【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換器の特性を長期間にわたって安定させる。
【解決手段】電極を有する基板と、基板に対して一端を固定されて弾性変形する基板側捩じり軸部と、基板側捩じり軸部の他端に支持され、静電力により電極に引き付けられて基板に対して揺動する可動部と可動部の一面と交差する面を有して可動部と一体的に配され、可動部に対する曲げ応力に対抗する構造材とを備える。上記電気機械変換器において、捩じり軸部は、可動部と一体をなしてもよい。また、上記電気機械変換器において、捩じり軸部の他端に支持され、静電力により基板上の電極に引き付けられて基板に対して揺動する枠体と、一端を枠体に固定され、他端において可動部を支持する枠側捩じり軸部とを更に備え、可動部は、枠体に対しても揺動してもよい。 （もっと読む）

【課題】圧電材料を用いたアクチュエータ素子におけるスティッキング（素子の貼り付き）を防止する。
【解決手段】電極対(33,26)に挟まれた圧電体（30）が接合された振動板(24)を含んだ可動部に対向してベース基板(10)が配置される。電極対(33,26)に駆動電圧が印加されることにより可動部がベース基板(10)に近づく方向に変位する。圧電体(30)の分極（Ｐｒ）−電界（Ｅ）ヒステリシス特性は電界に対して偏っており、電極対（33,26）に前記駆動電圧とは逆方向の電圧が印加されることにより、可動部がベース基板(10)から離れる方向に変位する。この逆方向の駆動により、素子の貼り付きを防止する。当該貼り付き防止駆動時の印加電界は、圧電体(30)の抗電界以下、好ましくは抗電界の１０〜８０％とする。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の特性を長期間にわたって安定させる。
【解決手段】基板と、基板に対して揺動する反射鏡とを備えた空間光変調器であって、反射鏡は、反射面と、反射面に交差する面を含み反射面の裏面に配されて反射面に対する曲げ応力に対抗する構造材とを有する。上記空間光変調器において、構造材は、面に更に交差する底面を有してもよい。また、上記空間光変調器において、構造材は、反射面と共に包囲した空間と、当該空間の外部との間を連通させる貫通孔を有してもよい。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）（１０）を形成する方法は、キャップ基板（５２）を提供するステップと、支持基板（１２）を提供するステップと、支持基板上に導電材料（２２）を堆積させるステップと、導電材料のパターニングを行ってギャップ停止部（４０，４４）と接点とを形成するステップとを含む。ギャップ停止部は、開口（３６，３８）によって接点から分離され、接点上で且つ開口中の結合材料（５８）を形成する。ギャップ停止部と接点とは、結合材料を形成するステップによって、結合材料が開口から外側に延びてキャップ基板が支持基板に取り付けられるのを防止する。さらに、その構造が記述される。
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【課題】小型化が可能であり、且つ、低コストで、不要な反射光の方向がミラー面での反射光の方向に揃うのを抑制することが可能なＭＥＭＳ光スキャナおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され、外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、第１のガラス基板２００を用いて形成されミラー形成基板１の一表面側に接合された第１のカバー基板２と、ミラー形成基板１の他表面側に接合された第２のカバー基板３とを備える。第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１とは反対の外表面側に透光性樹脂により形成された成形部６を有し、当該成形部６の表面が、第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側の平面とは非平行な非平行面６１となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明の一実施形態は、作動が速く、衝撃と動きに強い微細液体金属液滴を用いたＲＦＭＥＭＳスイッチを提供することである。
【解決手段】本発明の一実施形態にかかる微細液体金属液滴を用いたＲＦＭＥＭＳスイッチは、信号伝達線を備える第１レイヤ部材と、前記第１レイヤ部材上に配置され、前記信号伝達線に対応して微細液体金属液滴の形状変化を誘導するようにチャンバを形成し、前記チャンバで形状変化する前記微細液体金属液滴を前記信号伝達線に接触／非接触させるように前記チャンバの一側に貫通口を形成する第２レイヤ部材と、前記第２レイヤ部材上に配置され、前記チャンバの開放側を介して前記微細液体金属液滴に形状変化力を提供するように前記チャンバの開放側に備えられる作動部材と、前記作動部材の位置を設定し、前記第１レイヤ部材および前記第２レイヤ部材に結合される第３レイヤ部材とを含む。
