板の外側に導出する貫通電極とを具備することにより、高周波特性が良くかつ抵抗値が低いリレーを実現した。 (もっと読む)


【課題】微細な可動構造体を備えた微細構造体が、装置の寸法の増大や実装の制約などを招くことなく、より高い信頼性を備えた状態で形成できるようにする。
【解決手段】基板101と、基板101の所定領域を囲うように配置された支持枠102と、支持枠102の内部の基板101の上に形成された可動部支持部103と、可動部支持部103に支持された梁104a及び可動電極104bを備える可動構造体104と、固定電極支持部105aと、一部(端部)が固定電極支持部105aに支持されて、可動電極104bの上に配置された固定電極105bとを備える。加えて、固定電極支持部105a及び固定電極105bからなる固定電極構造体105と支持枠102とにより支持され、支持枠102の内側の空間(可動部形成空間)を封止する封止膜106を備える。 (もっと読む)


【課題】3D電子モジュールをビアにより垂直に相互接続する方法を提供する。
【解決手段】3D電子モジュールを垂直に相互接続する方法であって、1つのモジュールが積層体の方向に沿う導体によって共に電気的に接続されたK枚の電子ウェーハレベル19の積層体を備える方法に関し、A)絶縁樹脂によって取り囲まれ、かつ電気接続パッドに接続された少なくとも1つの電子部品が設けられ、パッドが誘電層に堆積された電気接続トラックに接続され、各トラックがダイシングラインの上でビア15の形成予定位置に位置する電極まで延ばす工程、、B)K枚のウェーハレベルを積層し組み立てる工程と、C)樹脂にビアを垂直に開ける工程と、D)ビアの壁を電解成長によって金属被覆する工程と、E)3D電子モジュールを得るように積層体をダイシングラインに沿って切断する工程を含むものである。 (もっと読む)


【課題】基板上の空洞内に配置される機能構造体と電子回路を高度に一体化させることで、小型化された電子装置を実現するとともに、基板上の空洞内に配置される機能構造体を電子回路と並行して製造可能とすることで、製造コストを低減する。
【解決手段】本発明は、基板1と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体3Xと、該機能構造体が配置された空洞部Sを画成する被覆構造とを具備する電子装置において、前記被覆構造は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁膜4,6と配線層5,7の積層構造を含み、前記被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部7Yは、前記機能構造体の上方に配置された前記配線層の一部で構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】微小電気機械素子(MEMS素子)の特性劣化を回避し、信頼性に優れた微小電気機械装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板2上に形成されたMEMS素子3と、MEMS素子3との間に空洞5を形成するとともに該素子3を四角錘台状に覆い、その上面の一部に貫通孔9が形成された空洞形成膜6と、空洞形成膜6内の貫通孔9直下のみに配置され、貫通孔9を塞いでMEMS素子3を空洞5内に封止する封止層7とを備えている。封止層7は、エアロゾルデポジション法で形成されている。 (もっと読む)


【課題】数Vの低電圧であっても、確実に駆動させることができるマイクロメカニカルスイッチ用の素子を提供することを目的とする。
【解決手段】貫通孔10を有する基板9と、弾性体部13と駆動部14とを有し、駆動部14側の一端を前記貫通孔10の対向する二辺の周縁部に保持した支持体15と、表面の一部に導電体部11を有し、対向する二辺を前記弾性体部13で支持して前記貫通孔10上に懸架された伝送電極部12を備え、前記駆動部14は、下方より、下部電極層17、圧電体層18、上部電極層19からなり、これら上、下部電極層17、19に電圧を印加して前記圧電体層18を反らせることで、伝送電極部12を上下動させた。 (もっと読む)


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