表示装置およびその製造方法
【課題】共通電極上に補助配線を、発光層にダメージを与えることなく、高精度に形成する。
【解決手段】画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線である。前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下である。前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳである。前記金属配線は、黒色化処理が施されている。前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。前記金属配線は、走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成される。前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣである。
【解決手段】画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線である。前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下である。前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳである。前記金属配線は、黒色化処理が施されている。前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。前記金属配線は、走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成される。前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびその製造方法に係り、特に、有機ＥＬ表示における補助配線の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置は、画素駆動に用いる薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴ）や配線の上部に画素部を設計可能であることから、前述の駆動ＴＦＴや配線の面積に影響されない為、画素開口率を大きくすることが出来る。この為、有機ＥＬ表示パネルの高精細化や高輝度化、あるいは低消費電力化が可能であるというメリットを有する。
しかし、光取り出し方向に存在する上部透明電極（共通電極）は、ＩＴＯあるいはＩＺＯといった金属酸化物を用いなければならず、電気抵抗もＡＬ（アルミニウム）等の金属に比較して大きいことが問題となる。即ち、上部透明電極が高抵抗であるが故に、有機ＥＬ表示パネルの画面中央と画面周辺において電圧降下が生じることから、輝度均一性を確保する事が困難となる。
そこで、上部透明電極を低抵抗化する為に、上部透明電極の上部あるいは下部にＡＬ等の低抵抗金属を微細に配線し、透明電極と接続することにより、上部透明電極の電気抵抗を全体的に低抵抗化する手法が採用されている。（下記、特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００７−１０３０５８号公報
【特許文献２】特開２００７−１０３０９８号公報
【特許文献３】特開２００７−１０８４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述の微細な低抵抗金属配線を補助配線と定義した場合、補助配線の作成方法は、大きく分けて次ぎの２つの製法が考えられる。
（１）透明電極の下部に用いる補助配線をフォトプロセスにより製作する。
（２）透明電極の下部もしくは上部にＡＬ等の低抵抗金属を蒸着により作成する。
前者の場合、フォトプロセス増加による製造プロセスの変更並びにコスト増加が不可避となる。
一方、後者の場合には、ＡＬ等の低抵抗金属を蒸着する際には、高融点金属であることから、蒸着マスクならびに基板温度上昇による有機ＥＬ素子のダメージあるいは蒸着精度の劣化による補助配線の位置ずれ等が発生する事が容易に考えられる。更に、ＡＬ等の低抵抗金属は金属光沢を持つ事から、外光の乱反射による表示品位の劣化等の問題も考えられる。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置および製造方法において、共通電極上に補助配線を、発光層にダメージを与えることなく、高精度に形成することが可能となる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線である。
（２）（１）において、前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下である。
（３）（１）または（２）において、前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳである。
（４）（１）ないし（３）の何れかにおいて、前記金属配線は、黒色化処理が施されている。
（５）（１）ないし（４）の何れかにおいて、前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。
（６）（１）ないし（５）の何れかにおいて、前記各画素に走査電圧を入力する走査線を有し、前記金属配線は、前記走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成されている。
（７）（１）ないし（６）の何れかにおいて、前記各画素を分離する分離壁を有し、前記各画素の発光領域は、前記分離壁により前記各画素毎に分離されており、前記金属配線は、前記分離壁上の前記透明電極上に形成されている。
（８）（１）ないし（７）の何れかにおいて、前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣである。
【０００６】
（９）画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で、前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを有する表示装置の製造方法であって、主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップと、基板上に前記画素電極を形成するステップと、前記画素電極上に透明電極を形成するステップと、前記透明電極上に、前記主面が前記透明電極と対向するように、前記用意した樹脂を貼り合わせて、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に補助配線を形成するステップとを有する。
（１０）（９）において、前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に金属材料を形成するステップと、前記金属材料をホトエッチングでエッチングし、前記ストライプ状の金属配線を形成するステップとを有する。
（１１）（９）において、前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に印刷法、あるいは析出法により前記ストライプ状の金属配線を形成するステップである。
（１２）（９）ないし（１１）の何れかにおいて、基板上に前記画素電極を形成するステップの後に、前記各画素の発光領域を分離する分離壁を形成するステップを有し、前記画素電極上に透明電極を形成するステップは、前記分離壁を覆い、前記各画素に対して共通に前記透明電極を形成するステップである。
【発明の効果】
【０００７】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、共通電極上に補助配線を、発光層にダメージを与えることなく、高精度に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
また、本実施例では、トップエミッション方式のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した例について説明する。
［本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネル］
