【課題】大面積基板など、熱収縮による影響の大きい基板に形成された半導体素子であっても、その影響を受けずに動作するような半導体素子の提供すること。また、そのような半導体素子を搭載し、薄膜半導体回路及び薄膜半導体装置を提供すること。さらに、多少のマスクずれが生じたとしても、その影響を受けずに動作するような半導体素子を提供する。
【解決手段】ドレイン領域１１４、１１７側の半導体層の低濃度不純物領域と重なるように形成した複数のゲート電極１０２を有し、それぞれのゲート電極１０２が形成するチャネル領域１２２、１２３に流れる電流の向きが一方向と一方向と反対の方向となるようにそれぞれのゲート電極１０２に対応するソース領域１１５、１１６とドレイン領域１１４、１１７を形成し、一方向に電流が流れるチャネル領域１２２と一方向と反対の方向に電流が流れるチャネル領域１２３の数が等しい薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】画素のレイアウト面積を抑えつつ、必要な容量素子の形成を可能にした有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】アノード電極２１１とカソード電極２１３との間に有機層２１２を挟んで成る有機ＥＬ素子２１_Aを画素毎に有する有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子２１_Aの発光に寄与しない領域のアノード電極２１１とカソード電極２１３との間に容量Ｃ_subを形成する。そして、発光に寄与しない領域に形成した容量Ｃ_subを、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する容量素子、例えば、有機ＥＬ素子の等価容量Ｃ_oledの容量不足分を補う容量素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図ること。
【解決手段】駆動回路１０ａは、電源部１００から供給されるドレイン電流Ｉｄｓを発光部ＥＬＰに供給する駆動トランジスタＴｒ２と、駆動トランジスタＴｒ２の閾値電圧を調整するＶｏｆｓを駆動トランジスタＴｒ２に供給するデータ線ＤＴＬが、Ｖｏｆｓを駆動トランジスタＴｒ２に供給する前に供給するＶｉｎｉに応じて駆動トランジスタＴｒ２をカットオフするトランジスタＴｒ３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電層、ゲート絶縁層となる絶縁層、半導体層、およびチャネル保護層となる絶縁層を連続して形成する。ゲート電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）と島状半導体層の形成を、一回のフォトリソグラフィ工程で行う。該フォトリソグラフィ工程と、コンタクトホールを形成するフォトリソグラフィ工程と、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程と、画素電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程の、４つのフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子を含む表示装置において、生産性および利便性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、表示部に画像情報を伝送する駆動部と表示部に設けられ、且つレーザ光を検出する受光部と、受光部で検出するレーザ光の位置を解析し、位置に基づいて画像情報を操作し、操作に基づいた画像情報とは異なる画像情報を駆動部に伝送する情報処理部を有し、表示部の複数の画素はそれぞれ薄膜トランジスタを有し、受光部は複数の光電変換素子、走査回路、リセット回路および読み出し回路を有し、薄膜トランジスタおよび複数の光電変換素子は、同一の基板に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置において、発光素子の陽極における平均膜抵抗を低抵抗化を可能とする素子構造を提供する。
【解決手段】陰極１０４の間を埋めるように形成されたバンク１０７の上部１０７ｂを導電膜で形成することにより、陽極１０９における平均膜抵抗を低抵抗化することができ、より鮮明な画像表示の発光装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】駆動トランジスタを用いることなく、有機ＥＬ素子の駆動電流のピーク値を小さくし、電流密度を低減できる有機発光ダイオード表示装置およびその駆動方法を得る。
【解決手段】データライン３１がソース端子に、ゲートライン２１がゲート端子に接続された選択トランジスタ５１、アノードがドレイン端子に、カソードが定電位の電極に接続された有機ＥＬ素子５２、ドレイン端子とアノードとの接続点に一端が接続されたキャパシタ５３を有する画素回路５０と、キャパシタ５３の他端に接続されたエミッションコントロールライン４１と、エミッションコントロールライン４１の電位を、選択トランジスタ５１がオン状態の間、有機ＥＬ素子５２のしきい値電位よりも低い値に保持し、選択トランジスタ５１がオフ状態になった後、１Ｖ期間かけて所定の電位まで上昇させるエミッションコントロールライン駆動回路４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）及び（２）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有する高分子化合物。


