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Fターム[3K007BA06]の内容

電場発光光源(EL) (25,498) | 形状 (2,570) | マトリックス形、EL層の両側で帯状電極群が交差 (2,158)

Fターム[3K007BA06]に分類される特許

2,121 - 2,140 / 2,158


【課題】 RGB画素毎に特性が均一な有機EL素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第1、第2及び第3の画素領域を備えた基板と、前記基板上に前記各画素領域毎にそれぞれ形成されている第1の電極層と、基板全面に前記第1の電極層上に形成されている正孔注入層と、前記第1の電極層上に前記第1、第2及び第3の画素領域上に形成されている第1の正孔輸送層と、隣接する2つの画素領域の前記第1の正孔輸送層上に形成されている第2の正孔輸送層と、前記隣接する2つの画素領域のいずれか一つの画素領域の前記第2の正孔輸送層上に形成されている第3の正孔輸送層と、前記各正孔輸送層上に形成されている第1、第2及び第3の有機発光層と、前記各有機発光層上に形成されている第2の電極層とを含むことを特徴とする有機EL素子及びこの製造方法によって、素子特性が均一で、製造時の タック・タイムを少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりを向上できるとともに表示品位の良好な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板120上において、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極66と、第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、第1電極60の周縁に沿って配置され各画素を分離する隔壁70と、を備えた表示装置であって、隔壁70は、そのボトム70Bから有機活性層64より厚い膜厚を有する下層部71において第1電極60の周縁に沿った端面71Aと基板主面120Aとの成す角度が10°以上30°以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 書込時間に対するマージンを損なうことなく完全な黒データ信号を書込むことのできる表示装置を提供する。
【解決手段】 1列に整列する画素(PX1−PX3)に対し、複数のデータ線(DL1O,DL1E)を設け、一方を所定電圧(VP)にプリチャージし、かつ他方を介して選択画素に書込電流または黒データに対応する電圧を供給する。これらのデータ線には、異なる行の画素が所定のシーケンスで接続される。 (もっと読む)


【課題】表示部が小さく、高精細度化に適した、寿命のバラツキが少ない、有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】陰極101と陽極109との間に挟持された複数の発光層から成るエレクトロルミネセンス発光部において、各々の発光層103,105,107の上部に、輸送層104,106,108を設けた。 (もっと読む)


【課題】 周辺光の明るさによって画像表示部の輝度を制御できる有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る有機発光表示装置は,周辺光の明るさに対応する感知信号を出力する光感知部100と,感知信号100に対応するガンマ補正値を出力するガンマ制御部200と,ガンマ補正値によってガンマ補正されたデータ信号と選択信号とを出力する駆動部600と,駆動部600で出力される選択信号及びデータ信号によって画像を表示する画像表示部400とを有している。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス発光ダイオードの画素構造及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明は、アクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイに応用し、四個のトランジスタと一つのストレージコンデンサ、及び、三つの信号ラインを利用する。第一トランジスタと第二トランジスタはP型トランジスタで、それぞれ、第一及び第二スキャンラインにより制御される。第三トランジスタと第四トランジスタは、電流ミラーを構成し、各画素中で、有機発光ダイオードを通過する電流を、データライン書き込みの電流と等しくし、これにより、各画素間の有機発光ダイオード輝度は、しきい電圧の影響を受けず、均一になる。 (もっと読む)


【課題】発光輝度の向上、且つ、消費電力の低減を可能とする有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機EL表示素子は、基板102上に、有機発光層110を挟んで互いに交差するように形成されたアノード電極104及びカソード電極112と、アノード電極104と交差するように形成され、カソード電極112と並設される隔壁と、アノード電極104上において発光領域を画定し、外部光を遮断する導電性遮光膜106と、導電性遮光膜106を覆うように形成され、発光領域を画定する絶縁膜107とを備える。導電性遮光膜106は、不透明導電性物質で形成されることにより、透明基板102及びアノード電極104を通して入射される外部光を遮断又は吸収する。 (もっと読む)


【課題】 配線基板上の配線を少なくすることができ、TFTチップを小型化することができ、TFTチップと画素電極との電気抵抗を低く抑えることができる半導体素子、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 チップ本体16の面16a及び面16bの両面にそれぞれ有機EL側電極17及び配線側電極18を有している。両面に電極を形成すると、表裏のいずれか一面に電極を形成する場合と比べて、電極間のスペースに余裕ができる。従って、余裕ができた分、本実施形態のようにTFTチップ4を小型化することができる。 (もっと読む)