図１は、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素（サブピクセル）の等価回路を示す回路図である。
図１に示すように、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルでは、上下方向に映像線（ＤＡＴＡ）及び電源線（ＰＯＷＥＲ）、左右方向に補助配線（ＳＵＰ）と走査線（ＳＣＡＮ）が配置され、各画素はこれらの配線の間に形成される。
各画素は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）、データ保持容量（ＣＡＰ）、および有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）を有する。
第１トランジスタ（ＴＦＴ１）のソースドレイン領域の一端に、映像線（ＤＡＴＡ）が接続され、他端に、データ保持容量（ＣＡＰ）の一端が接続され、制御端であるゲートは、走査線（ＳＣＡＮ）に接続される。
データ保持容量（ＣＡＰ）の一端は、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）の制御端にも接続され、他端は、電源線（ＰＯＷＥＲ）に接続される。
電源線（ＰＯＷＥＲ）には、データ保持容量（ＣＡＰ）だけでなく、第２トンランジスタ（ＴＦＴ２）のソースドレイン領域の一端が接続されている。第２トンランジスタ（ＴＦＴ２）のソースドレイン領域の他端は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のアノードに接続される。有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のカソードは、補助配線（ＳＵＰ）に接続される。
【０００９】
本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素の要部断面構造を図２に示す。
図２に示すように、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルでは、基板（ＳＵＢ）上に、下地膜（ＵＣ）、半導体膜（ＦＧ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、金属ゲート電極膜（ＳＧ）、第１層間絶縁膜（ＩＮＳ１）、金属電極膜（ＡＤＭ）、第２層間絶縁膜（ＩＮＳ２）、画素電極（ＡＤ）、バンク（ＢＮＫ）、補助配線（ＳＵＰ）、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）、共通電極（ＣＤ）が形成される。なお、図２において、矢印Ａは、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）で発光した光の照射方向を示す。
基板（ＳＵＢ）は、０．５ｍｍの厚さの無アルカリガラスである。
下地膜（ＵＣ）は、基板（ＳＵＢ）に含まれるイオン性不純物が、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、あるいは第２トランジスタ（ＴＦＴ２）を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に影響を及ぼすのを回避するために設けられており、厚さ５０〜２００ｎｍの窒化シリコン膜と厚さ５０〜２００ｎｍの酸化シリコン膜との積層膜からなる。
半導体膜（ＦＧ）は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、あるいは第２トランジスタ（ＴＦＴ２）を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース領域、ドレイン領域、チャネル領域だけでなく、高濃度ドーピングによる配線やデータ保持容量（ＣＡＰ）の下層電極を構成する層である。この半導体膜（ＦＧ）は、厚さ５０〜１５０ｎｍのポリシリコンで構成される。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、厚さ１００〜２００ｎｍのＴＥＯＳによる酸化シリコン膜で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、ゲート絶縁膜だけでなく、データ保持容量（ＣＡＰ）の誘電体層としても機能する。
【００１０】
金属ゲート電極膜（ＳＧ）は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）のゲート電極と第２トランジスタ（ＴＦＴ２）のゲート電極となる他、走査配線（ＳＣＡＮ）、データ保持容量（ＣＡＰ）の上層電極を構成する層である。金属ゲート電極膜（ＳＧ）は、厚さ１００〜３００ｎｍの金属膜で、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）との合金膜（ＭｏＷ）で構成されている。
第１層間絶縁膜（ＩＮＳ１）は、厚さ２００〜５００ｎｍの酸化シリコン膜で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。
金属電極膜（ＡＤＭ）は、映像線（ＤＡＴＡ）、電源線（ＰＯＷＥＲ）を構成するだけでなく、半導体膜（ＦＧ）と金属ゲート電極膜（ＳＧ）とを接続する際の配線や、抵抗を下げる冗長配線を構成する。金属電極膜（ＡＤＭ）は、厚さ２０〜１２０ｎｍ程度の厚さのＭｏＷ膜と５０〜１５０ｎｍ程度の厚さのＭｏＷ膜との間に２００〜４００ｎｍ程度の厚さのＡｌＳｉ膜を挟み込んだ積層構造の金属膜からなる。
第２層間絶縁膜（ＩＮＳ２）は、厚さ３００〜５００ｎｍのシリコン窒化膜の上に、厚さ１μｍ〜２μｍのポリイミド、アクリル、エポキシの何れから選択された有機絶縁膜が形成された積層構造で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。
画素電極（ＡＤ）は、上下２層で構成される。下層は、厚さ５０〜２００ｎｍのＡｌＳｉ膜と２０〜１２０ｎｍ程度の厚さのＭｏＷ膜との積層膜（上Ａｌ膜／下ＭｏＷ膜）で構成され、画素毎に分離されている。上層は、厚さ３０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成され、画素毎に分離されている。上層のＩＴＯは、下層の金属を覆い、下層を介さずに第２トランジスタ（ＴＦＴ２）と電気的に直接接続されている。即ち、画素電極（ＡＤ）の上層は、ホール注入する陽極として機能し、下層は有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）で発光した光を反射する反射膜として機能する。
【００１１】
バンク（ＢＮＫ）は、画素電極（ＡＤ）の外縁を覆い、画素電極（ＡＤ）を露出する発光領域（ＡＲＡ）間を絶縁する絶縁膜で、窒化シリコン膜ＳｉＮ、アクリル又はポリイミドで構成される。
有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）は、図３に示すように、ホール輸送層２２、発光層２１、電子輸送層２０の３層を少なくとも備えている。この有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の少なくとも一層がバンクの上にも形成される。
陰極となる共通電極（ＣＤ）は、ＩＺＯなどの亜鉛系の酸化導電膜で構成され、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の全面を覆っている。
共通電極（ＣＤ）上には、補助配線（ＳＵＰ）が形成される。補助配線（ＳＵＰ）は、走査線（ＳＣＡＮ）の延長方向で、各画素の発光領域（ＡＲＡ）の間の非発光領域に形成される。即ち、補助配線（ＳＵＰ）は、上下左右に延びるバンク（ＢＮＫ）のうち、左右に延びるバンク（ＢＮＫ）上に形成される。図４に補助配線（ＳＵＰ）の平面パターンを示す。ここで、図４に示すように、補助配線（ＳＵＰ）の配線幅は１０〜１５μｍ、各画素の発光領域（ＡＲＡ）の間隔は、２５ないし３０μｍとされる。
