【課題】製造コストの上昇や工程数の増加、製造歩留まりの低下を抑制しつつ、配線層と透明電極とを良好に接続することができる接続構造を有する回路基板及びその製造方法、並びに、該回路基板を適用した発光パネルを実装した電子機器を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板１１上に設けられる薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極Ｔｓ（又は、ソース電極Ｔｓと一体的に形成された配線層Ｌ２）と、該薄膜トランジスタＴＦＴを被覆する層間絶縁膜１３上に設けられる透明電極ＥＬＰとが、基板１１上に設けられた導電層Ｌｍを介して、電気的に接続されている。ここで、ソース電極Ｔｓ（又は配線層Ｌ２）はアルミニウム合金により形成され、透明電極ＥＬＰ及び導電層Ｌｍは、ＩＴＯ等の透明電極材料により形成される。 （もっと読む）

光パネルは、平面状発光面と外周縁とを有する光源を含む。バックシートが、発光面と実質的に平行に配置され、電気フィードスルー領域が、外周縁から内側に離隔した位置でバックシートを貫通している。可撓性の平面状コネクタケーブルが、外周縁から電気フィードスルー領域までバックシート上に延在し、光源との電気的接続を確立する。可撓性ケーブルに設けられた導電性パッドの開口に導電性材料を挿入することが可能であり、これらの開口によってケーブルと光パネルを機械的に連結するとともに電気的に相互接続することができる。 （もっと読む）

【課題】順次走査及び飛び越し走査を選択的に行うことができる走査駆動回路を提供する。
【解決手段】複数の奇数走査ユニットを有し、順次走査動作及び飛び越し走査動作を選択するためのモード選択信号に応じて、奇数信号を発生するための奇数信号発生部と、複数の偶数走査ユニットを有し、前記モード選択信号に応じて、偶数信号を発生するための偶数信号発生部と、インパルス信号と、前記奇数信号または前記偶数信号とを受信し、論理演算により走査信号を発生し、前記奇数信号または前記偶数信号を反転して発光制御信号を発生するための、走査及び発光制御信号形成部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素部に用いられる、高信頼性を有する、酸化物半導体膜を含むトランジスタを提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極の上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極及び酸化物半導体膜の上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁膜の上に設けられた平坦性を有する有機樹脂膜と、平坦性を有する有機樹脂膜の上に設けられた画素電極と、を有し、酸化物半導体膜は二次イオン質量分析法で検出される水素原子の濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３未満である表示装置である。 （もっと読む）

【課題】有機発光装置における発熱による劣化や発光効率の低下、輝度分布の拡大等の問題を低減する。
【解決手段】（ａ）透光性基板１上に、透光性の第１の導電性電極層２、有機発光層を含む積層体層３、第２の導電性電極層４を順次形成した後、レーザービームを透光性基板側から照射し、積層体層及び第２の導電性電極層の一部を同時に除去して第１の導電性電極層の一部を露出させる第１の開口部５を設ける工程、（ｂ）第２の導電性電極層及び第１の開口部の上に絶縁体層を少なくとも１層含む絶縁体含有層６を形成した後、レーザービームを透光性基板側から照射し、第１の開口部の上にある絶縁体含有層の一部を除去して第１の開口部と内接しない位置に透光性の第１の導電性電極層の一部を露出させる第２の開口部７を設ける工程、（ｃ）絶縁体含有層及び第２の開口部の上に第３の導電性電極層８を形成する工程を含む有機発光装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

電子工学材料として有用な3,4-ジアルコキシチオフェンのコポリマーを開示する。同様に、当該コポリマーの作製法、ならびにそれらを組み込む組成物およびデバイスも開示する。正孔注入層または正孔輸送層における当該材料の使用を開示する。当該コポリマーを含む材料は、一部の溶媒における可溶性および他の溶媒における溶媒抵抗性を提供するよう設計することができ、これは電子工学デバイスにおいて用いるための多層材料を作製するために有用である。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外部からの水分や酸素などの浸透を防止し、大型表示装置への適用が容易であって、量産性にすぐれる有機発光表示装置及びその製造方法を提供するためのものであり、ゲート電極、ゲート電極と絶縁された活性層、及びゲート電極と絶縁され、活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子と、薄膜トランジスタと有機発光素子との間に介在された絶縁層とを含み、該絶縁層は、薄膜トランジスタを覆う第１絶縁層と、第１絶縁層上に金属酸化物で備わった第２絶縁層と、第２絶縁層上に金属酸化物または金属窒化物で備わった第３絶縁層とを含む有機発光表示装置及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光吸収末端波長が長波長である高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される構造単位と、式（１）で表される構造単位とは異なる構造単位とを有する高分子化合物。


