【課題】相対的に大きな力学量が加わっても、破損することなく被検知対象である傾斜を検知することができる力学量検出センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサである傾斜センサは、基材上に立設された導電性の固定接点柱１１ｂと、前記基材上であって固定接点柱１１ｂの外側に設けられた枠体１１ａと、前記枠体１１ａに対して梁１１ｄを介して設けられ、前記枠体１１ａと前記固定接点柱１１ｂとの間で揺動可能である導電性の可動部材１１ｃと、を具備し、前記枠体１１ａ及び前記可動部材１１ｃは、前記基材側の第１層と前記第１層よりも上層の第２層とを含み、前記第２層に前記梁１１ｄが設けられており、前記第１層が前記梁１１ｄの下方に部分的に延在部１１ｅを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスにおいて、固定膜にクラックが発生することを防止する。
【解決手段】貫通孔１５を有する基板１０と、基板１０の上面に配置され、下面が貫通孔１５内に露出する第１の膜１１と、第１の膜１１との間にエアギャップ１６を介在させて配置され、各々がエアギャップ１６と連通する複数の孔１４からなる孔群１４Ｇを有する第２の膜１３と、第１の膜１１と第２の膜１３との間に介在し、内部にエアギャップ１６が形成された支持層１７とを備え、孔群１４Ｇのうち最も外側に位置する複数の孔１４は、貫通孔１５における開口上端１５ｕの開口形状に沿って、隣り合う孔１４同士の間隔が均一となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】可撓部が変形する際に破断しにくく耐衝撃性能に優れたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部に結合している可撓性を有する膜であって、厚肉部と前記厚肉部との境界を区間端とし前記厚肉部から離れるにつれて厚さが漸減している漸減区間を有する薄肉部とが前記一端から離れる方向に配列されている可撓部と、前記薄肉部に形成され前記薄肉部に生ずる歪みを検出するための歪み検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】多軸方向に関する検出が可能な小型のセンサ装置の製造コストを低減することができる製造方法を提供する。
【解決手段】連結部１１０によって互いに連結された第１および第２のセンサ素子１０１、１０２が基板１００上に形成される。第１および第２のセンサ素子１０１、１０２のそれぞれを支持する第１および第２の部分Ｐ１、Ｐ２に基板１００が分割される。この分割の後に、連結部１１０を曲げながら第１のセンサ素子１０１に対して第２のセンサ素子１０２の向きが変えられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封止空間内の内部圧力を制御して錘部の振動周波数ｆｚを所望のピーク幅に調整可能にする封止型デバイス及び物理量センサを提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２基板と、第１基板上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２基板上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、第１基板上又は第２基板上に形成され、第１基板及び第２基板の接合により封止された半導体基板内の封止空間内部を所望の圧力に設定する内部圧力調整部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い可動部を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】支柱２１と接続した上部駆動電極２３及び上部容量電極２５が、シリコン窒化膜２７を介して、梁状に延びている。つまり、離間し相対向した上部駆動電極２３の端部と上部容量電極２５の端部の、それぞれの上面に接して、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５にほぼ並行して配設されたシリコン窒化膜２７が形成されている。シリコン窒化膜２７は、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５となる導電膜の上面に、連続した工程としてＣＶＤ法により堆積され、その後、ＲＩＥ法でパターニングして形成されたものである。シリコン窒化膜２７は、膜厚や膜質に不連続や不均質な部分が少なく、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５と密着性が良好に形成されている。 （もっと読む）

マイクロ電気機械式共振器は、比較的広い温度範囲にわたって共振器の周波数の温度係数（ＴＣＦ）を低下させるため、約１×１０^１８ｃｍ^−３よりも大きなレベルまで、またさらに約１×１０^１９ｃｍ^−３よりも大きなレベルまでボロンがドープされた半導体領域を有する共振器本体を備えている。ＴＣＦにおけるさらなる改善は、共振器本体にボロンを縮退ドーピングすることと、共振器本体にボロンを利用したアルミニウム・ドーピングを行うこととのいずれかまたは両方によって達成されうる。
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【課題】ＭＥＭＳチップを半導体チップ上にフェースダウン実装した場合においても、半導体チップを経由することなくＭＥＭＳチップからパッケージの外部に結線できるようにする。
【解決手段】可動部１６が半導体ウェハ３１に対向するようにして、ＭＥＭＳチップを半導体ウェハ３１上にフェースダウン実装し、ＭＥＭＳチップと半導体ウェハ３１間の段差が解消されるように、ＭＥＭＳチップの周囲の半導体ウェハ３１上に樹脂層３７を形成し、樹脂層３７の表面および半導体基板の裏面の研削を行った後、半導体基板をウエットエッチングすることで、半導体基板を絶縁膜１２から除去し、パッド電極３３ａに接続されたランド電極４０ａおよび電極１５ｂの裏面に接続されたランド電極４０ｂを樹脂層３８上に形成する。 （もっと読む）

【課題】可動部を面内方向に励振させるのにあたり、不要なメカノイズ成分の発生を有効に抑制できるようにする。
【解決手段】平板状の可動部１１と、前記可動部１１の端縁から離間して配される支持部１２と、前記可動部１１に一端が連結され、前記支持部１２に他端が連結されて、前記支持部１２に対して前記可動部１１を面内方向へ変位可能に支持する弾性支持体１３と、を備える微小電気機械装置（ＭＥＭＳ）において、前記弾性支持体１３を基板の厚さ方向に全て抜いて形成することで、面内垂直方向における中心位置が前記可動部１１の重心位置と合致するように構成する。 （もっと読む）

