【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】発光素子を、劣化等による電流特性の変化によらず一定の輝度で発光させることが可能で、且つ、各画素への信号の書き込み速度が速く、正確な階調が表現可能で、また、低コストで、小型化可能な表示装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】表示装置の各画素はそれぞれ、電流源回路と、スイッチ部と、発光素子とを有する。発光素子と、電流源回路と、スイッチ部とは、電源基準線と、電源線の間に直列に接続されている。デジタルの映像信号を用いることによって、スイッチ部のオン・オフを切り替える。また、電流源回路を流れる一定電流の大きさは、画素外部より入力される制御信号によって定められる。スイッチ部がオン状態の場合は、発光素子には、電流源回路によって定まる一定電流が流れ発光する。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、かつ表面抵抗値が低い透明導電性積層体および該透明導電性積層体を簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】透明基材１０と、透明基材１０の上に形成された透明導電性材料からなる透明導電層２０とを有する透明導電性積層体１であって、透明基材１０が、隣り合う突起１２中心間の平均間隔が４００ｎｍ以下である複数の突起１２を表面に有し、透明導電層２０が、突起１２の上に選択的にかつ透明導電性積層体１の面方向に互いに離間して形成された複数の柱状部２２と、柱状部２２および柱状部２２の間の空隙２６を覆うように連続して形成された層状部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下の範囲において、−２５℃以上１５０℃以下の動作温度範囲で、チャネル幅が１μｍあたりのオフ電流の値を１×１０^−１２Ａ以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】透明性、導電性且つ生産後のロール状態での保存性が良好な有機電子デバイス用電極の提供。
【解決手段】透明基材上に、導電性の金属細線パターンと、導電性ポリマー層を設けた有機電子デバイス用電極において、該金属細線パターンの金属細線の厚みをａとし、開口部における該導電性ポリマー層の厚みをｂとしたとき、以下式１〜式３で表される条件を満たし、且つ、導電性ポリマー層がπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んでなる導電性ポリマーおよび下記ポリマー（Ａ）を有する有機電子デバイス用電極。０．２≦ａ≦２．０（式１）０．２≦ｂ≦２．０（式２）−０．２≦ｂ−ａ≦１．８（式３）
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【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極およびドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過してハロゲン元素を導入（添加）し、加熱処理を行う。このハロゲン元素導入および加熱工程によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】優れた特性の正極を有機発光層が損傷することなく形成できる有機発光表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる有機発光表示装置は、複数の画素が定義された基板、各画素に位置した薄膜トランジスター、この薄膜トランジスターと連結された負極、この負極上に位置した有機発光層、及びこの有機発光層上に位置する正極を含む。正極は有機発光層上に位置する補助層、この補助層上に位置する導電層、及びこの導電層上に位置する絶縁層を含む。 （もっと読む）

【課題】光透過性の上部電極の配線抵抗が大きいことに起因する表示むらを低減する。
【解決手段】上面出射方式では、光取出し側の上部電極に光透過性の導電膜を用いることが必要となるが、光透過性を有する導電材料は通常の金属材料と比較して抵抗率が高く、上部電極の画面面内で電極電圧が不均一となることがあり、表示品位を低下させる。その対策として、ＳＵＳなどの導電性を持つ支持基板１０１を使用し、支持基板１０１を上部電極５０８と接続する。たとえば、カソード配線の低抵抗化を図るパネル外周部のカソード補助電極５０４_2と上部電極５０８を接続するパッドＣＰｋ_2の部分で支持基板１０１と接続する。導電性を持つ支持基板１０１が光透過性の上部電極５０８に対して並列配線として機能し、全体的には、有機ＥＬ素子１２７のカソード側の電極（並列接続された各電極）の配線抵抗が小さくなり、表示面内での表示むらをより確実に低減できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンで形成された半導体層１４２を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層と基板１１０との間に前記半導体層と絶縁するように位置する金属パターンをさらに含み、前記半導体層の多結晶シリコンは、結晶成長方向と平行な結晶粒界を含み、表面における波状線の最大ピークと最小ピークとの間の距離として定義される表面粗度が１５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】選択トランジスタや初期化トランジスタに寄生する容量を低減する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと選択トランジスタＴslと初期化トランジスタＴintとが配置される。駆動トランジスタＴdrは、電源線１５から発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。駆動トランジスタＴdrのゲート電極の電位は、オン状態となった選択トランジスタＴslを介して供給されるデータ信号に応じて設定される。駆動トランジスタＴdrはオン状態の初期化トランジスタＴintを介してダイオード接続される。基板１０に垂直な方向からみて、電源線１５は、駆動トランジスタＴdrと重なり合い、選択トランジスタＴslおよび初期化トランジスタＴintには重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】書込期間の電源電圧の変動を防止する。
【解決手段】書込期間では第１トランジスタ４１２がオンしてデータ信号Ｘｊが容量素子４２０の一端に供給される。このとき、第２トランジスタ４１４はオフするので、駆動電流がＯＬＥＤ素子４３０に流れない。電源線Ｌを介して電源電圧Ｖｄｄが容量素子の他端に供給されるが、書込期間においては駆動電流が流れないので、電源線Ｌの配線抵抗によって電源電圧Ｖｄｄが降下することがない。一方、発光期間においては、第１トランジスタ４１２がオフし第２トランジスタ４１４がオンする。これにより、駆動電流がＯＬＥＤ素子４３０に供給される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の向上を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。特に、プラズマ処理後に不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）を形成するので、不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）がプラズマに晒されて変質することがなく、薄膜トランジスタ５、６において、結晶性シリコンを含む半導体膜５ｂ、６ｂに応じたオン電流の向上が得られる。 （もっと読む）

