【課題】発光効率を改善した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】一対の電極である陽極１２と陰極１７の間に発光層１４を有する有機エレクトロルミネッセンス素子１であって、陰極１７と発光層１４の間に、電子注入層１６と電子注入抑制層１５を設け、発光層１４に供給される電子の量を調整する。電子注入抑制層１５の電子移動度は電子注入層１６の電子移動度よりも小さく、電子注入層１６の電子移動度は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体よりも大きい。電子注入層１６はＨＡｒ−Ｌ^３−Ａｒ^７−Ａｒ^８の化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能で、放熱性、絶縁性に優れるフラットパネルディスプレイ用の紫外ＥＬ発光素子に使用される基板を提供する。
【解決手段】単結晶状のＡｌ板の表面に、厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質のＡｌＮ層を設ける。
このＡｌＮ層としては、酸化物層を介することなくＡｌ板上に直接形成されていることが、さらには、Ａｌ板表面の酸化物除去後に、気相法で形成されたものが好ましい。
導電性を有する単結晶状Ａｌ板を基材としているため透明導電膜を形成する必要はなく、また、Ａｌ板の表面に形成したＡｌＮ層は絶縁耐圧性に優れるばかりでなく、放熱性にも優れる。
したがって、性能に優れたＥＬ発光素子用基板が安価に提供できる。 （もっと読む）

【課題】 広い視野角特性と優れた色再現が可能な有機発光素子を提供する。また、この有機発光素子を有する表示装置を提供する。
【解決手段】 発光層よりも第１電極側にある第１反射面と、前記発光層よりも第２電極側にある第２反射面との間の光学距離が、相対的に短い第１領域と相対的に長い第２領域とを有する有機発光素子において、
第１領域における光学距離Ｌ_１と第２領域における光学距離Ｌ_２は、共振波長λ_１とλ_２とλ_３と、前記第１反射面及び前記第２反射面で反射する際の位相シフトの和φｔとの間で式１の関係を満たすように設定されている。
（式１）
λ_１＝２Ｌ_１／（ｐ−φｔ／２π）
λ_２＝２Ｌ_２／（ｑ＋１−φｔ／２π）
λ_３＝２Ｌ_２ｃｏｓα／（ｑ−φｔ／２π）
（ｐ、ｑは、それぞれ独立な１以上の整数、α≠０°）
かつ、λ_１＝λ_２＝λ_３ （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線基板上の接続配線における電圧降下を高精度に補償するための構成を提供する。
【解決手段】フレキシブル配線基板が、表示素子を駆動するためのＩＣと、ＩＣと表示パネル上の配線との間を接続する接続配線と、接続配線と同じプロセスで形成された抵抗と、を有する。ＩＣは、接続配線における電圧降下を補償する補償回路を有している。補償回路は、前記抵抗に、前記接続配線に流れる電流もしくは該電流と対応する電流を流すことによって前記接続配線における電圧降下を補償するための信号を得る。 （もっと読む）

【課題】各発光セルの開口率の低下を防止すると共に、カラー表示を行う場合に適切なホワイトバランスを確保することが容易な有機電界発光表示デバイスを提供する。
【解決手段】所定の基板上にそれぞれが有機電界発光部を有する多数の発光セルを並べて構成した有機電界発光表示装置であって、互いに発光色が異なる少なくとも３種類の有機電界発光部１０を設け、前記発光セルのそれぞれに、少なくとも前記有機電界発光部に対する通電を制御する駆動トランジスタ２０Ａを設け、前記駆動トランジスタの（ドレイン−ソース間の電流）／（ドレイン−ソース間の電圧）を表すＩ−Ｖ特性に関し、駆動対象の有機電界発光部の発光色の違いに合わせて各駆動トランジスタのＩ−Ｖ特性を作り分けた。Ｒ、Ｇ、Ｂの違いに応じて、移動度、ゲート絶縁膜厚、ゲート絶縁膜誘電率の少なくとも１つを変更する。 （もっと読む）