このように、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）、および各配線の上部に、画素電極（ＡＤ）、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）を形成することができるので、画素開口率を大きくでき、有機ＥＬ表示パネルの高精細化や高輝度化、あるいは低消費電力化が可能であるというメリットを有する。
【００１２】
前述したように、補助配線（ＳＵＰ）は、共通電極（ＣＤ）を低抵抗化する目的で用いられる為、共通電極（ＣＤ）の材料がＩＴＯやＩＺＯあるいはＺｎＯに対して、充分に電気抵抗の低い金属を用いる必要がある。その為、現在では入手が容易であり、電気抵抗が低く、かつ製膜方法の安定したＡＬが補助配線（ＳＵＰ）に用いられる。
しかし、ＡＬを補助配線材料に用いる場合には、ＡＬは高融点金属である為、一般的な抵抗加熱あるいは誘導加熱法を用いた場合、蒸着源の温度は１５００Ｋ以上となることから、高精細な蒸着マスクの昇温あるいは基板温度の昇温、更には高温に熱せられた蒸着マスクが有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）に接触することによる、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージ等が問題となる。有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージは、有機ＥＬ表示パネルの信頼性に関わる問題となり、十分な対策が必要である。
一方、蒸着マスクや基板の昇温による影響は、それぞれの熱膨張を引き起こすことから、補助配線（ＳＵＰ）の製膜位置の蒸着位置ずれといった問題となる。この蒸着位置ずれは設計裕度を超えた場合、即ち、補助配線（ＳＵＰ）が画素上にずれて成膜された場合には、製品として表示不良となる。この状態の模式図を図９に示す。
有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の下に補助配線（ＳＵＰ）を形成する場合には、高精細な蒸着マスクの昇温あるいは基板温度の昇温、更には高温に熱せられた蒸着マスクが有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）に接触することによる、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージを考慮する必要がないので、ホトリソによる高い精度の補助配線（ＳＵＰ）のパターン化が可能である。
しかし、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の下に補助配線（ＳＵＰ）を形成する場合、有機膜がその中間に存在し、補助配線（ＳＵＰ）と共通電極（ＣＤ）との接続の妨げになる。この状態の模式図を図１０に示す。
これは、単色発光とカラーフィルタの組合せのカラー有機ＥＬ表示装置だけでなく、多色発光でも発光材料層を構成する少なくとも１層はプロセス簡略化のために、異なる色の画素にも共通に蒸着する、所謂「ベタ蒸着」が採用された有機ＥＬ表示装置でも問題となる。なお、図９、図１０において、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造をＢＴＦＴで表し、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造の図示は省略している。
【００１３】
［本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルの特徴］
本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルは、補助配線構成部材を有機ＥＬ表示パネルと別の部品で構成し、有機ＥＬ表示パネルと補助配線構成部材とを組み合わせて用いることを特徴とする。
図５は、本発明の実施例の補助配線構成部材を説明するための図であり、図６は、本発明の実施例の補助配線構成部材を拡大して示す斜視図である。
図５、図６に示す補助配線構成部材は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート；PolyEthylene Terephthalate）で構成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）と、この樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）の上にストライプ状に形成された金属配線（ＭＬＩＮＥ）とで構成される。
この補助配線構成部材は、例えば、冷間圧延加工により１０μｍ以下にされた銅箔とＰＥＴフィルムとを化粧鋼板技術により貼り合わせた後、高温かつ高圧でエッチング液を噴出するエッチング技術により銅箔をエッチングし、テーパ角が８０〜９０度となるように加工された金属配線（ＭＬＩＮＥ）をストライプ状に形成することにより作成される。
このプロセスを用いた場合には、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の配線ピッチ（ＰＩＴＣＨ）は８０〜１０００μｍ、配線幅（ＷＩＤＴＨ）は８〜５０μｍ、配線高（ＨＥＩＧＨＴ）は１０〜１５０μｍまでは適宜製造可能である。
したがって、前述のプロセスを用いた場合には、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の精細度は３００ＬＰＩ（Line per inch）程度は充分に達成可能であるため、有機ＥＬ素子パネルの補助配線（ＳＵＰ）パターンを形成する目的においては、充分な加工精細度の実力を持っている。
【００１４】
更に、金属配線（ＭＬＩＮＥ）パターンに用いられる金属は、板厚１０μｍ程度の配線厚みを持つ為、一般的なガラス基板上にフォトプロセスでパターンニングされた金属配線の厚み（１μｍ程度）と比較して、約１／１０の電気抵抗となる。このため、現状考えうる補助配線の形成プロセス、即ち、フォトプロセス法や真空蒸着法に比較して、本実施例による補助配線（ＳＵＰ）は配線抵抗が最も低いものとなる。
本実施例では、共通電極（ＣＤ）としては、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいはＺｎＯが使用されるが、本実施例では、共通電極（ＣＤ）として、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいはＺｎＯを用い、補助配線構成部材を有機ＥＬ素子パネルの共通電極（ＣＤ）に組み合わせた際には、共通電極（ＣＤ）と補助配線（ＳＵＰ）とを組み合わせたシート抵抗を１０Ω／□以下とすることができる。
この結果、補助配線（ＳＵＰ）の配線抵抗による電圧降下を従来よりも低くできるので、高性能な有機ＥＬ表示パネルの製造に貢献する他、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示パネルの大型化対応（例えば、１７インチ以上の有機ＥＬ素子パネル）に対しても容易に対応可能となる。
この金属配線（ＭＬＩＮＥ）は、不透明な金属膜で、アルミニウム（Ａｌ）の他、銅（Ｃｕ）、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料を用いることができる。なお、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の表面に黒色化処理を施すようにしてもよい。この場合には、有機ＥＬ素子パネルの視認特性を向上させることが可能となる。
樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）としては、ＰＥＴのほかにＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、あるいは、ＰＯＣ（ポリオレフィン；polyolefin）等を適用することもできる。これらの樹脂のように、複屈折が少ない膜であれば、他の材料も用いることができる。
前述の説明では、補助配線構成部材の製造法は、あらかじめ金属箔と樹脂フィルムを貼り合わせた部材を準備して、これにフォトレジストでパターンニングし、エッチング法により、配線以外の部分を除去することによって製造したが、析出法や印刷法を用いても、同様な効果を得ることができる。
【００１５】
