【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】基板内で高さの均一な複数の微小構造体を作製し、安定した接着性を実現する。
【解決手段】第１の基板１２Ａ上に、第１の高さｈ１を有する第１の構造体１４Ａと、これよりも高い第２の高さｈ２を有する第２の構造体１６Ａとが設けられ、第２の基板１２Ｂを第１の基板１２Ａに重ね、第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを高さ方向に収縮させ、当該第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを第１の構造体１４Ａ，１４Ｂにより規定される高さの構造体18に変形させた状態で、基板同士を接着する。第２の構造体１６Ａ，１６Ｂは、例えば、金属粒子を材料とするポーラス構造体である。第１の構造体１４Ａ，１４Ｂは、同じ押し圧による変形量が第２の構造体１６Ａ，１６Ｂよりも小さい材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を形成したときの可動部の反りをできるだけ少なくし、電極間ギャップなどの精度の向上を図ること。
【解決手段】キャビティ２１が形成された第１の基板１１ａと、第１の基板におけるキャビティが形成された面側に接合され、キャビティに対応する位置に可動部ＫＢを画定するスリット１６が形成された第２の基板１１ｃと、を備え、第２の基板における第１の基板に対向する表面には、可動部に対応する位置に選択的に熱酸化膜２２が形成された、基板１１を準備する工程と、可動部における熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第１の電極層１２ａを形成する工程と、第１の電極層および第２の基板上に犠牲層３１を形成する工程と、犠牲層上に第２の電極層を形成する工程と、第２の電極層を形成した後に、犠牲層３１および熱酸化膜２２を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の厚みを薄くすることができ、しかもＣｕ電極の厚みを薄くしてもＣｕ電極にクラックやボイド、剥がれなどが生じにくく、接合強度の高い電極構造を提供する。
【解決手段】カバー基板７１に設けた貫通孔７２にＣｕの貫通配線７５を設ける。カバー基板７１の表面において、貫通配線７５の端部にはＣｕ電極８２を設ける。Ｃｕ電極８２の表面は、Ｓｎの拡散係数が３×１０^−２３ｃｍ^２／sec以下である材料、例えばＴｉやＮｉからなる拡散防止膜８３でＣｕ電極８２の全体を覆う。さらに、拡散防止膜８３の上にＡｕからなる濡れ性改善層８４を設け、その上にＡｕ−Ｓｎ系はんだからなる接合用のはんだ層８５を設ける。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値の変動を抑制することができ、特性の安定した可変容量デバイスを提供する。
【解決手段】固定電極１２、固定電極の上に形成された誘電体層１３、誘電体層の上に形成されたキャパシタ電極１４、キャパシタ電極に対向して設けられキャパシタ電極に対して接離可能な可動電極１５、およびキャパシタ電極１４の表面に形成された突起２１を有する。キャパシタ電極１４と可動電極１５との間において、突起２１を介した間接的な接触時に、接触抵抗Ｒｍおよび接触容量Ｃｍが形成され、接触抵抗Ｒｍの抵抗値および接触容量ＣｍのリアクタンスＸＣｍによる誘電正接ｔａｎδ＝ＸＣｍ／Ｒｍの逆数をＱ値としたときに、Ｑ値が１０以上となるように、接触抵抗Ｒｍの抵抗値が設定される。 （もっと読む）

