【課題】ＭＥＭＳデバイス中に、シリコンゲルマニウム層と、ＣＭＯＳ金属層や他のシリコンゲルマニウム層のようなこのシリコンゲルマニウム層に接続する層との間に、双方の層を分離する誘電体層スタック中の開口部を通る低抵抗コンタクトを形成する方法を提案する。
【解決手段】誘電体層６の開口部中に中間層である界面層１４を形成し、これによってこの開口部の底部と開口部の側壁を覆う。この中間層はシリコンゲルマニウムＭＥＭＳ電極８と、ＭＥＭＳ成分を含むシリコンゲルマニウム構造層４との界面となる。中間層、すなわち界面層１４は、ＴｉＮ層またはＴａＮ層より成る。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳデバイスは、基板１上に設けられる第１の下部電極１２と、第１の下部電極１２上に設けられ、第１の厚さｔ１を有する第１の絶縁体２０と、第１の下部電極１２上方にアンカーによって中空に支持される可動な第１の上部電極１６とを有するＭＥＭＳ素子１０と、基板１上に設けられる第２の下部電極５２と、第２の下部電極５２上に設けられ、第２の厚さｔ２を有する第２の絶縁体２５と、第２の絶縁体２５上に設けられる第２の上部電極５４とを有する容量素子５０と、を具備し、第２の厚さｔ２は、第１の厚さｔ１よりも薄いことを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化および低背化が可能であり、ウェハレベルパッケージ構造とすること。
【解決手段】基板１１と、基板の上方に設けられた固定コンタクト電極１３と、固定コンタクト電極１３に対向して設けられた可動コンタクト電極１２と、基板上においてそれらを囲むように設けられた壁部１７と、壁部１７に固定されて設けられ、可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３を含む空間を封止するための膜部材２０と、基板上において壁部１７の内側に設けられ、膜部材２０を空間の内側から支持するために可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３とは別に設けられた支持部１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に開口を有する高周波デバイスを精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極下部１４Ｄ、開口１６および突起１７を設ける。基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。基板１１には、開口１６および突起１７を同時に形成したのち、基板１１を貫通すると共に貫通電極上部１４Ａと接する貫通電極下部１４Ｄを形成する。開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング液による侵食から保護するとともに、熱変形、剥がれ、シリコンの割れおよび不完全な侵食防止という不良の改善、製造工程の工数低減、作業性の改善およびコスト低減をすることができるシリコンデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子をシリコンの一方の面に形成し、シリコンの他方の面の一部および一方の面を保護膜で覆い、シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、保護膜に金属膜を用いてシリコンの他方の面の一部および一方の面を覆う第１工程(Ｓ１２０)と、金属膜を侵食しないエッチング液を用いてシリコンをエッチングする第２工程（Ｓ１３０）と、素子に接続される電極を金属膜から形成する第３工程（Ｓ１４０）とを有することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】圧電膜の膜応力によるメンブレンの不均一な撓みが原因の圧電素子特性のばらつきを抑制し、圧電素子の感度や信頼性を向上させることが可能な圧電ＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電ＭＥＭＳ素子であって、基板の表面側に形成され、不純物がドープされており下部電極として機能する支持体１１１と、基板の裏面側に形成され支持体の下部に位置する裏面空洞１２１と、が設けられた基板１０１と、支持体１１１上に形成された圧電膜１１２と、圧電膜上に形成された上部電極１１３とを備える。支持体１１１は、少なくとも、第１の厚さを有する第１の支持体部分Ｍと、第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の支持体部分Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く長期信頼性に優れていて、圧電アクチュエータの変位量とキャパシタの容量との関係が安定し、可変可能な容量の幅が広い圧電駆動型の可変キャパシタを提供可能とすること。
【解決手段】２以上の圧電体層のうち何れか一の外表面側に位置する圧電体層に分極処理を施し、その圧電体層の残留分極を制御することによって、平板状の形状を調節した圧電アクチュエータを、圧電駆動型の可変キャパシタの駆動部として用いる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有する誘電体構造体、及び、その誘電体構造の製造方法、圧着転写方法、保持構造を提供すること。
【解決手段】非耐熱性基板６０上に下部電極６１ｂを形成する工程と、耐熱性基板６６上に上部電極６４ｂを形成する工程と、上部電極６４ｂ上に誘電体６３ｂを形成する工程と、誘電体６３ｂと、下部電極６１ｂとを、導電性接着部６２ｂを介して、向き合わせて圧着する工程と、誘電体６３ｂと、下部電極６１ｂとを、導電性接着部６２ｂを介して、向き合わせて圧着した後、上部電極６４ｂを耐熱性基板６６から剥離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜圧電アクチュエータを備えるＭＥＭＳ（微小電子機械システム）デバイスを提供する。
【解決手段】第１の面を有する基板１０２が、第１の面上において第１の接着促進導電層１０４と、結晶配向促進層１０６と、第２の導電１０８と、誘電層１１０と、第３の接着促進導電層１１４と、導電性電極１１６を有する。圧電部１１２は、この結晶配向促進層１０６と接触し、結晶配向促進層１０６の配向に対応する配向を有する。誘電材料１１０が圧電部１１２を囲む。この誘電材料１１０は、無機材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】 小型で簡易な構造で、レーザ光源等の光源からの光を走査して画像を表示する際に生じるスペックルノイズを低減することができる光偏向器用アクチュエータ装置を提供する。
【解決手段】 支持体４０に支持された圧電アクチュエータ４２ａ，４２ｂが、光源からの光を偏向する光偏向器を搭載する台座４３を並進振動させることにより、光偏向器による反射光に微小な光路差を付与する。 （もっと読む）