【課題】トーションバー上のアルミニウム配線の物性変化に起因するアクチュエータの駆動特性の変化を抑制することによりプレーナ型アクチュエータの経時的安定性を向上させる。
【解決手段】トーションバー３に不純物拡散による拡散導通部９を形成し、拡散導通部９上にトーションバー３の軸方向で複数に分断した配線パターンのアルミニウム配線６を配置する。これにより、アルミニウム配線の捩れ剛性がトーションバー全体の捩れ剛性に及ぼす影響を小さくでき、アルミニウム配線の捩れ剛性が変化してもアクチュエータの駆動特性の変化を抑制できるようになる。 （もっと読む）

【課題】捩れ運動が繰返されるトーションバー部分に設けた引出し配線の金属疲労を低減する。
【解決手段】固定部に可動部を揺動可能に軸支するトーションバー３に、可動部側の駆動コイルと固定部側の電極端子を接続する引出し配線６を設ける構成のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、シリコン基板で形成しその上面に引出し配線６を設けたトーションバー下層部３Ａ上に、ガラス材で形成したトーションバー上層部３Ｂを陽極接合することにより、捩り応力の小さいトーションバー中心位置に引出し配線６を設ける構成とした。 （もっと読む）

【課題】 信号の減衰を抑制することができると共に、生産性を向上できるようにする。
【解決手段】 可変容量素子１を、第１，第２の基板２，３に挟まれたシリコン基板４を用いて形成する。シリコン基板４には、支持部５、可動部６、支持梁７および傾斜部８を形成する。また、シリコン基板４の両面には、第１，第２の可動側金属電極９，１０を全面に亘って形成する。第１の可動側金属電極９のうち可動部６に設けた部位は可動側信号電極１３となり、基板２に設けた固定側信号電極１５と対向する。一方、第２の可動側金属電極１０のうち可動部６に設けた部位は可動側駆動電極１４となり、基板３に設けた固定側駆動電極１６と対向する。そして、第１，第２の可動側金属電極９，１０は基板２，３に設けた固定側金属電極１９，２０と圧着接合する。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体の一表面側に設けられた外部接続用電極と気密封止される機能部とを電気的に接続でき、且つ、デバイス特性に悪影響を与える寄生容量を低減できる気密構造体デバイスを提供する。
【解決手段】第１のカバー基板２が、デバイス本体１の上記一表面側に設けられた複数の外部接続用電極１８が露出するようにデバイス本体１に接合され、デバイス本体１が、当該デバイス本体１の一部と各カバー基板２，３とで囲まれる空間に配置された機能部である固定電極２４と外部接続用電極１８とを電気的に接続する配線の少なくとも一部を構成する島部１７と、島部１７を全周に亘って囲む分離溝１１ｃに埋設された絶縁材料からなり上記空間を気密封止し且つ島部１７をデバイス本体１における分離溝１１ｃの外側の支持部１１と電気的に絶縁する絶縁分離部１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ溶液を用いたエッチングを行なうことなくダイヤフラム構造を形成でき、微細化を実現できる半導体センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜３が形成され、さらにその上にゲート−メタル層間膜５が形成されている。ゲート−メタル層間膜５の上面からシリコン基板１に到達して、ＬＯＣＯＳ酸化膜３と比べてエッチング選択比の大きい材料からなる枠状部材９が形成されている。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５及びその上の絶縁膜１７，２３に枠状部材９よりも小さい平面寸法で開口部２５が形成されている。枠状部材９の内側に位置するＬＯＣＯＳ酸化膜３が除去されて空洞９が形成されている。空洞９は開口部２５と連通している。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５の下面に検出部１１が設けられている。検出部１１の一部分は開口部２５に露出している。 （もっと読む）

【課題】保護キャップの外側の配線領域に空洞構造を形成することなく、配線層と半導体基板との間の寄生容量を低減する。
【解決手段】保護キャップ２０の外側に、信号線１５ａ、１５ｂ間に配置された厚膜絶縁層１７ａおよび信号線１５ｂ、１５ｃ間に配置された厚膜絶縁層１７ｂを形成し、厚膜絶縁層１７ａ、１７ｂの露出面全体がそれぞれ覆われるようにして信号線１８ａ、１８ｂを形成し、信号線１８ａは信号線１５ａ、１５ｂに接続し、信号線１８ｂは信号線１５ｂ、１５ｃに接続する。 （もっと読む）

【課題】基板上の空洞部内に機能素子を配置した電子装置において、基板のダイシング工程による帯電の影響を低減することのできる構造及び製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子装置１０は、基板１１と、該基板上に配置された機能素子１０Ｘと、前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部１０Ｃを包囲し画成する素子周囲構造１０Ｐとを備えた電子機器において、前記素子周囲構造の少なくとも一部が導電体１７、１９で構成され、該導電体を電気的に接続するための配線構造１７、１９が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な低コストの方法で、抵抗値を充分に低くでき、貫通穴に充填される金属の熱応力による基板などの破壊が発生しない貫通電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の基板に形成された貫通穴の一端を塞ぐように第２の基板が接合され、前記貫通穴に金属層を設けることにより貫通電極が形成される半導体装置において、前記貫通電極は、前記貫通穴の底面および内壁の表面に形成される第１の金属層と、この第１の金属層の上面に前記貫通穴を充填するように形成される第１の金属層よりも融点の低い第２の金属層、で構成されたことを特徴とするもの。 （もっと読む）