（１）
〔式中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｓｅ−又は−Ｎ（Ｒ^３）−を表し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。第１配線と第２配線間に層間絶縁膜が積層されていることで寄生容量の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】光吸収末端波長が長波長である化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される構造単位を含む化合物。


（１）
〔式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。ただし、Ａｒ^１、Ａｒ^２のうち少なくとも一方は３価の複素環基である。Ｚ^１及びＺ^２は、同一又は相異なり、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−、−Ｓｉ（Ｒ^３）（Ｒ^４）−、−Ｎ（Ｒ^５）−、−Ｂ（Ｒ^６）−、−Ｐ（Ｒ^７）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^８）−、−Ｓe（Ｒ^９）（Ｒ^１０）−、−ＣＯ−、−ＳＯ_２−又は−Ｃ（Ｒ^１１）＝Ｃ（Ｒ^１２）−を表す。ｎは１以上の整数を表し、ｍは０以上の整数を表す。〕 （もっと読む）

次式のジチエノベンゾ−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−コポリマー：
【化１】


［式中、
ｐｉは、必要に応じて１〜４個のＲ^a基で置換された単環基または多環基であり、式中
Ｒ^aは、それぞれ独立して、水素、ａ）ハロゲン、ｂ）−ＣＮ、ｃ）−ＮＯ₂、ｄ）オキソ、ｅ）−ＯＨ、ｆ）＝Ｃ（Ｒ^b）₂、ｇ）Ｃ_1-20アルキル基、ｈ）Ｃ_2-20アルケニル基、ｉ）Ｃ_2-20アルキニル基、ｊ）Ｃ_1-20アルコキシ基、ｋ）Ｃ_1-20アルキルチオ基、ｌ）Ｃ_1-20ハロアルキル基、ｍ）−Ｙ−Ｃ_3-10シクロアルキル基、ｎ）−Ｙ−Ｃ_6-14アリール基、ｏ）−Ｙ−３−１２員環シクロヘテロアルキル基、またはｐ）−Ｙ−５−１４員環ヘテロアリール基であり（上記のＣ_1-20アルキル基とＣ_2-20アルケニル基、Ｃ_2-20アルキニル基、Ｃ_3-10シクロアルキル基、Ｃ_6-14アリールまたはハロアリール基、３−１２員環シクロヘテロアルキル基、５−１４員環ヘテロアリール基は、必要に応じて１〜４個のＲ^b基で置換されていてもよい）；
Ｙは、それぞれ独立して、２価のＣ_1-6アルキル基、２価のＣ_1-6ハロアルキル基、または共有結合であり；
Ｒ¹とＲ²とＲ³はそれぞれ、独立してＨ、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ_1-30アルキル基、Ｃ_2-30アルケニル基、Ｃ_1-30ハロアルキル基、Ｃ_2-30アルキニル基、Ｃ_1-30アルコキシ基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ_1-20アルキル基、Ｃ（Ｏ）−ＯＣ_1-20アルケニル基、Ｙ−Ｃ_3-10シクロアルキル基、−Ｙ−３−１２員環シクロヘテロアルキル基（これらはそれぞれ、ハロゲンと−ＣＮ、Ｃ_1-6アルキル基、Ｃ_1-6アルコキシ基、Ｃ_1-6ハロアルキル基から選ばれる１〜５個の置換基で置換されていてもよい）、
−Ｌ−Ａｒ¹、−Ｌ−Ａｒ¹−Ａｒ¹、−Ｌ−Ａｒ¹−Ｒ⁴、または−Ｌ−Ａｒ¹−Ａｒ¹−Ｒ⁴であり、
Ｙは、それぞれ独立して、２価のＣ_1-6アルキル基、２価のＣ_1-6ハロアルキル基、または共有結合であり；
ｎ＝０、１、２であり；
ｏ＝１〜１０００である。 （もっと読む）

【課題】優れた電荷輸送性を示し、酸素存在下でも優れた硬化性を示す電荷輸送膜及びそれに有用な新規電荷輸送性化合物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される部分構造と一般式（２）で表される部分構造とを有する電荷輸送性化合物を含有する組成物を用いてなる架橋物を含む電荷輸送膜。一般式（１）中、Ａｒ^１１、Ａｒ^１２はアリール基を表す。ｎは１又は２を表す。Ｒ^１１は、ｎが１のときアリール基、アルケニル基等を表し、ｎが２のときアリーレン基、アルケニレン基等を表わす。一般式（２）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２はアルキル基、アリール基、アシル基を表す。一般式（２）で表される架橋基は、前記一般式（１）で表される部分構造とＲ^２１、Ｒ^２２のいずれかを介して結合し、その結合数は１ないし６である。
（もっと読む）