【課題】 特に、センサ部材とキャップ部材間の応力を効果的に緩和できるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 センサ部材４とキャップ部材５とが接合層６を介して接合されている。前記センサ部材４は、前記接合層６側からセンサ領域を備える第１シリコン部材１、第１酸化絶縁３層及び第２シリコン部材２の順に積層されている。前記キャップ部材５は、前記接合層６側から第３シリコン部材７、第２酸化絶縁層８及び第４シリコン部材９の順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）

【課題】備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１は、基板２と、基板２上に配置され、固定電極３１および固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板３２２を備える可動電極３２を有する機能素子３と、基板２上に設けられ、機能素子３が配置された空洞部６を画成する素子周囲構造体５と、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１と、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２とを有する検査体４とを有し、検査体４は、所定の部位の寸法が測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気信号により抵抗値を連続的に変化させることが可能な小型の可変抵抗を提供する。
【解決手段】 電極Ｂは電極Ｃと間隙を挟んで対向するように一端が固定されている。電極Ｃにおける電極Ｂとの対向面には複数の突起状の抵抗体ｒが面状に配列されている。電極Ｄは、電極Ｃとの間に絶縁層２０４を挟んで電極Ｃに固定されている。電極Ａは、電極Ｂとの間に絶縁層２０９を挟み、電極Ｄと対向している。電極ＡおよびＤ間には、制御電圧が与えられる。制御電圧を大きくすると、電極ＡおよびＤ間の吸引力が大きくなって電極Ｂが電極Ｃに向かって撓み、電極Ｂと電極Ｃの抵抗体ｒとの接触面積が増加し、電極ＢおよびＣ間の抵抗値が低下する。 （もっと読む）

【課題】機能素子の寸法を精度よく求めることができ、精度よく機能素子の周波数特性を推定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供すること。
【解決手段】 機能素子の寸法の測定方法は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３１および可動電極３２を有する機能素子３とを有する機能素子付き基板１に対し、機能素子３の寸法を測定する方法であって、固定電極３１の形成と同時に、固定電極３１と同様の方法で第１の検査用膜４１を形成する工程と、可動電極３２の形成と同時に、可動電極３２の形成と同様の方法で第２の検査用膜４２を形成する工程と、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とからなる検査体４の所定の部位の寸法を測定する工程と、測定の結果から、機能素子３の所定の部位の寸法を求める工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイス１であって、固定電極２０の下方の半導体基板１０にウェル１３が形成されており、固定電極２０に正の電圧が印加されウェル１３がｐ型ウェルである。そして、ウェル１３が空乏状態となるようにウェル１３には電圧が印加されている。この電圧はウェル１３が空乏状態を維持する電圧となっている。 （もっと読む）

【課題】 可動部と支持基板の固着が長期に亘って防止されるマイクロデバイスを提供する。
【解決手段】 マイクロデバイスは、支持基板と、支持基板に隙間を介して対向しているとともに、支持基板に対して相対変位可能に支持された可動部を備えている。支持基板と可動部の互いに対向する表面の少なくとも一方には、少なくとも一つの突起が設けられている。そして、各々の突起には、その突起が設けられた支持基板又は可動部の内部へ伸びる基礎部が、一体に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加によって可動電極と固定電極との距離が変動しにくいＭＥＭＳチューナブルキャパシタを提供する。
【解決手段】デバイス１０は、基板の表面Ｐ上に形成された信号ライン１２と、これを挟む位置に２対またはそれ以上立設された柱状のアンカー２０と、信号ライン１２を挟む位置に立設された板状の固定電極１４と、アンカー２０から延設されたバネ１８で信号ライン１２上の空間に固定電極１４に挟まれるように懸架された板状の可動電極１６とからなる。アンカー２０は信号ライン１２の長手方向両端近傍で固定電極１４の外側位置に固定され、先端部には信号ライン１２を跨ぐようにバネ１８が設けられる。対になったアンカー２０から信号ライン１２を跨いで延設された一対のバネ１８は信号ライン１２の上の空間で信号ライン１２の長手方向に沿って設けられた可動電極１６を懸架し、可動電極１６は固定電極１４の中間に、これと平行に位置する。 （もっと読む）