本実施例では、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとをそれぞれ別々に製造する。
その後、金属配線（ＭＬＩＮＥ）が、発光領域（ＡＲＡ）に重ならないように、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）を、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネル上に、例えば、真空ラミネート等の圧着により貼り合わせる。
この場合、有機ＥＬ表示パネルの成膜層は薄膜であり、有機層を主体としている為、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）の金属配線（ＭＬＩＮＥ）に比較して弾性が高いことから、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）の金属配線（ＭＬＩＮＥ）は、有機ＥＬ表示パネルの共通電極（ＣＤ）に食い込む形状となる。
図７に、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせる前の状態を、図８に、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせた後の状態を示す。
図８に示すように、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせた後、通常の有機ＥＬ表示パネルの封止プロセスを行うことによって、有機ＥＬ表示パネルが完成する。
なお、図７、図８において、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造をＢＴＦＴで表し、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造の図示は省略している。
【００１６】
本実施例によれば、下記の作用・効果を得ることが可能である。
（１）補助配線（ＳＵＰ）の成膜時の基板温度上昇プロセスが不要となるので、補助配線（ＳＵＰ）の形成時における有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージを阻止することが可能となる。
（２）金属配線（ＭＬＩＮＥ）が高精度に形成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）を有機ＥＬ表示パネルに貼り合わせるプロセスのため、位置合わせプロセスの精度で、有機ＥＬ素子パネルへ補助配線（ＳＵＰ）を形成することができ、補助配線（ＳＵＰ）の形成精度の向上、即ち、補助配線（ＳＵＰ）の位置ずれを抑制することができる。
（３）金属配線（ＭＬＩＮＥ）に黒色化処理を施すことにより、補助配線（ＳＵＰ）の表面を黒色にでき光学反射率が抑えることができるため、ＣＲＴにおけるＢＭ（ブラックマトリクス）のように非発光時の黒の沈みを改善し、コントラストを向上させることが可能となる。
（４）金属配線（ＭＬＩＮＥ）が高精度に形成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）は、そのまま電磁波吸収効果を持つため、不要輻射（電磁波）を抑制することが可能となる。
（５）金属配線（ＭＬＩＮＥ）を蒸着成膜するプロセスや真空装置、あるいはフォトプロセスが不要となり、液晶ディスプレイにおけるカラーフィルタの貼り合わせのような簡易的なプロセスのみとなるので、プロセス削減の効果の他、歩留まりの向上によるコストを低減することが可能となる。
以上説明したように、本実施例によれば、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージが無く、高精度な補助配線（ＳＵＰ）の形成が可能となり、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示パネルの性能向上、並びに生産歩留まりを向上させることが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素（サブピクセル）の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素の要部断面構造を示す模式断面図である。
【図３】図２に示す有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の構成の一例を示す図である。
【図４】図２に示す補助配線（ＳＵＰ）の配置パターンを示す図である。
【図５】本発明の実施例の補助配線構成部材を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例の補助配線構成部材を拡大して示す斜視図である。
【図７】図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせる前の状態を示す模式断面図である。
【図８】図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせる後の状態を示す模式断面図である。
【図９】従来のプロセスで補助配線（ＳＵＰ）を共通電極（ＣＤ）の上に形成する時の問題点を説明するための図である。
【図１０】従来のプロセスで補助配線（ＳＵＰ）を共通電極（ＣＤ）の下に形成する時の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
【００１８】
２０ 電子輸送層
２１ 発光層
２２ ホール輸送層
ＳＵＢ 基板
ＵＣ 下地膜
ＦＧ 半導体層
ＧＩ ゲート絶縁膜
ＳＧ 金属ゲート電極膜
ＡＤＭ 金属電極膜
ＩＮＳ１ 第１層間絶縁膜
ＩＮＳ２ 第２層間絶縁膜
ＡＤ 画素電極
ＢＮＫ バンク
ＳＵＰ 補助配線
ＣＤ 共通電極
ＤＡＴＡ 映像線
ＰＯＷＥＲ 電源線
ＳＣＡＮ 走査線
ＯＬＥ 有機ＥＬ素子
ＴＦＴ１ 第１トランジスタ
ＴＦＴ２ 第２トランジスタ
ＣＡＰ データ保持容量
ＲＥＳＩＮ 樹脂フィルム
ＭＬＩＮＥ 金属配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびその製造方法に係り、特に、有機ＥＬ表示における補助配線の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置は、画素駆動に用いる薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴ）や配線の上部に画素部を設計可能であることから、前述の駆動ＴＦＴや配線の面積に影響されない為、画素開口率を大きくすることが出来る。この為、有機ＥＬ表示パネルの高精細化や高輝度化、あるいは低消費電力化が可能であるというメリットを有する。
しかし、光取り出し方向に存在する上部透明電極（共通電極）は、ＩＴＯあるいはＩＺＯといった金属酸化物を用いなければならず、電気抵抗もＡＬ（アルミニウム）等の金属に比較して大きいことが問題となる。即ち、上部透明電極が高抵抗であるが故に、有機ＥＬ表示パネルの画面中央と画面周辺において電圧降下が生じることから、輝度均一性を確保する事が困難となる。
そこで、上部透明電極を低抵抗化する為に、上部透明電極の上部あるいは下部にＡＬ等の低抵抗金属を微細に配線し、透明電極と接続することにより、上部透明電極の電気抵抗を全体的に低抵抗化する手法が採用されている。（下記、特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００７−１０３０５８号公報
【特許文献２】特開２００７−１０３０９８号公報
【特許文献３】特開２００７−１０８４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述の微細な低抵抗金属配線を補助配線と定義した場合、補助配線の作成方法は、大きく分けて次ぎの２つの製法が考えられる。
（１）透明電極の下部に用いる補助配線をフォトプロセスにより製作する。
（２）透明電極の下部もしくは上部にＡＬ等の低抵抗金属を蒸着により作成する。
前者の場合、フォトプロセス増加による製造プロセスの変更並びにコスト増加が不可避となる。