【課題】 機能液滴吐出ヘッドの移動開始時および終了時においても、機能液滴吐出ヘッドに供給する機能液の水頭圧を適切に調整可能な圧力調整弁を備えた液滴吐出装置等を提供することを課題とする。
【解決手段】 機能液滴吐出ヘッド41と、機能液タンク81と、弁体106をダイヤフラム105の表面に対し直交する方向に進退させて連通流路103を開閉し、2次室102を圧力調整する圧力調整弁91と、機能液滴吐出ヘッド41および圧力調整弁91を搭載するキャリッジ14と、主走査を行う際に、ワークWを主走査方向に移動させるX軸テーブル12と、副走査を行う際に、キャリッジ14を介して機能液滴吐出ヘッド41を副走査方向に移動させるY軸テーブル13と、を備え、圧力調整弁91は、ダイヤフラム105の表面が副走査方向と略平行になるようにキャリッジ14に搭載されている。 (もっと読む)


【課題】 電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板の一面上に形成された薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層の一面上に形成された一つ以上の絶縁層と、前記絶縁層の上部に配置され、第1電極層、第2電極層、及びこれら間に配置される電界発光部を含む画素層と、を備え、前記画素層には、前記第1電極層の下部に配置され、前記TFT層のソース/ドレイン電極のうち一つと直接接触する反射層を備えるが、前記反射層は、この反射層を通じて第1電極層とソース/ドレイン電極との間に直接的な接触が発生する貫通部を備え、この貫通部は前記絶縁層のビアホールより小さいサイズを有することを特徴とする電界発光ディスプレイ装置である。 (もっと読む)


【課題】 COG実装により形成される有機EL表示装置に対して、短時間で効率的にエージング処理を施す。
【解決手段】 陽極1の層と陰極2の層とを電気的に絶縁するための絶縁膜12の層の下層であって、陰極引き回し配線11と有機EL素子7との間の部位において、陰極接続配線6を形成する。陰極接続配線6は、陰極引き回し配線11に接触しない。従って、陰極接続配線6は、いずれの陰極引き回し配線11に阻止されることなく有機EL表示装置の周囲部にまで延びることができる。その結果、有機EL表示装置の外部で、陰極接続配線6を介して全ての陰極引き回し配線11を電気的に接続することができる。 (もっと読む)


【課題】 ソース/ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な,薄膜トランジスタ,その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは,基板110と,基板110上に形成されたゲート電極120と,ゲート電極120上に形成されるゲート絶縁層130と,ゲート電極120と絶縁されるようにゲート絶縁層130上に形成されるソース/ドレイン電極140a,140bと,ソース/ドレイン電極140a,140bと接するとともに,ゲート電極120と絶縁される有機半導体層150と,を含み,ソース/ドレイン電極140a,140bの少なくとも有機半導体層150と接する部分には酸化部140´a,140´bが設けられ,酸化部140´a,140´bを構成する物質は,有機半導体層150のHOMOエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 (もっと読む)


マトリックス表示素子は、その各々が、表示素子(20)と、該表示素子の動作を制御する制御回路とを有する、そのアドレス指定可能画素のアレイ(10)を備える。該制御回路は、電荷蓄積コンデンサ(36)と、該蓄積コンデンサに結合されて、その感光素子(40)上に照射する光によって該蓄積コンデンサ(36)上に蓄積される電荷を調節するその感光素子(40)とを有する。該制御回路は更に、好適的には光トランジスタである、該感光素子(40)のゲート端子の電圧独立制御手段(42)を備える。このようにして、該光トランジスタのバイアスの効率と柔軟性とを増大させることが可能になる。該手段は、好適的には、該感光素子(40)のゲート端子に接続されている第2行線(42)を備える。このような別の線によって、この種類の画素回路に、同一極性のトランジスタを用いることも可能となり、更にプロセス・マスク(及びコスト)が節減される。更に、該光トランジスタをTFTスイッチとして用いることが可能となる。このデュアル機能(光トランジスタ/TFTスイッチ)によって、画素回路が、例えば、動きのぶれを補償するデューティ・サイクル手法などの、別の特徴を備えることが可能となる。
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【課題】 一画素内に3色以上の自発光素子を配備させることで色再現性の高い多色化が可能で、高精細度を有する発光表示装置を高い生産性で製造する。
【解決手段】 異なる発光色の自発光素子10を有する一画素pを複数形成することで多色表示を行う発光表示装置において、一画素pにおける第1発光色の自発光素子10は、少なくとも2回の成膜工程で積層された前記第1発光色を呈する発光層21C1a,21C1bを有し、一画素pにおける第2発光色の自発光素子10は、少なくとも2回の成膜工程で積層された第2発光色を呈する発光層21C2a,21C2bを有し、一画素pにおける第3発光色の自発光素子10は、少なくとも2回の成膜工程で積層された第1発光色を呈する発光層21C1aと第2発光色を呈する発光層21C1bとを備える。 (もっと読む)