【課題】気密封止光偏向器パッケージを有する画像表示装置における往復走査の同期方式はパッケージ外に設けた光ビーム検出器の検出信号に基づいて行っていたために、有効光ビームへの影響が大きく、装置が大型化する。
【解決手段】封止ガラス１は中央に光学透過窓１１を有し、その周辺に遮光カバー１２ａが形成された遮光部１２を有する。光偏向器２をセラミック実装基板３のキャビティ３ａ内に配置し、セラミック実装基板３のキャビティ３ａを封止ガラス１によって気密封止してある。有機薄膜フォトセンサ４ａ、４ｂはパッケージ内部にあって、光偏向器２のマイクロミラー２１から反射される走査光ビームが通過する光学透過窓１１の極近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを材料として用いた場合でも犠牲層の表面をできるだけ平坦とすることができ、犠牲層の上に形成される可動梁のような第２の電極を適正に形成することのできる方法を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に、少なくとも一方の端部にテーパ側壁ＴＳ１を有した基部電極１４ａを形成する工程と、基部電極１４ａが形成されていない領域から延びてテーパ側壁ＴＳ１の上方に重なるようにかつ端部に当該テーパ側壁ＴＳ１と逆の方に傾斜するテーパ端面ＴＳ２を有する犠牲層ＢＧＰ０を形成する工程と、基部電極１４ａの上に、犠牲層ＢＧＰ０のテーパ端面ＴＳ２に当接するスペーサ１４ｂを形成する工程と、犠牲層ＢＧＰ０およびスペーサ１４ｂの上に可動電極１５を形成する工程と、可動電極１５を形成した後で犠牲層ＢＧＰ０を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】圧電素子のヒステリシス特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】上電極８０とリード電極との密着性を高めるスパッタエッチングにおいて、上電極８０の表面を、Ａｒガス流量を６０ｓｃｃｍ以上で導入しながらスパッタエッチングすることにより、Ａｒガスの導入によるＡｒガスの流れによって、Ａｒイオンの上電極８０表面での滞留時間を短くできる。したがって、イオン化したＡｒガスが表面に滞留することによる上電極８０のチャージアップを抑えることができ、チャージアップによる圧電素子３００への影響を少なくでき、圧電素子３００の圧電体層７０のヒステリシス特性のばらつきおよび変位特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】硬度の高い接点材料を用いて対向面積の大きな接点を形成する。
【解決手段】可動接点部３４の移動方向の端面と固定接点部３３の端面が対向する。固定接点部３３は、固定接点基板４１の上方に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層４４と導電層４５が複数層交互に積層される。導電層４５の可動接点部３４と対向する端部は緩衝層４４の端面よりも突出しており、導電層４５の端面が固定接点４６（接触面）となる。可動接点部３４は、可動接点基板５１の上に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層５４と導電層５５が複数層交互に積層される。導電層５５の固定接点部３３と対向する端部は緩衝層５４の端面よりも突出しており、導電層５５の端面が可動接点５６（接触面）となる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの簡素化が可能で、低電圧駆動による高ストローク出力が可能なアクチュエータを用いた乱流制御装置を提供する。
【解決手段】流体との境界面を形成する壁に設置される乱流制御装置であって、振動板(30)の面上に第１電極(40)、圧電体膜(44)及び第２電極(46)が積層されて成るダイアフラム型圧電アクチュエータ(20)群を備える。第１電極(40)及び第２電極(46)間への電圧印加により可動部(32)を変位せて流体との境界面を変形させることで、壁乱流を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ装置が備える性能を十分に発揮しうる装置構成を採用しつつ、徒らに製造工程数が増加することを防止し、製造時間の短縮を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる有機絶縁膜３と、有機絶縁膜３上に、有機絶縁膜３よりも薄く形成される無機絶縁膜４と、無機絶縁膜４上に形成され、その内部にＭＥＭＳ素子５を中空に封止する中空封止構造体６と、有機絶縁膜３と無機絶縁膜４とを貫通して形成される貫通孔７と、貫通孔７に充填されて基板２に形成される電極とＭＥＭＳ素子５とを電気的に接続する導電性部材８とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子回路とＭＥＭＳとを一般的な半導体製造技術を用いて一体化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に設けられた電子回路と、電子回路が設けられた領域とは別の領域に設けられ少なくとも圧電体を含むＭＥＭＳを備える。電子回路の上部には多層の層間絶縁膜と、これら層間絶縁膜の所定領域に形成されたビアホールと、ビアホールに形成された第１金属プラグ、第２金属プラグ、第３金属プラグ、第４金属プラグを備える。ＭＥＭＳの上部には多層の層間絶縁膜とほぼ同じ厚みを有する堆積膜を備え、堆積膜はＭＥＭＳの構造体の一部となる。 （もっと読む）

【課題】高い導電性を有しかつ繰り返し動作しても機械的な物性の変化が抑制される可動部を備えたＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられる支持層１４ａ、１４ｂと、基板１１上に設けられる固定電極１２と、支持層１４ａ、１４ｂによって支持されており、固定電極１２と対向して設けられる可動電極１３と、を備え、可動電極１３は、導電性を有する材料からなる電気的機能層１３１と、電気的機能層１３１よりも強度が高い材料または電気的機能層１３１よりも脆性が高い材料からなる補強材料層１３２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の特性を長期にわたって安定させる。
【解決手段】電極、静電力により電極に引き付けられて揺動する可動部、および、可動部に支持されて可動部と共に揺動する反射鏡をそれぞれが有する単位素子を複数実装された基板と、反射鏡の間から基板に向かって差し込む光を遮断する遮光層とを備える。上記空間光変調器において、遮光層は、反射鏡および基板の間に配されてもよい。また、上記空間光変調器において、遮光層は、反射鏡および可動部の間に配されてもよい。 （もっと読む）

【課題】スプリング構造を備えている極細、肉薄の通電検査治具用接触子を、より精度高く、より精密に製造する。
【解決手段】心材の外周にメッキにより金めっき層を形成した後、形成された金めっき層の外周に電鋳によりＮｉ電鋳層を形成し、前記Ｎｉ電鋳層の外周にレジスト層を形成した後、レーザーで露光して前記レジスト層に螺旋状の溝条を形成し、前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行い、前記レジスト層に螺旋状の溝条が形成されていた部分のＮｉ電鋳層を除去し、前記レジスト層を除去すると共に、前記Ｎｉ電鋳層が除去された螺旋状の溝条部分の金めっき層を除去し、金めっき層を前記Ｎｉ電鋳層の内周に残したまま前記心材のみを除去する。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光の反射効率が高く、製造プロセスが簡便な空間光変調素子を提供する。
【解決手段】空間光変調素子の製造方法であって、電極が形成された電極側基板を準備するステップと、電極との間の静電力により可動する可動部、可動部の動きに連れて傾斜する反射鏡および可動部を支持する支持部を有する可動側基板を準備するステップと、可動側基板の支持部を電極側基板に貼り合わせるステップとを備える製造方法が提供される。可動側基板を準備するステップは、基板本体を準備するステップと、基板本体の一面をエッチングすることにより可動部を形成するステップと、可動部上に反射鏡を成膜するステップと、基板本体に他面をエッチングすることにより支持部を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳが搭載される半導体基板と高周波動作で使用される電子部品との電磁的な結合を低減しつつ、そのような電子部品をその半導体基板上に形成する。
【解決手段】可動電極１２を覆うようにして可動電極１２と間隔を空けて配置された絶縁層１３およびキャップ膜１４を層間絶縁層８上に形成し、可動電極１２の周囲には空洞Ｕを形成し、キャップ膜１４上には導電層１５ａを形成するとともに、層間絶縁層８上には再配線１５ｂが形成され、導電層１５ａにて伝送線路を構成する。 （もっと読む）