基板上にキャパシタを製造する方法であって、前記キャパシタは第１の電極５と第２の電極１２；２５を含み、第１の電極および第２の電極が空洞１６；３２によって分離され、基板が絶縁表面層３を含み、第１の電極５が絶縁表面層上に配置され、第１の金属体７ａ；２０が第１の電極に隣接して第２の電極１２；２５のアンカーとして構成され、第２の電極が第１の金属体上にかつ第１の電極の上方に位置するビーム型体１２；２５として構成され、空洞１６；３２が第１の金属体の側壁によって横側の境界を画定される、方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンに微細な加工が可能となる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】容量式ダイアフラム型超音波トランスデューサにおいて、電気的な劣化を低減する。
【解決手段】１つまたは複数の電極１８，２０が導電性材料または半導体材料を有しており、装置内において、絶縁体２８，１４またはキャビティ１６と隣り合って層２２，２４を配置することができる。たとえば仕事関数と抵抗率の低い導体層２２が、それよりも仕事関数と抵抗率の高い導体層２４により絶縁体から分離されている。電極材料におけるそれぞれ異なる層２２，２４を、使用される材料の種類と相対的な位置に起因する電気的劣化を減らすために設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ部材を備えた半導体装置において、薄型化する。
【解決手段】 絶縁膜３およびシリコン基板１の上面中央部に設けられた凹部５内には、ＭＥＭＳ部材を構成する片持ち状の可動電極９が可動可能に配置されている。凹部５の周囲における絶縁膜３の上面には空間形成膜１０の下面周辺部が接着剤等を介して固着されている。この状態では、空間形成膜１０下における凹部５内には、可動電極９の可動を許容するための空間１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスと半導体デバイスとを接続する配線に、段差による断線が生じるのを可及的に防止することができるとともに、製造コストの安い半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】内部に中空構造のＭＥＭＳデバイス２を含み、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続される第１パッド５が上面に形成された第１チップ１と、内部に半導体デバイスを含み、半導体デバイスと電気的に接続される第２パッド１１、１２が上面に形成された第２チップ１０Ａ、１０Ｂと、第１チップの側面と第２チップの側面とを接着する接着部２５と、第１および第２チップの上面ならびに接着部の上面を覆い、上面が実質的に平坦であってかつ第１および第２パッドに接続するコンタクト孔が開口された絶縁膜２０と、絶縁膜上に形成され、第１および第２パッドに接続する配線４０と、を備え、絶縁膜は、ＭＥＭＳデバイスを封止していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の薄膜構造を保護することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。センサ部３は、Ｓｉ基板２の上面２９に対して間隔Ｌ１を空けて対向配置された下薄膜５と、下薄膜５に対して間隔Ｌ２を空けて対向配置された上薄膜６とを備えている。また、Ｓｉマイク１は、保護層３９を備えている。保護層３９は、センサ部３の周囲を取り囲むように突出している。また、保護層３９の上面４１は、上薄膜６の上面（第４絶縁層１６の上面４２）より上方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板と下薄膜との接触を防止するための凸部を形成するための時間および手間を軽減することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。下部犠牲層３０の上には、下貫通孔１２を有する下薄膜５が形成され、下薄膜５の上には、上部犠牲層３４が形成される。上部犠牲層３４の上には、上貫通孔１８を有する上薄膜６が形成される。そして、上部犠牲層３４は、上貫通孔１８を介するドライエッチングにより除去される。また、下部犠牲層３０中のＡｌ成分は、上部犠牲層３４の除去後、上貫通孔１８および下貫通孔１２を介するドライエッチングにより除去される。Ａｌ成分が除去されることにより、空洞１９が形成されるとともに、Ｓｉ基板２の上面２９における対向領域４１には、複数の凸部３９が残存する。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置は、基板（２０）とアレイ領域（“アレイ”）と周辺領域（“配線”）とを備える。アレイ領域（“アレイ”）は、下部電極（１６Ａ、１６Ｂ）と、可動上部電極（１４）と、該下部電極（１６Ａ、１６Ｂ）と上部電極（１４）との間のキャビティ（１９）を含む。周辺領域（“配線”）は、アレイ領域（“アレイ”）では上部電極（１４）を形成している層の一部と、電気配線（５８）とを含む。電気配線（５８）は、下部電極（１６Ａ、１６Ｂ）及び上部電極（１４）のうち少なくとも一つと電気的に接続された導電体（５０）を含む。電気配線（５８）は、アレイ領域（“アレイ”）内では上部電極（１４）を形成している層の下の別途の層として形成される。導電体（５０）は、ニッケル、クロム、銅及び銀から成る群から選択される。
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本発明は、小さいミクロな伝導性構造体を表面に製造することを可能にする方法を記述している。これは、ミクロチャネルを（ホット）スタンピングおよび／またはナノスケールのインプリンティングによって製造すること、次のこのようにして作り出されたチャネルへの毛細管現象および好適な伝導性材料の後処理を用いる伝導性材料の的を絞った導入によって達成される。
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【課題】光電子デバイス、ＩＣ又はＭＥＭＳデバイスなどの電子デバイスを１つ以上含んでいる密封パッケージの電子産業に応用される電子デバイスパッケージとその形成方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスパッケージは、基体４に取り付けられた電子デバイス２８と、導電性ビア１８と、この基体上の局所的に薄くされた領域を含む。 （もっと読む）