一方、後者の場合には、ＡＬ等の低抵抗金属を蒸着する際には、高融点金属であることから、蒸着マスクならびに基板温度上昇による有機ＥＬ素子のダメージあるいは蒸着精度の劣化による補助配線の位置ずれ等が発生する事が容易に考えられる。更に、ＡＬ等の低抵抗金属は金属光沢を持つ事から、外光の乱反射による表示品位の劣化等の問題も考えられる。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置および製造方法において、共通電極上に補助配線を、発光層にダメージを与えることなく、高精度に形成することが可能となる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線である。
（２）（１）において、前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下である。
（３）（１）または（２）において、前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳである。
（４）（１）ないし（３）の何れかにおいて、前記金属配線は、黒色化処理が施されている。
（５）（１）ないし（４）の何れかにおいて、前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。
（６）（１）ないし（５）の何れかにおいて、前記各画素に走査電圧を入力する走査線を有し、前記金属配線は、前記走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成されている。
（７）（１）ないし（６）の何れかにおいて、前記各画素を分離する分離壁を有し、前記各画素の発光領域は、前記分離壁により前記各画素毎に分離されており、前記金属配線は、前記分離壁上の前記透明電極上に形成されている。
（８）（１）ないし（７）の何れかにおいて、前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣである。
【０００６】
（９）画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で、前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを有する表示装置の製造方法であって、主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップと、基板上に前記画素電極を形成するステップと、前記画素電極上に透明電極を形成するステップと、前記透明電極上に、前記主面が前記透明電極と対向するように、前記用意した樹脂を貼り合わせて、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に補助配線を形成するステップとを有する。
（１０）（９）において、前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に金属材料を形成するステップと、前記金属材料をホトエッチングでエッチングし、前記ストライプ状の金属配線を形成するステップとを有する。
（１１）（９）において、前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に印刷法、あるいは析出法により前記ストライプ状の金属配線を形成するステップである。
（１２）（９）ないし（１１）の何れかにおいて、基板上に前記画素電極を形成するステップの後に、前記各画素の発光領域を分離する分離壁を形成するステップを有し、前記画素電極上に透明電極を形成するステップは、前記分離壁を覆い、前記各画素に対して共通に前記透明電極を形成するステップである。
【発明の効果】
【０００７】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、共通電極上に補助配線を、発光層にダメージを与えることなく、高精度に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
また、本実施例では、トップエミッション方式のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した例について説明する。
［本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネル］
図１は、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素（サブピクセル）の等価回路を示す回路図である。
図１に示すように、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルでは、上下方向に映像線（ＤＡＴＡ）及び電源線（ＰＯＷＥＲ）、左右方向に補助配線（ＳＵＰ）と走査線（ＳＣＡＮ）が配置され、各画素はこれらの配線の間に形成される。
各画素は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）、データ保持容量（ＣＡＰ）、および有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）を有する。
第１トランジスタ（ＴＦＴ１）のソースドレイン領域の一端に、映像線（ＤＡＴＡ）が接続され、他端に、データ保持容量（ＣＡＰ）の一端が接続され、制御端であるゲートは、走査線（ＳＣＡＮ）に接続される。
データ保持容量（ＣＡＰ）の一端は、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）の制御端にも接続され、他端は、電源線（ＰＯＷＥＲ）に接続される。
電源線（ＰＯＷＥＲ）には、データ保持容量（ＣＡＰ）だけでなく、第２トンランジスタ（ＴＦＴ２）のソースドレイン領域の一端が接続されている。第２トンランジスタ（ＴＦＴ２）のソースドレイン領域の他端は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のアノードに接続される。有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のカソードは、補助配線（ＳＵＰ）に接続される。
【０００９】
本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素の要部断面構造を図２に示す。
図２に示すように、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルでは、基板（ＳＵＢ）上に、下地膜（ＵＣ）、半導体膜（ＦＧ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、金属ゲート電極膜（ＳＧ）、第１層間絶縁膜（ＩＮＳ１）、金属電極膜（ＡＤＭ）、第２層間絶縁膜（ＩＮＳ２）、画素電極（ＡＤ）、バンク（ＢＮＫ）、補助配線（ＳＵＰ）、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）、共通電極（ＣＤ）が形成される。なお、図２において、矢印Ａは、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）で発光した光の照射方向を示す。
基板（ＳＵＢ）は、０．５ｍｍの厚さの無アルカリガラスである。
下地膜（ＵＣ）は、基板（ＳＵＢ）に含まれるイオン性不純物が、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、あるいは第２トランジスタ（ＴＦＴ２）を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に影響を及ぼすのを回避するために設けられており、厚さ５０〜２００ｎｍの窒化シリコン膜と厚さ５０〜２００ｎｍの酸化シリコン膜との積層膜からなる。
半導体膜（ＦＧ）は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、あるいは第２トランジスタ（ＴＦＴ２）を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース領域、ドレイン領域、チャネル領域だけでなく、高濃度ドーピングによる配線やデータ保持容量（ＣＡＰ）の下層電極を構成する層である。この半導体膜（ＦＧ）は、厚さ５０〜１５０ｎｍのポリシリコンで構成される。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、厚さ１００〜２００ｎｍのＴＥＯＳによる酸化シリコン膜で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、ゲート絶縁膜だけでなく、データ保持容量（ＣＡＰ）の誘電体層としても機能する。