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【課題】高い性能を確保しながら、小型化を実現することが可能なアクチュエータの製造方法、アクチュエータ、及び該アクチュエータを用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】電極層と、該電極層に通電することにより変形する金属板と、が積層されたアクチュエータの製造方法であって、金属板の表面に絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の表面に電極層を形成する工程と、電極層が形成された面と同じ側の面に、金属板のエッチング部分に開口を有する第１のレジスト膜を成膜する工程と、金属板の絶縁膜が成膜された面と反対側の面に、第１のレジスト膜の開口部分が表裏で略同じ形状になるように第２のレジスト膜を成膜する工程と、第１のレジスト膜および第２のレジスト膜をエッチングマスクとして、エッチング法を用いて金属板を除去することにより、該金属板の形状を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスの周囲に設けられる中空領域の形状を安定化させる。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス８０は、ＭＥＭＳ素子領域２００上に第１の中空領域１０
０が設けられる。第１の中空領域１００の外周部には第１の中空領域１００よりも高さの
低い第２の中空領域１０１が設けられる。第２の中空領域１０１の外周部には第２の中空
領域１０１よりも高さの低い第３の中空領域１０２が設けられる。第１の中空領域１００
、第２の中空領域１０１、及び第３の中空領域１０２上には、絶縁膜７が設けられる。絶
縁膜７及び第３の中空領域１０２の側面には絶縁膜８が第１の中空領域１００、第２の中
空領域１０１、及び第３の中空領域１０２を覆うように設けられる。積層される絶縁膜７
及び８には開口部９が設けられ、開口部９を封止するように、有機膜１０及び絶縁膜１１
から構成される封止材が設けられる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサーなどの物理量センサー、および、物理量センサーを比較的容易に製造できる物理量センサーの製造方法、および、物理量センサーを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量型加速度センサー１００は、固定部としての固定枠部１１０と、可動錘部１２０と、固定電極を有する固定電極部（固定腕部）１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動電極を有する少なくとも一つの可動電極部（可動腕部）１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有し、固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）は、第１積層構造体ＡＩＳの側面に形成された、固定電極としての第１側面導体膜ＣＱ１（ＣＱ１ａ，ＣＱ１ｂ）および第１接続電極部Ｌ４（Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ）と、を有し、可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）は、第２積層構造体層構造体ＢＩＳの側面に形成された、可動電極としての第２側面導体膜ＣＱ２（ＣＱ２ａ，ＣＱ２ｂ）および第２接続電極部Ｌ５（Ｌ５ａ，Ｌ５ｂ）を有する。 （もっと読む）

本発明は、一般に、ホット・スイッチング(hot switching)が可能なＲＦ ＭＥＭＳデバイスに関する。ＲＦ ＭＥＭＳデバイスは、１つ又はそれ以上のスプリング機構を利用することによって、ホット・スイッチングが可能である。ある実施形態では、２つ又はそれ以上のスプリングセットが使用でき、ＭＥＭＳデバイスのカンチレバーの変位における特定ポイントにおいて関与する。スプリングは、所定の引き込み(pull in)着地電圧で、解放電圧の著しい増加を可能にする。
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【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】動作不良の発生が抑制され且つ製造時において製造プロセスで使用する薬品による損傷を低減できるマイクロリレーを提供する。
【解決手段】マイクロリレーは、厚み方向の一表面側に２対の固定接点１４，１４が設けられたベース基板１と、シリコンにより形成され且つベース基板１の前記一表面側に配置された蓋体１７と、シリコンにより形成された可動基台３０ａおよびＦｅ系の磁性体により形成された磁性体部３０ｂからなるアーマチュア３０を有するアーマチュアブロック３とを備える。磁性体部３０ｂと蓋体１７とには、最表面に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属が露出し磁性体部３０ｂと蓋体１７との接触を防止する第１の保護膜５１と第２の保護膜５２とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

