本発明は、電気回路を含む基板（１０）の上に、少なくとも１つのマイクロマシン構造を含むマイクロマシンデバイスを、下方の電気回路に影響を与えることなく作製する方法を提供する。この方法は、電気回路を含む基板（１０）の上に、保護層（１５）を形成する工程と、少なくとも１つのマイクロマシン構造を形成するための複数のパターニングされた層を保護層（１５）の上に形成する工程であって、複数のパターニングされた層は、少なくとも１つの犠牲層（１８）を含む工程と、その後に、犠牲層（１８）の少なくとも一部を除去して、少なくとも１つのマイクロマシン構造を開放する工程とを含む。この方法は、更に、保護層（１５）を形成する前に、マイクロマシンデバイスの製造中に使用される最高温度より高い温度で基板（１０）をアニールする工程を含み、アニールは、その後の製造工程中に、保護層（１５）の下での気体の形成を防止する。本発明は、また、本発明の具体例にかかる方法で得られたマイクロマシンデバイスを提供する。
（もっと読む）

この方法は、構造内に形成された抵抗層を隣接層からの汚染種から保護する構造を形成するための半導体構造および方法を実現する。汚染種の拡散に抵抗する材料中に抵抗層を封入することにより、該構造を製造するのに必要な処理中に抵抗材料を保護することが可能である。
（もっと読む）

微小電気機械アクチュエータは、ホットアームに金属を使用し、コールドアームの少なくとも可撓部分にシリコンを使用する。シリコンで製作されたコールドアームは、それと共に移動し、そのようなアクチュエータの少なくとも２つがスイッチに形成される場合、切り替えられるべき信号を伝送するために使用される金属ワイヤに結合される。第１のチップ上のそのようなスイッチのアレイは、第１のチップに接合されるフリップチップである第２のチップと協同して構成することができ、第２のチップは、その上に、様々なホットアームを加熱するためのそれらへの電気制御電流、ならびに様々なスイッチによって切り替えられるべき信号を経路選択するワイヤを有する。
（もっと読む）

【課題】微小電気機械式装置が有する微小構造体と電気回路とを同一の絶縁表面上に同一工程を経て作製する。
【解決手段】微小電気機械式装置は、絶縁表面を有する基板上にトランジスタを有する電気回路と、微小構造体を有する。微小構造体とトランジスタとは、絶縁層と半導体層の積層体を有する。すなわち、構造層は、ゲート絶縁層と同じ絶縁膜から形成された層を含み、かつトランジスタの半導体層と同じ半導体膜から形成された層を含む。さらに、微小構造体は、トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に用いられる導電層を犠牲層に用いることで作製される。 （もっと読む）

【課題】２軸駆動型ＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】第１軸と同軸に支持されて、第１軸及び前記第１軸と垂直の第２軸に対して回転駆動される可動板と、可動板の内側領域で第２軸と同軸に支持されたステージと、可動板の第１軸線上に沿って配置され、中央のステージ領域を挟んで両分された同軸コイル部と、それぞれ同軸コイル部の左側端部及び右側端部を相互逆の位置で相互連結する第１連結コイル部及び第２連結コイル部とを備える駆動コイルと、駆動コイルを横切る磁場を形成するように、それぞれ第１連結コイル部及び第２連結コイル部に近接して配置された相互逆極性のマグネット対と、マグネット対による磁場が、マグネットとの距離に応じて急激に変化する磁束密度が形成されるように、マグネット対間の上側領域または下側領域に配置され、マグネットにより磁化される磁性物質からなるヨーク磁性体とを備えることを特徴とするＭＥＭＳデバイスである。 （もっと読む）

【課題】半導体生産工場の一括工程に適用することのできるウェーハレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）を適用するＭＥＭＳ素子のパッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳ素子のパッケージは、キャップウェーハと、該キャップウェーハ上に形成された複数の接合バンプと、該複数の接合バンプの外側部に整列され形成された複数の整列パッドと、該複数の整列パッドが露出するように前記キャップウェーハ上に接合されるＭＥＭＳ素子用ウェーハとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体生産工場の一括工程に適用することのできるウェーハレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）を適用するＭＥＭＳ素子のパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳ素子のパッケージは、キャップウェーハと、該キャップウェーハ上に形成された複数の接合バンプと、該複数の接合バンプの外側部に整列され形成された複数の整列バンプと、該複数の整列バンプと対応する部位に複数の第１外部パッドが形成され、前記キャップウェーハと接合する際に前記整列バンプと前記第１外部パッドとが接合されたＭＥＭＳ素子用ウェーハとを備える。 （もっと読む）