【課題】帯電量が低くてバリア性が高い積層体を提供すること。
【解決手段】有機層の上に無機層を積層した構造を含む積層体であって、前記有機層が帯電防止剤を含みかつ前記有機層の表面粗さが２ｎｍ以下であることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分の変質を確実に防止することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、（Ａ）下部電極２１、（Ｂ）開口部２６を有する絶縁層２４、（Ｃ）補助配線４５、（Ｄ）積層構造体４３、（Ｅ）上部電極、を具備した有機ＥＬ素子を複数有しており、補助配線４５の上方に位置する上部電極４２の部分は、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成り、補助配線４５と電気的に接続されており、積層構造体４３は、補助配線２５と接する部分を有しており、絶縁層２４及び補助配線は、複数の有機ＥＬ素子において共通して設けられており、上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】寿命の長い発光素子を提供することを課題とする。また、寿命の長い発光装置および電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極と第２の電極との間に、発光層と制御層を有し、制御層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物を含み、第１の有機化合物は第２の有機化合物よりも多く含まれており、第２の有機化合物は、第１の有機化合物のキャリア輸送性と同極性のキャリアをトラップするキャリアトラップ性を有し、制御層における第２の有機化合物の濃度およびキャリアトラップ性が一定の条件を満たすようにした発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】開口部への導電性材料の良好な配置を実現し、画素開口率を拡大した高品質な有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機機能層を有する複数の発光素子７０が基板上に配置され、発光素子７０が、基板上に設けられた有機絶縁層１６の開口部１６Ａを介して、開口部１６Ａの底面の導通部２２と接続され、開口部１６Ａが発光素子７０の有効表示領域と重なる有機ＥＬ装置の製造方法であって、開口部１６Ａに撥液処理を施す工程と、液滴吐出法を用いて開口部１６Ａに導電性材料を含む機能液Ｌ１を塗布し、開口部１６Ａ内に導電ポスト２０を形成する工程と、導電ポスト２０を覆って、導電ポスト２０から発光層４０Ｂへの正孔の注入を促進する正孔注入層４０Ａを形成する工程と、を備え、正孔注入層４０Ａは、導電ポスト２０と正孔注入層４０Ａの周縁部との電位差から求める電圧降下率が、予め定めた許容値よりも小さくなるように抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子を提供する。
【解決手段】第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に位置した発光層と、第１電極と発光層との間に位置した第１正孔注入層と、第１電極と発光層との間に位置した第２正孔注入層と、発光層と第２電極との間に位置した電子輸送層と、を備える有機発光素子であって、第１正孔注入層は、金属フッ化物及び第１正孔注入物質を含み、第２正孔注入層は、モリブデン酸化物及び第２正孔注入物質を含み、電子輸送層は、電子輸送物質及び下記化学式１で表示される金属化合物を含むことを特徴とする有機発光素子である。
（化学式１）
Ｘ_ａＹ_ｂ
Ｘは、アルカリ金属、アルカリ土類金属または遷移金属であり、Ｙは、７族元素またはＣ_１ないしＣ_２０有機基であり、ａは、１ないし３の数であり、ｂは、１ないし３の数である。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子を提供する。
【解決手段】第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に位置した発光層と、第１電極と発光層との間に位置した第１正孔注入層と、第１電極と発光層との間に位置した第２正孔注入層と、発光層と第２電極との間に位置した電子輸送層とを備える有機発光素子であって、第１正孔注入層は、金属フッ化物及び第１正孔注入物質を含み、第２正孔注入層はモリブデン酸化物及び第２正孔注入物質を含み、電子輸送層は電子輸送物質と金属酸化物とを含み、金属酸化物は、リチウム酸化物（Ｌｉ_２Ｏ）、モリブデン酸化物（ＭｏＯ_３）、バリウム酸化物（ＢａＯ）またはボロン酸化物（Ｂ_２Ｏ_３）であることを特徴とする有機発光素子。これにより、本発明の有機発光素子は優れた電気的特性を持ち、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光素子に適した新規の正孔注入材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子の発光効率の向上を実現しながら、高い製造容易性をもつ発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、基板上に形成される第１及び第２電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含む有機ＥＬ素子８と、前記発光機能層に磁場を印加する磁場印加配線５０１と、を備える。磁場印加配線５０１は、図示するように、好適には、画素電極１３の形成領域の少なくとも一部と重なるように形成される支線５２１を含む。この支線５２１は、その複数が平行に並ぶ。発光機能層に印加される磁場は、磁場印加配線５０１に電流が流されることにより、右ねじの法則にしたがって発生する磁場を含む。 （もっと読む）