【課題】半導体層における特性が更に向上した薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタを備える有機電界発光表示装置とこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置するソース／ドレイン領域及び１又は複数のチャンネル領域を有する半導体層と、前記基板全面にわたって設けられるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられるゲート電極と、前記基板全面にわたって設けられる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層と電気的に接触するソース／ドレイン電極とを含み、前記半導体層のチャンネル領域の多結晶シリコン層は、低角結晶粒界のみを含み、高角結晶粒界は、前記半導体層のチャンネル領域以外の領域に位置する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡便な塗布法による優れた透明性と高い導電性を備え、屈折率が小さく、平坦性に優れる低屈折率透明導電膜と、その製造方法を提供する。
【解決手段】主成分に有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物である塗布液を用い、耐熱性基板上に塗布膜を形成し、乾燥塗布膜を形成させ、乾燥塗布膜を焼成して、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の無機膜を形成する製造方法で、有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物が主成分の乾燥塗布膜を、露点−１０℃を越える酸素含有雰囲気下で、少なくとも無機成分の結晶化が起こる焼成温度以上まで昇温し、含まれる有機成分を除去することで、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の微粒子間に空隙を有する低屈折率の導電性酸化物微粒子層を形成する。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に非晶質シリコン膜１５Ａおよび光熱変換層１６をこの順に形成する。光熱変換層１６を介して非晶質シリコン膜１５Ａに第１ビームＬ１を照射することにより非晶質シリコン膜１５Ａに高温過熱領域１１を形成する。同時に、第２ビームＬ２を照射することにより高温過熱領域１１の走査方向の前後に低温過熱領域１２（昇温領域１２Ａおよび徐冷領域１２Ｂ）を形成する。非晶質シリコン１５Ａでは、第１レーザＬ１の照射により結晶成長が始まり、第２レーザＬ２の照射により昇温、徐冷されるため、非晶質シリコン１５Ａの結晶化が緩やかに進行し、結晶粒径の不均一性が緩和される。 （もっと読む）

【課題】高精細・高画質を実現する画像表示装置及びその駆動方法を提案する。また、駆動トランジスタのヒステリシス特性による画質の悪化を抑制する。
【解決手段】表示素子と、表示領域と、画素回路と、データ線と、を含む画像表示装置であって、画素回路は、ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧に応じてドレイン電極に電流を流す駆動トランジスタと、駆動トランジスタの前記ゲート電極と前記ドレイン電極とを接続する第１スイッチング素子と、駆動トランジスタの前記ゲート電極に、一電極が接続される第１キャパシタと、第１キャパシタの他電極と電源を接続する第２スイッチング素子と、データ線に、一電極が接続される第２キャパシタと、第１キャパシタの他電極と第２キャパシタの他電極を接続する第３スイッチング素子と、駆動トランジスタの前記ドレイン電極と表示素子を接続する第４スイッチング素子と、を含むことを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】亜鉛錫酸化物（ＺｎＳｎＯ）で実現される酸化物半導体に酸素との電気陰性度の差が大きく、原子半径がＺｎ又はＳｎと類似する物質を添加して活性層を形成することで、キャリアの濃度を調節し、酸化物半導体の信頼性を向上させることで、安定した信頼性及び電気的特性を実現する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース／ドレイン領域及びチャネル領域で構成される活性層としての酸化物半導体層と、チャネル領域と重なる領域に形成されるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に形成されるゲート絶縁膜と、酸化物半導体層のソース／ドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されるソース／ドレイン電極とが含まれ、酸化物半導体層は亜鉛錫酸化物（ＺｎＳｎＯ）で実現される酸化物半導体に酸素との電気陰性度の差が２以上であり、原子半径がＺｎ又はＳｎと類似する物質Ｘが添加されて実現される。 （もっと読む）

【課題】まとめ駆動における筋ムラの発生を抑制することの可能な表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器を提供する。
【解決手段】行列状に配置された複数の画素１３を、３×３ごとにブロック１５とみなして概念的に分離すると、各ブロック１５には、３つの信号線ＤＴＬが接続されている。各ブロック１５において、１つ目の信号線ＤＴＬが１ライン目の表示画素１４に含まれる画素１３Ｒ、画素１３Ｇ、および画素１３に接続されており、２つ目の信号線ＤＴＬが２ライン目の表示画素１４に含まれる画素１３Ｒ、画素１３Ｇ、および画素１３に接続されており、３つ目の信号線ＤＴＬが３ライン目の表示画素１４に含まれる画素１３Ｒ、画素１３Ｇ、および画素１３に接続されている。 （もっと読む）