【００１０】
金属ゲート電極膜（ＳＧ）は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）のゲート電極と第２トランジスタ（ＴＦＴ２）のゲート電極となる他、走査配線（ＳＣＡＮ）、データ保持容量（ＣＡＰ）の上層電極を構成する層である。金属ゲート電極膜（ＳＧ）は、厚さ１００〜３００ｎｍの金属膜で、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）との合金膜（ＭｏＷ）で構成されている。
第１層間絶縁膜（ＩＮＳ１）は、厚さ２００〜５００ｎｍの酸化シリコン膜で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。
金属電極膜（ＡＤＭ）は、映像線（ＤＡＴＡ）、電源線（ＰＯＷＥＲ）を構成するだけでなく、半導体膜（ＦＧ）と金属ゲート電極膜（ＳＧ）とを接続する際の配線や、抵抗を下げる冗長配線を構成する。金属電極膜（ＡＤＭ）は、厚さ２０〜１２０ｎｍ程度の厚さのＭｏＷ膜と５０〜１５０ｎｍ程度の厚さのＭｏＷ膜との間に２００〜４００ｎｍ程度の厚さのＡｌＳｉ膜を挟み込んだ積層構造の金属膜からなる。
第２層間絶縁膜（ＩＮＳ２）は、厚さ３００〜５００ｎｍのシリコン窒化膜の上に、厚さ１μｍ〜２μｍのポリイミド、アクリル、エポキシの何れから選択された有機絶縁膜が形成された積層構造で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。
画素電極（ＡＤ）は、上下２層で構成される。下層は、厚さ５０〜２００ｎｍのＡｌＳｉ膜と２０〜１２０ｎｍ程度の厚さのＭｏＷ膜との積層膜（上Ａｌ膜／下ＭｏＷ膜）で構成され、画素毎に分離されている。上層は、厚さ３０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成され、画素毎に分離されている。上層のＩＴＯは、下層の金属を覆い、下層を介さずに第２トランジスタ（ＴＦＴ２）と電気的に直接接続されている。即ち、画素電極（ＡＤ）の上層は、ホール注入する陽極として機能し、下層は有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）で発光した光を反射する反射膜として機能する。
【００１１】
バンク（ＢＮＫ）は、画素電極（ＡＤ）の外縁を覆い、画素電極（ＡＤ）を露出する発光領域（ＡＲＡ）間を絶縁する絶縁膜で、窒化シリコン膜ＳｉＮ、アクリル又はポリイミドで構成される。
有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）は、図３に示すように、ホール輸送層２２、発光層２１、電子輸送層２０の３層を少なくとも備えている。この有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の少なくとも一層がバンクの上にも形成される。
陰極となる共通電極（ＣＤ）は、ＩＺＯなどの亜鉛系の酸化導電膜で構成され、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の全面を覆っている。
共通電極（ＣＤ）上には、補助配線（ＳＵＰ）が形成される。補助配線（ＳＵＰ）は、走査線（ＳＣＡＮ）の延長方向で、各画素の発光領域（ＡＲＡ）の間の非発光領域に形成される。即ち、補助配線（ＳＵＰ）は、上下左右に延びるバンク（ＢＮＫ）のうち、左右に延びるバンク（ＢＮＫ）上に形成される。図４に補助配線（ＳＵＰ）の平面パターンを示す。ここで、図４に示すように、補助配線（ＳＵＰ）の配線幅は１０〜１５μｍ、各画素の発光領域（ＡＲＡ）の間隔は、２５ないし３０μｍとされる。
このように、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）、および各配線の上部に、画素電極（ＡＤ）、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）を形成することができるので、画素開口率を大きくでき、有機ＥＬ表示パネルの高精細化や高輝度化、あるいは低消費電力化が可能であるというメリットを有する。
【００１２】
前述したように、補助配線（ＳＵＰ）は、共通電極（ＣＤ）を低抵抗化する目的で用いられる為、共通電極（ＣＤ）の材料がＩＴＯやＩＺＯあるいはＺｎＯに対して、充分に電気抵抗の低い金属を用いる必要がある。その為、現在では入手が容易であり、電気抵抗が低く、かつ製膜方法の安定したＡＬが補助配線（ＳＵＰ）に用いられる。
しかし、ＡＬを補助配線材料に用いる場合には、ＡＬは高融点金属である為、一般的な抵抗加熱あるいは誘導加熱法を用いた場合、蒸着源の温度は１５００Ｋ以上となることから、高精細な蒸着マスクの昇温あるいは基板温度の昇温、更には高温に熱せられた蒸着マスクが有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）に接触することによる、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージ等が問題となる。有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージは、有機ＥＬ表示パネルの信頼性に関わる問題となり、十分な対策が必要である。
一方、蒸着マスクや基板の昇温による影響は、それぞれの熱膨張を引き起こすことから、補助配線（ＳＵＰ）の製膜位置の蒸着位置ずれといった問題となる。この蒸着位置ずれは設計裕度を超えた場合、即ち、補助配線（ＳＵＰ）が画素上にずれて成膜された場合には、製品として表示不良となる。この状態の模式図を図９に示す。
有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の下に補助配線（ＳＵＰ）を形成する場合には、高精細な蒸着マスクの昇温あるいは基板温度の昇温、更には高温に熱せられた蒸着マスクが有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）に接触することによる、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージを考慮する必要がないので、ホトリソによる高い精度の補助配線（ＳＵＰ）のパターン化が可能である。
しかし、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の下に補助配線（ＳＵＰ）を形成する場合、有機膜がその中間に存在し、補助配線（ＳＵＰ）と共通電極（ＣＤ）との接続の妨げになる。この状態の模式図を図１０に示す。
これは、単色発光とカラーフィルタの組合せのカラー有機ＥＬ表示装置だけでなく、多色発光でも発光材料層を構成する少なくとも１層はプロセス簡略化のために、異なる色の画素にも共通に蒸着する、所謂「ベタ蒸着」が採用された有機ＥＬ表示装置でも問題となる。なお、図９、図１０において、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造をＢＴＦＴで表し、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造の図示は省略している。
【００１３】
［本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルの特徴］
本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルは、補助配線構成部材を有機ＥＬ表示パネルと別の部品で構成し、有機ＥＬ表示パネルと補助配線構成部材とを組み合わせて用いることを特徴とする。
図５は、本発明の実施例の補助配線構成部材を説明するための図であり、図６は、本発明の実施例の補助配線構成部材を拡大して示す斜視図である。