【課題】表示品位の低下を抑制しつつ画素回路と接続する配線構造の数を低減した表示装置を実現する。
【解決手段】画素回路1aは、有機EL素子3aと、有機EL素子3aに流れる電流を規定する薄膜トランジスタ4aと、コンデンサ5aと、薄膜トランジスタ4aの駆動状態を制御する第1スイッチング素子6aと、電荷蓄積工程および閾値電圧検出工程の際に機能する第2スイッチング素子7a、第3スイッチング素子8aとを備える。有機EL素子3aの陰極側と接続する陰極電位線17aは前段の画素回路1bと共用する一方、第2スイッチング素子7a、第3スイッチング素子8aの駆動状態を制御する第1制御線18aおよび第2制御線19aは後段の画素回路1cと共用する構成を有する。 (もっと読む)


【課題】 より高精細なパターンの形成が可能な、液滴吐出法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 パターンが形成されたモールドを絶縁膜に押し付けた状態で絶縁膜の硬化を行なった後、モールドを取り外すことで、絶縁膜に凹部を形成し、導電材料を有する液滴を吐出することにより、凹部に導電膜を形成し、導電膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】アノードおよびカソードを異なった基板の上に形成し、電極の電気導電性及び透明度を最適化し、電極の下の有機材料層の一体性を保持した有機エレクトロルミネセンス装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の基板と、導電層と第2の基板とからなる有機エレクトロルミネセンス装置を提供する。第1の電極層と有機機能層とが第1の基板上に順次配置され、第2の電極層が第2の基板上に配置されている。導電層が機機能層と第2の電極層との間に挟まれている。第2の電極層は該導電層を介して有機機能層に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】有機電界発光表示装置のピクセル回路及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明は、二つ以上の発光素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち、隣接する二つの画素の二つ以上の発光素子のうち、一部発光素子は第1発光素子グループEL1_R、EL1_B、EL2_Gとしてグルーピングされ、残りの発光素子は第2発光素子グループEL1_G、EL2_R、EL2_Bとしてグルーピングされ、前記第1発光素子グループEL1_R、EL1_B、EL2_Gと第2発光素子グループEL1_G、EL2_R、EL2_Bは、前記一定期間内で順に駆動されて前記一定区間で所定の色を具現する。前記一定区間は1フレームであり、前記1フレームは二つのサブフレームで分割され、第1発光素子グループEL1_R、EL1_B、EL2_Gと第2発光素子グループEL1_G、EL2_R、EL2_Bは各サブフレームごとに時分割的に駆動される。 (もっと読む)


【課題】駆動TFTのしきい値変動の悪影響を減少する。
【解決手段】選択TFT20、補正TFT22がオンし、データラインのデータ電圧が駆動TFT24のゲート電圧として保持容量28に保持される。選択TFT20をオフ後、保持容量ラインSCの電圧を立ち下げ、駆動TFT24をオンして駆動電流を有機EL素子26に流す。補正TFT22は、保持容量ラインSCの立ち下がり前はオンで、立ち下がり途中でオフし、ゲート電圧の立ち下がり中に補正TFT22の容量値が変化し、駆動TFT24のゲート電圧の立ち下がり勾配が変化し、駆動TFT24のしきい値変化に対応して、保持容量ラインSC立ち下がり後のゲート電圧が設定される。保持容量の容量値を補正トランジスタのゲート容量値に基づいて決定し、パルス電圧ラインの電圧変化の際に保持容量に流れ込む電荷量を適切に設定し、駆動TFTのしきい値変動の駆動電流への影響を効果的に減少できる。 (もっと読む)


【課題】 高精細化,開口率,収率を向上させ,RCディレイ及び電圧降下を防止し,画素構成及び配線を単純化することができる表示装置のピクセル回路及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】 有機電界発光表示装置は,所定区間ごとに所定の色を具現する表示装置のピクセル回路において,所定区間内でそれぞれ一つの色を放出する複数の発光素子(EL1_R,EL1_G,EL1_B)と,これらの発光素子に共通連結されて,各発光素子を駆動するための能動素子(540,550)を備えている。能動素子は所定区間内で所定期間ごとに各発光素子を順次に駆動し,これによって各発光素子は,所定期間ごとに順次に発光する。 (もっと読む)


2,121 - 2,140 / 2,158