【課題】スイッチング特性と信頼性を向上させるＭＥＭＳスイッチの製造方法、及びＭＥＭＳスイッチを提供することを目的とする。
【解決手段】ＭＥＭＳスイッチを構成する可動電極５と吸引電極４との間に設けられる犠牲層を、互いに異種材料にてなる第１犠牲層８及び第２犠牲層９にて分割形成すると共に、両者が重なり合う領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】温度による光変調器の誤作動を除去でき、かつ光変調器モジュールに電源印加直後に光変調器の動作を速やかに安定化することができる、マイクロヒータを備えた光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】本発明による光変調器モジュールは、光源から入射された光を変調して出射する光変調器と、前記光変調器に設けられるマイクロヒータと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。
【解決手段】基板１０上の空間Ｓに配置されたＭＥＭＳ構造体３０と、基板上の絶縁膜と
配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出
してなる接続パッドとを有するＭＥＭＳ素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層
１１上に形成された態様でＭＥＭＳ構造体が形成される工程と、ＭＥＭＳ構造体上及びそ
れ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線１
４，１６が形成される工程と、配線上に表面保護膜１７，１８を形成する保護膜形成工程
と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にＭＥＭＳ構造体の上方
に開口凹部Ｐを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりＭ
ＥＭＳ構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。 （もっと読む）

マイクロ電子機械（ＭＥＭＳ）アンテナ（３６）は、基板の一側に配置されて、そして、基板を通して電導パスを形成するスルーホールまたはバイア（４８）によって、コンデンサブリッジ（４６）を含むＭＥＭＳスイッチおよび伝送ライン（４２）に接続される。この装置は、アンテナおよびスイッチのための共通の接地面を提供して、そして、アンテナから受信されまたは送信される電磁放射から、スイッチを保護する。スイッチは、高分子層（１９）によって形成されるブリッジ構造全体に延びる最上位の金属層を含んでもよい。高分子層は、ポリ−モノクロロ−パラキシレン（パリレン−Ｃ）を含む。均一なまたは不均一なアンテナアレイ構造が、実現される。アンテナアレイは、例えば別々の形状、回転および反転を有する、１つ以上の別々のタイプのアンテナを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 固定領域と遊離領域が形成されているシリコン構造体の製造過程で、電極の保護膜の形成範囲を規制するためにマスクを必要とせず、保護膜の除去時にエッチングされるシリコンの厚みを低減する。
【解決手段】 ベース層２と酸化シリコン層４と単結晶シリコン層６が積層されている積層板の表面の一部に金属膜８を形成する。次に、多結晶シリコン膜１２を単結晶シリコン層８の表面から金属膜８の表面に亘って薄く形成する。次に、酸化シリコン層４に至るトレンチを形成する。次に、遊離領域の単結晶シリコン層６とベース層２が分離されるに至るまで酸化シリコン層４をエッチングする。金属膜８は多結晶シリコン膜１２により保護される。次に、多結晶シリコン膜１２をエッチングして除去する。単結晶シリコン層６の表面は多結晶シリコン膜１２により保護されており、エッチングされない。 （もっと読む）