図５、図６に示す補助配線構成部材は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート；PolyEthylene Terephthalate）で構成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）と、この樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）の上にストライプ状に形成された金属配線（ＭＬＩＮＥ）とで構成される。
この補助配線構成部材は、例えば、冷間圧延加工により１０μｍ以下にされた銅箔とＰＥＴフィルムとを化粧鋼板技術により貼り合わせた後、高温かつ高圧でエッチング液を噴出するエッチング技術により銅箔をエッチングし、テーパ角が８０〜９０度となるように加工された金属配線（ＭＬＩＮＥ）をストライプ状に形成することにより作成される。
このプロセスを用いた場合には、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の配線ピッチ（ＰＩＴＣＨ）は８０〜１０００μｍ、配線幅（ＷＩＤＴＨ）は８〜５０μｍ、配線高（ＨＥＩＧＨＴ）は１０〜１５０μｍまでは適宜製造可能である。
したがって、前述のプロセスを用いた場合には、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の精細度は３００ＬＰＩ（Line per inch）程度は充分に達成可能であるため、有機ＥＬ素子パネルの補助配線（ＳＵＰ）パターンを形成する目的においては、充分な加工精細度の実力を持っている。
【００１４】
更に、金属配線（ＭＬＩＮＥ）パターンに用いられる金属は、板厚１０μｍ程度の配線厚みを持つ為、一般的なガラス基板上にフォトプロセスでパターンニングされた金属配線の厚み（１μｍ程度）と比較して、約１／１０の電気抵抗となる。このため、現状考えうる補助配線の形成プロセス、即ち、フォトプロセス法や真空蒸着法に比較して、本実施例による補助配線（ＳＵＰ）は配線抵抗が最も低いものとなる。
本実施例では、共通電極（ＣＤ）としては、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいはＺｎＯが使用されるが、本実施例では、共通電極（ＣＤ）として、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいはＺｎＯを用い、補助配線構成部材を有機ＥＬ素子パネルの共通電極（ＣＤ）に組み合わせた際には、共通電極（ＣＤ）と補助配線（ＳＵＰ）とを組み合わせたシート抵抗を１０Ω／□以下とすることができる。
この結果、補助配線（ＳＵＰ）の配線抵抗による電圧降下を従来よりも低くできるので、高性能な有機ＥＬ表示パネルの製造に貢献する他、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示パネルの大型化対応（例えば、１７インチ以上の有機ＥＬ素子パネル）に対しても容易に対応可能となる。
この金属配線（ＭＬＩＮＥ）は、不透明な金属膜で、アルミニウム（Ａｌ）の他、銅（Ｃｕ）、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料を用いることができる。なお、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の表面に黒色化処理を施すようにしてもよい。この場合には、有機ＥＬ素子パネルの視認特性を向上させることが可能となる。
樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）としては、ＰＥＴのほかにＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、あるいは、ＰＯＣ（ポリオレフィン；polyolefin）等を適用することもできる。これらの樹脂のように、複屈折が少ない膜であれば、他の材料も用いることができる。
前述の説明では、補助配線構成部材の製造法は、あらかじめ金属箔と樹脂フィルムを貼り合わせた部材を準備して、これにフォトレジストでパターンニングし、エッチング法により、配線以外の部分を除去することによって製造したが、析出法や印刷法を用いても、同様な効果を得ることができる。
【００１５】
本実施例では、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとをそれぞれ別々に製造する。
その後、金属配線（ＭＬＩＮＥ）が、発光領域（ＡＲＡ）に重ならないように、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）を、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネル上に、例えば、真空ラミネート等の圧着により貼り合わせる。
この場合、有機ＥＬ表示パネルの成膜層は薄膜であり、有機層を主体としている為、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）の金属配線（ＭＬＩＮＥ）に比較して弾性が高いことから、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）の金属配線（ＭＬＩＮＥ）は、有機ＥＬ表示パネルの共通電極（ＣＤ）に食い込む形状となる。
図７に、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせる前の状態を、図８に、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせた後の状態を示す。
図８に示すように、図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせた後、通常の有機ＥＬ表示パネルの封止プロセスを行うことによって、有機ＥＬ表示パネルが完成する。
なお、図７、図８において、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造をＢＴＦＴで表し、図２に示す基板（ＳＵＢ）と画素電極（ＡＤ）との間の構造の図示は省略している。
【００１６】
本実施例によれば、下記の作用・効果を得ることが可能である。
（１）補助配線（ＳＵＰ）の成膜時の基板温度上昇プロセスが不要となるので、補助配線（ＳＵＰ）の形成時における有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージを阻止することが可能となる。
（２）金属配線（ＭＬＩＮＥ）が高精度に形成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）を有機ＥＬ表示パネルに貼り合わせるプロセスのため、位置合わせプロセスの精度で、有機ＥＬ素子パネルへ補助配線（ＳＵＰ）を形成することができ、補助配線（ＳＵＰ）の形成精度の向上、即ち、補助配線（ＳＵＰ）の位置ずれを抑制することができる。
（３）金属配線（ＭＬＩＮＥ）に黒色化処理を施すことにより、補助配線（ＳＵＰ）の表面を黒色にでき光学反射率が抑えることができるため、ＣＲＴにおけるＢＭ（ブラックマトリクス）のように非発光時の黒の沈みを改善し、コントラストを向上させることが可能となる。
（４）金属配線（ＭＬＩＮＥ）が高精度に形成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）は、そのまま電磁波吸収効果を持つため、不要輻射（電磁波）を抑制することが可能となる。
（５）金属配線（ＭＬＩＮＥ）を蒸着成膜するプロセスや真空装置、あるいはフォトプロセスが不要となり、液晶ディスプレイにおけるカラーフィルタの貼り合わせのような簡易的なプロセスのみとなるので、プロセス削減の効果の他、歩留まりの向上によるコストを低減することが可能となる。
以上説明したように、本実施例によれば、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のダメージが無く、高精度な補助配線（ＳＵＰ）の形成が可能となり、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示パネルの性能向上、並びに生産歩留まりを向上させることが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素（サブピクセル）の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素の要部断面構造を示す模式断面図である。