第２のチップ表面から対面離隔している第１のチップ表面を有するチップ基板、第１のチップ表面上のマイクロエレクトロニック素子のアレイ、およびマイクロエレクトロニック素子の１つとそれぞれが連通している導体のアレイを備え、導体が、チップ基板を通過し、かつ第１および第２のチップ表面の間の距離に完全に跨る装置。第２のチップ表面から対面離隔している第１のチップ表面を有するチップ基板、第１のチップ表面上にあるマイクロエレクトロニック素子のアレイ、およびマイクロエレクトロニック素子の１つとそれぞれが連通し、かつ第１および第２のチップ表面の間の平均距離に部分的に跨る導体のアレイを備える装置を提供するステップ、マイクロエレクトロニック素子のアレイ上に一時支持キャリアを接着するステップ、チップ基板の一部分を除去し、それによって、第１および第２のチップ表面の間の平均距離を減少させるステップ、および導体と電気的に連通している第２のチップ表面にアンダー・バンプ・メタル・パッドを形成するステップを含むプロセス。
（もっと読む）

【課題】使用面積を縮小し、コストを削減できるマイクロメカニカル素子を提供する。
【解決手段】マイクロメカニカル素子３０は、基板１０と、その上に形成されたマイクロメカニカル構造体５０と、マイクロメカニカル構造体を封止するため基板前面１５にボンディングされたキャップ基板１０′とを有する。該マイクロメカニカル構造体の少なくとも一部を電気的に外部と接続するための面コンタクト４０を基板裏面１６に設ける。導電性の基板１０にトレンチ溝２’をエッチングで形成し絶縁材を充填することで基板１０を電気的に分割して配線を構成し、マイクロメカニカル構造体と面コンタクトとを導通させる。 （もっと読む）

第１および第２の面を有する基板と、基板の第１の面上に配置されている第１の電極材料層とを含む、流体中で作動させるための微細加工デバイスを提供する。このデバイスは、第１の電極材料層上に配置されている圧電材料層と、圧電材料層上に配置されている第２の電極材料層とを有する。このデバイスは、また、第２の電極材料層上に配置され、第２の電極材料層の一部を流体から化学的または電気的のうちの少なくとも一方で分離する分離材料の層をも含む。あるデバイスは、分離材料の層上に配置されている導電性材料の層を含む。
（もっと読む）

単一ユニットに容易に製作することができる小型構造の利点を提供し、接点材料の高温で誘発される形態学的変化及び結果的な特性への悪影響とは無縁の、ＭＥＭＳ圧電スイッチ（１００）。高温で誘発される形態学的変化とは、無線周波数配線（１２５、１３０）及び短絡バー（１５０）の様な金属接点が、圧電層をアニールするのに必要とされる温度に、又は、誘電層の高温堆積が代わりに使用される場合はその間に遭遇する温度に、曝される時、製作の間に生じる変化を指す。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器などに用いられるマイクロ構造を提供すること。
【解決手段】第一の高さを有する第一の構造部分と、該第一の高さより高い第二の高さを有する第二の構造部分とを備える基板を形成することと、該基板の上に、ポリアリーレン、水素シルセスキオキサンなどの第一の犠牲材料を堆積することであって、該犠牲材料は、該第一の構造部分を少なくともカバーする、ことと、該第一の犠牲材料の上に、第一の構造材料の層を堆積することと、該第一の構造材料の該層の中に、開口部を形成することであって、該開口部は、外側から該第一の構造材料の該層の下の該第一の犠牲材料へのアクセスを提供する、ことと、該第一の犠牲材料を除去して、該第二の構造部分と接続する第三の構造部分を形成することであって、該第三の構造部分の少なくとも一部は、該第一の構造部分の上にある、こととを包含する、マイクロ構造を作成する方法。 （もっと読む）

本発明は、可撓ホイル（１０）のパターン形成したスタックによって作製したマイクロシステム内に導電層間接合を製造する方法に関する。はんだ材料、スパッタリングもしくは蒸着した材料、または可撓ホイル（１０）の絶縁層（３０）をなすプラスチック材料の炭化処理によって形成した導電層間接合（２１０，３００，４００）は、少なくとも１個の絶縁層（３０）によって分離したパターン形成導電層（４０、５０）を導電接続し、マイクロシステムにおける異なるパーツを簡単に相互接続する。
（もっと読む）