［式（１）におけるＸ^１１及びＸ^１２並びに式（２）におけるＸ^２１及びＸ^２２は、酸素又はカルコゲン原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】電極ホール４６における有機ＥＬ材料の成膜不良によるＥＬ素子の発光不良を改
善することを課題とする。
【解決手段】上記課題を達成するために、本発明では画素電極上の電極ホール４６に絶縁
体を埋め込み、保護部４１ｂを形成させた後、有機ＥＬ材料を成膜することで、電極ホー
ル４６における成膜不良を防ぐことができる。これにより、ＥＬ素子の陰極、陽極間の短
絡により電流集中が生じるのを防ぎ、ＥＬ層の発光不良を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するこ
とを課題とし、安価な表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の表
示装置を表示部に用いた安価な電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために
画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもし
くはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて
画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。これにより製造工程
を大幅に削減し製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】任意のアドレス行で切断することで、任意のサイズの表示装置を簡便に実現する。
【解決手段】少なくとも第２の配線５を駆動する第２の駆動回路７と画素ＰＸ（１，１），ＰＸ（１，２），…、ＰＸ（ｎ，ｍ）とを同一の基板１上に有した表示装置であって、第２の駆動回路７は検出線７３と判定回路７２と出力回路７４とを有した複数の単位回路７０から成り、出力回路７４は判定回路７２からの信号に従って出力信号を変えることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】状況に応じて、視角特性や色相等の光学的特性を変化させ、最適な品質で表示することができる発光素子表示装置を提供する。
【解決手段】発光素子表示装置は、マトリクス状に配置され、表示の最小単位である複数の画素を備え、複数の画素の各々は、階調値に基づいた電流が流れることにより発光する発光素子である第１発光素子３０１と、第１発光素子３０１とは光学的特性が異なる発光素子である第２発光素子３０２と、第１発光素子３０１及び第２発光素子３０２のいずれを発光させるかを選択する選択トランジスタ（３０３，３０４）と、第１発光素子３０１及び第２発光素子３０２のいずれかを発光させるための電流を制御する１つの駆動トランジスタ３０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


［Ａｒ^１及びＡｒ^２は、芳香族炭化水素環、複素環、又は芳香族炭化水素環と複素環との縮合環である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換シリル基、非置換若しくは置換のカルボキシル基、１価の複素環基、シアノ基又はフッ素原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】明るく、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられ、コンタクトホールを
有する絶縁膜と、コンタクトホールを埋めて設けられた導電体と、絶縁膜上に設けられ、
導電体を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の金属膜と、第１の金属膜上
に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたＥＬ層と、ＥＬ層上に設けられた
第２の金属膜と、を有し、第２の金属膜を透過した光が放射される。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを利用した有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に第１方向に形成された第１配線と、基板上に第２方向に形成された第２配線及び第３配線と、第１及び第２配線と連結されている第１薄膜トランジスタと、第１薄膜トランジスタ及び第３配線と連結されている第２薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと連結された有機発光素子と、を備え、第２配線及び第３配線は、グラフェンからなる有機発光表示装置である。 （もっと読む）

【課題】発光装置の各部に寄生する容量の影響を低減する。
【解決手段】単位素子Ｐは、第１電極２１と第２電極２２との間に発光層２３が介在する発光素子Ｅと、発光素子Ｅに供給される電流量を制御する駆動トランジスタＴｄｒと、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電極に電気的に接続された容量素子Ｃ１と、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電極の電位をデータ信号に応じて設定するための選択トランジスタＴｓｌと、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電極とドレイン電極との接続を制御するための初期化トランジスタＴｉｎｔとを含む。第１電極２１は、容量素子Ｃ１と重なり合う一方、選択トランジスタＴｓｌや初期化トランジスタＴｉｎｔとは重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】焼き付きによる輝度変化を補償できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示パネル、及び、入力信号の階調値を補正して映像信号として出力することによって表示素子の輝度を補正する輝度補正部を備えており、輝度補正部は、発光期間のデューティ比が或るデューティ比に設定された状態で表示素子が映像信号に基づいて所定の単位時間の間動作したときの表示素子の輝度の経時変化と、発光期間のデューティ比が所定の基準デューティ比に設定された状態で表示素子が所定の基準階調値の映像信号に基づいて動作したと仮定したときの表示素子の輝度の経時変化とが等しくなる基準動作時間の値を計算する基準動作時間値計算部、累積基準動作時間値保持部、基準カーブ格納部、階調補正量保持部、及び、階調補正量保持部に保持された階調値の補正量に基づいて、各表示素子に対応した入力信号の階調値を補正して映像信号として出力する映像信号生成部を備えている。 （もっと読む）