【課題】特別な不都合を生ずることなく、駆動電圧を小さくする。
【解決手段】可動板１２は、基板１１に対して上下動し得るように板ばね部１４により支持される。可動板１２の上方に、基板１１に対して固定された固定板１３が配置される。基板１１上の固定側駆動電極３２が相対的に下で、板ばね部１４に設けられた可動側駆動電極３３が相対的に上に配置される。固定板１３の電気接点１３５が相対的に上で、可動板１２の電気接点１３６が相対的に下に配置される。これにより、駆動電極３２，３３間に生ずる静電力が電気接点１３５，１３６間の間隔が拡がる方向に生ずるように、駆動電極３２，３３及び電気接点１３５，１３６が配置される。駆動電極３２，３３間に静電力が生じない場合は電気接点１３５，１３６が互いに接触する。駆動電極３２，３３間に静電力が生ずると、電気接点１３５，１３６が互いに離れる。 （もっと読む）

【課題】可動構造体において、振動や衝撃等が加わってもヒンジ部が折損しにくいようにし、耐振動・耐衝撃性能を向上させる。
【解決手段】可動構造体としての光走査ミラー素子１は、２つのヒンジ部３によりフレーム部４に可動板２を揺動可能に軸支して成っている。各ヒンジ部３の両側部近傍部位には、それぞれ、フレーム部４から可動板２に向け略水平に突設された側部ストッパ８ａが設けられている。また、ヒンジ部３の下方には、フレーム部４から突設された下部ストッパが設けられている。外部から振動や衝撃が加わったとき、ヒンジ部３が側部ストッパ８ａ、下部ストッパに接触し可動板２の異常変位が妨げられるので、ヒンジ部３の折損が防止される。 （もっと読む）

【課題】低駆動電圧と長寿命特性を有するスクラッチ駆動アクチュエータ（ＳＤＡ）微小回転モータの新規な設計と製造方法を提供する。
【解決手段】駆動電圧を交流振幅で３０〜１５０Ｖｏ−ｐから１２〜３０Ｖｏ−ｐに大幅に減少するべく、超低抵抗（＜０．００４Ω−ｃｍ未満）のシリコンウェハをＳＤＡ微小モータの基板として用いる。さらに、本発明は、ＳＤＡ微小モータの寿命（＞７５時間）および回転速度（〜３０ｒｐｍ）の改善ができる新規なＳＤＡ構造および形状設計方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の低減に適した可変フィルタ素子および可変フィルタモジュール、並びに、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の例えば可変フィルタ素子Ｘ１は、例えば、基板１０と、基板１０上において並列して延びる、二本のグラウンド線２２およびグラウンド線２２間の信号線２１と、グラウンド線２２間を架橋し、信号線２１と対向する部位２４ａを有する、可動キャパシタ電極２４と、信号線２１およびグラウンド線２２の間に位置して可動キャパシタ電極２４との間に静電引力を発生させるための駆動電極２５と、基板１０内に設けられ、信号線２１と対向する部位を有し、グラウンド線２２と電気的に接続している、グラウンド線１２ａとを備える。可動キャパシタ電極２４およびグラウンド線１２ａ，２２は、グラウンド配線部を構成し、信号線２１およびグラウンド配線部は、分布定数伝送線路を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気吸引力や磁気効率をさらに向上させ、微小磁界であっても容易に動作することができる機構デバイスを提供する。
【解決手段】基板２の上面に設けられ、基板２の裏面に設けられた第２の裏面電極７ｂと導通する導電性の下部電極１０と、基板２の上面に設けられ、先端部側に磁性体部２２を有し基端部側が基板２上面に取り付けられて導電性を有する梁構造２１をなし、基端部側が基板２の裏面に設けられた第１の裏面電極７ａと導通する上部電極２０とを備え、上部電極２０の基端部側と第１の裏面電極７ａとの間にこれらを導通する非磁性体６を充填すると共に、下部電極１０と第２の裏面電極７ｂとの間にこれらを導通する強磁性体９を充填した。 （もっと読む）