電気的閉ループ構造を有する抵抗加熱素子を備えている、フリットシールされた装置、およびこの加熱素子を用いて装置をフリットシーリングするプロセスである。この素子は、アンバー（登録商標）および／またはコバール（登録商標）などの金属で有利に作製することができる。本発明は、シール内の残留応力が低減された気密性のフリットシーリングを可能とする。本発明は、特にＯＬＥＤディスプレイ装置の気密シーリングに有利である。
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好適には閉ループ構造を有しているスペーサユニットと抵抗加熱素子とを備えている、気密シールされた装置、および、この加熱素子とスペーサユニットとを用いて装置を気密シーリングするプロセスである。フリットは、クラックの伝搬を防ぐために、複数の閉ループを形成してもよい。加熱素子は、アンバー（登録商標）および／またはコバール（登録商標）などの金属で有利に作製することができる。本発明は、大型ディスプレイのシール内の残留応力が低減された気密性のフリットシーリングを可能とする。本発明は、例えば１０インチ（２５ｃｍ）超の大型のＯＬＥＤディスプレイ装置の気密シーリングに特に有利である。
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【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流の発生が起こりにくい有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ表示装置８００は、有機エレクトロルミネセンス発光層１４０を一対の電極で挟んで形成されている有機エレクトロルミネセンス素子と、半導体層２６０とゲート電極２１０とがゲート絶縁膜２２０を介して対向配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上に形成されたオーバーコート膜１５０と、前記オーバーコート膜１５０の上に形成された、前記有機エレクトロルミネセンス発光層１４０からの発光が前記薄膜トランジスタの半導体層２６０に到達することを防止する遮光膜３１０と、を有する。遮光膜３１０はアモルファスシリコンで形成されている。遮光膜３１０は、前記薄膜トランジスタＴｒの半導体層２６０の上部に位置するようにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】共通電極上に補助配線を、発光層にダメージを与えることなく、高精度に形成する。
【解決手段】画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線である。前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下である。前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳである。前記金属配線は、黒色化処理が施されている。前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。前記金属配線は、走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成される。前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層がアモルファス酸化物を含有する層とアモルファス窒化物を含有する層とを有する薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置。 （もっと読む）

【課題】電極、その製造方法、該電極を具備した電子素子を提供する。
【解決手段】金属酸化物及び１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３粒子を含んだ電極、その製造方法、該電極を具備した電子素子、特に有機発光素子を開示する。該電極は、低抵抗、高透光度及び小さい仕事関数を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の欠陥部におけるショートを検査して修理する発光装置の作製方法を提供する。
【解決手段】発光装置の作製方法は、陽極２０３、陰極２０５及び有機化合物層２０４を含む発光素子２０６及び薄膜トランジスタを有する作製方法であって、薄膜トランジスタ上に前記発光素子の陽極を形成する工程と、を有し、該陽極は前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、前記陽極上に前記有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に前記陰極を形成する工程と、前記発光素子を覆ってパッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜上に封止材を形成する工程と、前記封止材上にカバー材を貼り合わせる工程と、前記発光素子に逆バイアスを印加して選択的に欠陥部を発光させる工程と、前記発光を検出して前記欠陥部を特定する工程と、前記欠陥部にレーザー光を照射して前記欠陥部を修理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】色度変化が少なく安定であり、且つ、低電圧駆動が可能で高効率な有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、それら電極間に挟持される、少なくとも異なる２色を発光する二層の有機発光層５，６を有し、発光層が電子障壁層６を介して配置されており、２つの発光層がともに電子移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電子輸送性発光材料からなり、電子障壁層のアフィニティレベルが、電子障壁層に対して陰極側に位置する有機発光層のアフィニティレベルよりも０．２ｅＶ以上小さく、電子障壁層のイオン化ポテンシャルと電子障壁層に対して陽極側に位置する発光層のイオン化ポテンシャルとの差が０．２ｅＶ以下であり、電子障壁層のイオン化ポテンシャルと電子障壁層に対して陰極側に位置する発光層のイオン化ポテンシャルとの差が０．２ｅＶ以下であり、２つの発光層の少なくとも一方が蛍光発光性ドーパントを含む。 （もっと読む）