【図３】図２に示す有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の構成の一例を示す図である。
【図４】図２に示す補助配線（ＳＵＰ）の配置パターンを示す図である。
【図５】本発明の実施例の補助配線構成部材を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例の補助配線構成部材を拡大して示す斜視図である。
【図７】図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせる前の状態を示す模式断面図である。
【図８】図５、図６に示す補助配線部材と、図２に示す構造において補助配線（ＳＵＰ）が形成されていない有機ＥＬ表示パネルとを貼り合わせる後の状態を示す模式断面図である。
【図９】従来のプロセスで補助配線（ＳＵＰ）を共通電極（ＣＤ）の上に形成する時の問題点を説明するための図である。
【図１０】従来のプロセスで補助配線（ＳＵＰ）を共通電極（ＣＤ）の下に形成する時の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
【００１８】
２０ 電子輸送層
２１ 発光層
２２ ホール輸送層
ＳＵＢ 基板
ＵＣ 下地膜
ＦＧ 半導体層
ＧＩ ゲート絶縁膜
ＳＧ 金属ゲート電極膜
ＡＤＭ 金属電極膜
ＩＮＳ１ 第１層間絶縁膜
ＩＮＳ２ 第２層間絶縁膜
ＡＤ 画素電極
ＢＮＫ バンク
ＳＵＰ 補助配線
ＣＤ 共通電極
ＤＡＴＡ 映像線
ＰＯＷＥＲ 電源線
ＳＣＡＮ 走査線
ＯＬＥ 有機ＥＬ素子
ＴＦＴ１ 第１トランジスタ
ＴＦＴ２ 第２トランジスタ
ＣＡＰ データ保持容量
ＲＥＳＩＮ 樹脂フィルム
ＭＬＩＮＥ 金属配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、
前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、
前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、
前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記金属配線は、黒色化処理が施されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記各画素に走査電圧を入力する走査線を有し、
前記金属配線は、前記走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記各画素を分離する分離壁を有し、
前記各画素の発光領域は、前記分離壁により前記各画素毎に分離されており、
前記金属配線は、前記分離壁上の前記透明電極上に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣであることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、
前記透明電極上で、前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを有する表示装置の製造方法であって、
主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップと、
基板上に前記画素電極を形成するステップと、
前記画素電極上に透明電極を形成するステップと、
前記透明電極上に、前記主面が前記透明電極と対向するように、前記用意した樹脂を貼り合わせて、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に補助配線を形成するステップとを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に金属材料を形成するステップと、
前記金属材料をホトエッチングでエッチングし、前記ストライプ状の金属配線を形成するステップとを有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に印刷法、あるいは析出法により前記ストライプ状の金属配線を形成するステップであることを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に前記画素電極を形成するステップの後に、前記各画素の発光領域を分離する分離壁を形成するステップを有し、
前記画素電極上に透明電極を形成するステップは、前記分離壁を覆い、前記各画素に対して共通に前記透明電極を形成するステップであることを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、
前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、
前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、
前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記金属配線は、黒色化処理が施されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記各画素に走査電圧を入力する走査線を有し、
前記金属配線は、前記走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記各画素を分離する分離壁を有し、
前記各画素の発光領域は、前記分離壁により前記各画素毎に分離されており、
前記金属配線は、前記分離壁上の前記透明電極上に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣであることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、
前記透明電極上で、前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを有する表示装置の製造方法であって、
主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップと、
基板上に前記画素電極を形成するステップと、
前記画素電極上に透明電極を形成するステップと、
前記透明電極上に、前記主面が前記透明電極と対向するように、前記用意した樹脂を貼り合わせて、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に補助配線を形成するステップとを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に金属材料を形成するステップと、
前記金属材料をホトエッチングでエッチングし、前記ストライプ状の金属配線を形成するステップとを有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記主面上に金属配線がストライプ状に形成された樹脂を用意するステップは、前記樹脂の主面上に印刷法、あるいは析出法により前記ストライプ状の金属配線を形成するステップであることを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に前記画素電極を形成するステップの後に、前記各画素の発光領域を分離する分離壁を形成するステップを有し、
前記画素電極上に透明電極を形成するステップは、前記分離壁を覆い、前記各画素に対して共通に前記透明電極を形成するステップであることを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−１９３７９７（Ｐ２００９−１９３７９７Ａ）
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２５０２（Ｐ２００８−３２５０２）
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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