【課題】キャディの使用により、分析機器との容易な相互接続を可能にする構成を備えている微小流体デバイスを提供する。また流体デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】流体デバイス１０は、本体部１１及び隣接導電性層１００を含む。本体部１１は、内部表面及び外部表面を有する。内部表面は、ウェル及び流体搬送造作２５、たとえばウェルと流体が流れるように連通する微小造作を画定する。隣接導電性層１００は、ウェルの側壁４６Ｓ及び、外部表面、内部表面の選択された領域上に位置し、流体搬送造作２５内の任意の流体と電気的に接続した状態で、外部表面４４上に接触パッド領域が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、電子マイクロシステム（２００）をパッケージする方法、さらに、この方法でパッケージしたデバイスに関するものである。この方法によりパッケージした電子マイクロシステム（２００）は、フレキシブルホイルの少なくとも１つの面上に導電トラック（１００）を有するフレキシブルホイル（８０）を用いて製造することができる。電子マイクロシステム（２００）及びフレキシブルホイル（８０）は、封止、さらには密封されたパッケージを実現することができ、かつ、本発明が提案する方法でフレキシブルホイル（８０）を折り畳んだ後に、電子マイクロシステム（２００）の導体パッド（２１０）が、パッケージされたデバイスの外表面まで延在する導電トラック（１００）に接続されるように構成する。フレキシブルホイル（８０）内にビアホールまたは貫通孔を必要としない。
（もっと読む）

ミニチュアばね要素（１、１′）は、特に原子間力顕微鏡において原子間力や分子力を検出するための梁形探針或いはカンチレバとしての使用に特に適しており、そのために、その変位の特に確実で高解像度の検出が可能となる。このために、ばね要素（１、１′）は、焦束されたエネルギ粒子或いは電磁波による局所的蒸着の原理を利用して、或いは熱分解誘導式蒸着によって製造される。
（もっと読む）

本明細書に開示されるのは、さまざまマイクロ流体デバイス、およびかかるデバイスを金型として形成される、固体であり通常は導電性のデバイスである。一部の実施例では、形成されるデバイスは、１つ以上のマイクロ流体チャネルに存在する液体金属を固化することにより形成される伝導通路を備える。一部の実施例では、マイクロ流体チャネルに形成される固体金属線／伝導通路は、マイクロ流体構造内に含まれたままであってよい。一部のかかる実施例では、形成された伝導通路は、流動流体を運搬する構造の他のマイクロ流体チャネルの近接に位置して、それにより伝導通路が、流動流体および／またはそれに含まれる、またはそれにより運搬される構成要素と相互作用する、および／またはそれに作用するエネルギー（電磁および／または熱エネルギーなど）を産生できてよい。
（もっと読む）

ＭＥＭＳ、又はその他のデバイスをパッケージングする、ウェハ・レベル・パッケージングの方法である。いくつかの実施形態においては、まず、通常の厚さのＭＥＭＳウェハが、通常の厚さのキャップ・ウェハに接合され、それに続いて、ＭＥＭＳウェハの裏面が薄くされる。この後では、接合されたウェハ積層体、及び気密実装されたＭＥＭＳデバイスのキャッピングは、依然として、さらに加工するのに十分に強固である。これに基づいて、薄くされた基板上に貫通ビアを容易に形成することができ、引き出されるべき領域（たとえば、金属パッド／電極、高度にドープされたシリコンなど）で停止させることができる。これが工程の最終の面であるので、ビアは部分的に充填することができる。ビアが硬い金属で完全に充填されない限り、厚く金属で被覆されパターン形成されたビアでさえも、生じ得る熱応力を緩和するためのずっと大きな空間がある。様々な実施形態が、開示される。
（もっと読む）

微小電気機械システム装置であって、この装置の外側の電気回路網とこの装置の電極（１６）及び可動層（１４）の少なくとも１つとの間に電気相互接続を有する微小電気機械システム装置が提供される。この電気相互接続の少なくとも一部は、この装置のこの電極（１４）と機械層（９２）との間に導電層と同一の材料で形成される。一実施形態では、この導電層は、この電極（１６）とこの可動層（１４）との間にキャビティ（１９）を形成するために後に除去される犠牲層（６０）である。この犠牲層（６０）は、好ましくは、モリブデン、ドープされたシリコン、タングステンまたはチタンで形成される。一実施形態によれば、この導電層は、好ましくはアルミニウムを含む可動反射層である。
（もっと読む）

ＭＥＭＳスイッチは、１）第１の接点と、２）該第１の接点に対して可動の第２の接点とを有する。該接点のうちの少なくとも１つは、電気伝導性があり、かつ白金系ベースの材料を有する。該白金系ベースの材料は白金系元素を含み得る。あるいは、該白金系ベースの材料は白金系ベースの酸化物であり得る。該接点のうちの少なくとも１つは、白金系ベースの元素および伝導性パシベーションの両方を有する。例えば、該白金系ベースの元素はルテニウムであり得る一方、該伝導性パシベーションは二酸化ルテニウムであり得る。
（もっと読む）