【課題】オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、良好な画質を有するとともに、製品の歩留まりを向上させることができる発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン領域となる不純物半導体領域１６が、チャネル保護層１５を含むマスクを用いたイオンドーピングにより形成され、また、シリサイド領域１７が、当該不純物半導体領域１６上へのソース、ドレインメタル層の成膜後のアニールにより不純物半導体領域１６の活性化と同時に形成される。ソース、ドレイン電極１８は、チャネル保護層１５からアライメントずれの最大量よりも離間するように配置形成される。また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域であるデバイスエリアが、上記ソース、ドレイン電極１８となるソース、ドレインメタル層１８ｘのパターニング時に同時に画定される。 （もっと読む）

【課題】定電圧ユニットからの電圧を受けて駆動される定電流ユニットにより照明負荷を点灯する過電流防止式電源装置において、定電圧ユニットによる電圧供給開始後の定電流ユニットの起動に伴う過電流により定電圧ユニットの制御動作が停止することを防止する。
【解決手段】電源装置１は一定電圧を出力する定電圧ユニット２と、定電流ユニット３と、定電圧ユニット２による電圧供給開始後の経過時間を計測するタイマ４とを備える。タイマ４は、各ユニット２、３の動作開始までの時間を計測し、それそれの経過時間が予め定められた時間に達したとき、それぞれに動作開始信号Ｓｂ、Ｓａを送る。この動作開始信号Ｓｂ、Ｓａにより、定電圧ユニット２の定電圧制御動作前に定電流ユニット３の動作を開始させる。これにより、定電流ユニット３の動作開始の起動による過電流により、定電圧ユニット２の制御動作が停止されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】低振幅のデジタル入力信号を高振幅の電圧信号に高速にレベル変換可能としレベル変換信号の安定な保持を可能とし、構成を簡易化する。
【解決手段】第１のトランジスタＭ１のゲートと、第２及び第３のトランジスタＭ２、Ｍ３の一方のトランジスタのゲートには、第１の制御信号Ｓ１が共通に入力され、第２及び第３のトランジスタＭ２、Ｍ３の他方のトランジスタのゲートには、第１の電源と第２の電源の電源振幅よりも低振幅の入力信号ＩＮが入力される入力端子１に接続される。第２の制御信号Ｓ２によりオン又はオフに制御されるクロックドインバータ１０と、第１の出力端子３に入力が接続されたインバータ２０と、第１のノード２とインバータ２０の出力との間に接続され、第３の制御信号Ｓ３によりオン又はオフに制御されるスイッチＳＷ１を備えている。 （もっと読む）

【課題】有機機能素子の電極において、蒸着を用いること無く電極を形成でき、大型化が容易で製造コストが低減でき、また、撓みに対して電極断線することの無い高い信頼性を有する電極形成用の金属材料であるとともに、高い電子注入機能を有する電極形成用の金属材料、及びその金属材料を用いた有機機能素子を提供する。
【解決手段】融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】定電圧ユニットからの電圧を受けて駆動される定電流ユニットにより照明負荷を点灯する過電流防止式電源装置において、定電圧ユニットによる電圧供給開始後の電圧値の上昇により両ユニットに過電流が流れてストレスが生じることを防止する。
【解決手段】電源装置１は一定電圧を出力する定電圧ユニット２と、定電流ユニット３と、定電圧ユニット２の電圧供給開始後の電圧値を検出する電圧検出部３２と、定電流ユニット３の動作開始電圧を設定する設定部３３とを備える。設定部３３は電圧検出部３２による検出結果を基に定電流ユニット３の動作開始電圧を変化できる。これにより、起動時に、定電流ユニット３の動作開始電圧を高く設定し、定電圧ユニット２の立ち上り時の低い電圧時に定電流ユニット３の動作を開始させないようにし、ピーク電流を抑制して両ユニットに過電流が流れてストレスが生じることを防止する。 （もっと読む）

【課題】 電流を流して発光させる発光装置では、電源供給路に流れる電流により電圧降下が生じ、輝度が不均一になる。
【解決手段】 面状の発光領域（２）を有する発光装置であって、
前記発光領域に沿って設けられ、前記発光領域に沿った縁を通して前記発光領域に電流を供給する電源配線（４）と、
前記電源配線の前記発光領域とは反対側に設けられた電源供給口（９）に接続され、前記電源配線に電源電圧を与える電源電圧供給部（５、６）とを備え、
前記電源配線は、前記電源供給口から前記発光領域に沿った縁までの最短の経路（ＺＹ）の途中に、周囲を導電領域に囲まれた第１の非導電領域（７）を有することを特徴とする発光装置。 （もっと読む）