本開示は、投影ディスプレイ用の高速スイッチングミラーアレイを製作する方法を示す。ミラーは、下地のスプリング支持体に接続された中間にビア(via)を有していないため、既存の技術のように、脚またはビアからの光散乱を有していないことに起因して、改善したコントラスト比が得られる。支持コンタクトが存在しないため、ミラーはより小型に製作でき、より高密度のディスプレイを製作するために使用できるより小型な画素を製作できる。さらに、支持するスプリング支持体からの復元力が存在しないため、ミラーは、定位置のままで、付着に起因して一方向または他の方向に向く。このことは、ミラーを定位置に保持するための電圧を使用する必要がないことを意味する。このことは、ディスプレイを動作させるのに必要な電力が少ないことを意味する。
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【課題】回路素子と機能素子とが同一基板上に絶縁膜を介して積層して形成される電気部品において、２つの素子間を結ぶ接続配線の信頼性を従来に比して高められる電気部品を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタ１１に接続され、第１の絶縁膜２０上に形成される第１の配線２２Ａと、第１の配線２２Ａ上に形成される第２の絶縁膜３０を介して形成され、ＭＥＭＳ素子５０に接続される第２の配線３１と、第２の配線３１上を覆う第３と第４の絶縁膜４０，６０と、第２の配線３１と第１の配線２２Ａとを接続する接続配線７０とを備え、接続配線７０は、第２の配線３１の形成位置内で第４と第３の絶縁膜６０，４０を貫通する第１のビア７１と、第１の配線２２Ａの形成位置内で第４〜第２の絶縁膜６０，４０，２０を貫通するビア７０２と、第４の絶縁膜６０上で第１と第２のビア７０１，７０２とを結ぶ接続用配線７０３とが同一材料で一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて圧電定数ｅ_３１を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて、比誘電率を小さくできるとともに、より圧電定数ｅ_３１を大きくすることが可能な発電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板２０ａを用いて形成した振動子形成基板２０と、振動子形成基板２０の撓み部２２に形成され下部電極２４ａ、圧電層２４ｂ、上部電極２４ｃを有する発電部２４とを備え、圧電層２４ｂを、ＰＺＴとリラクサーペロブスカイトとからなる多成分ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜（ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜）により構成してある。製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】減圧封止環境下で好適に使用可能なマイクロミラーデバイスを提供する。
【解決手段】マイクロミラーデバイス１００は、可動ミラー１１２を有するマイクロミラーチップ１１０と、マイクロミラーチップ１１０に対向して配置される電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０との間に配置されてマイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とを接合するハンダバンプ１５０とを有している。マイクロミラーチップ１１０はまた４つの薄膜永久磁石１２４を有している。電極基板１３０はまたシート状永久磁石１３８を有している。シート状永久磁石１３８と薄膜永久磁石１２４は互いに引き合うことにより、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とハンダバンプ１５０が相互に密着される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス中に、シリコンゲルマニウム層と、ＣＭＯＳ金属層や他のシリコンゲルマニウム層のようなこのシリコンゲルマニウム層に接続する層との間に、双方の層を分離する誘電体層スタック中の開口部を通る低抵抗コンタクトを形成する方法を提案する。
【解決手段】誘電体層６の開口部中に中間層である界面層１４を形成し、これによってこの開口部の底部と開口部の側壁を覆う。この中間層はシリコンゲルマニウムＭＥＭＳ電極８と、ＭＥＭＳ成分を含むシリコンゲルマニウム構造層４との界面となる。中間層、すなわち界面層１４は、ＴｉＮ層またはＴａＮ層より成る。 （もっと読む）